logo
PRODUCTEN
PRODUCTEN
Huis > PRODUCTEN > Halfgeleidermateriaal > Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch

Productdetails

Plaats van herkomst: China

Merknaam: ZMSH

Certificering: rohs

Modelnummer: Waferbindingsapparatuur

Betalings- en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 2

Prijs: by case

Levertijd: 5 tot 10 maanden

Betalingscondities: T/T

Krijg Beste Prijs
Markeren:

Waferbindingsapparatuur bij kamertemperatuur

,

Hydrofiele waferbindingsapparatuur

Metodes van binding::
Binding bij kamertemperatuur
Compatibele wafergrootten::
≤ 12 inch, compatibel met onregelmatig gevormde monsters
Compatibele materialen::
Sapfieren, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamanten, Glas, enz.
Maximale druk van de pers::
100 KN
Alignmentmethode en precisie::
De markering van de afmeting van de randen moet in overeenstemming zijn met de voorschriften van pun
Bindingssterkte::
≥ 2,0 J/m2 @ kamertemperatuur (voor directe Si-Si-binding)
Metodes van binding::
Binding bij kamertemperatuur
Compatibele wafergrootten::
≤ 12 inch, compatibel met onregelmatig gevormde monsters
Compatibele materialen::
Sapfieren, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamanten, Glas, enz.
Maximale druk van de pers::
100 KN
Alignmentmethode en precisie::
De markering van de afmeting van de randen moet in overeenstemming zijn met de voorschriften van pun
Bindingssterkte::
≥ 2,0 J/m2 @ kamertemperatuur (voor directe Si-Si-binding)
Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch

 

Waferbindingsapparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch


 

Overzicht van het waferbindingssysteem

 

 

Wafer Bonding Equipment is een high-end bonding apparatuur die speciaal is ontworpen voor de productie van siliciumcarbide (SiC) -kragtoestellen, die 2 tot 12 inch wafer specificaties ondersteunt.Wafer bonding apparatuur bevat geavanceerde directe binding bij kamertemperatuur en oppervlakte-geactiveerde binding technologieën, met speciale optimalisatie voor heterogene SiC-SiC- en SiC-Si-bindingsprocessen.met een geïntegreerd hoogprecisie-optisch uitlijningssysteem (≤ ± 2 μm) en een gesloten temperatuur/drukregeling, zorgt het voor de hoge bindsterkte (≥ 2 J/m2) en de superieure interfacemuniformiteit die vereist zijn voor de fabricage van krachtssemiconductorapparaten.

 

 


 

Technische specificaties van het waferbindingssysteem

 

 

Kernfunctioneel parameters:

 

Bindprocessen: Ondersteunt directe binding en plasma-geactiveerde binding
Wafercompatibiliteit: Volledige waferbehandeling met een breedte van 2 tot 12 inch
Materialencombinaties: Si-SiC/SiC-SiC heterostructurele binding
Alignmentsysteem: Ultra-hoge precisie optische uitlijning (≤ ± 0,5 μm)
Beheersing van de druk: Precisieverstelbaar 0-10 MPa
Temperatuurbereik: RT-500°C (optioneel voorverwarmings-/verwarmingsmodule)
Vacuümniveau: Ultrahoge vacuümomgeving (≤5×10−6 Torr)

 

 

Intelligent besturingssysteem:

 

·HMI's voor industriële aanraking

·≥ 50 opgeslagen procesrecepten

·Reële-tijd druk-temperatuur-feedback in gesloten kring

 

 

Veiligheidsbeschermingssysteem:

 

·Triple vergrendeling (druk/temperatuur/vacuüm)

·Noodremsysteem

·Compatibiliteit met schoonruimte van klasse 100

 

 

Uitgebreide functies:

 

·Optioneel robot-waferbehandel

·SECS/GEM communicatieprotocol ondersteuning

·Geïntegreerde inline-inspectie-module

 

 

Wafer Bonding Equipment is speciaal ontworpen voor onderzoek en ontwikkeling en massaproductie van halfgeleiders van de derde generatie.Waferbinding Equipment modulaire architectuur maakt hoge betrouwbaarheid binding voor SiC-gebaseerde power-apparatenDe innovatieve plasma-voorbehandelingstechnologie verbetert de bindsterkte van het interfacesysteem aanzienlijk (≥ 5 J/m2), terwijl de ultrahoge vacuümomgeving zorgt voor verontreinigingsvrije bindingsinterfaces.Het intelligente temperatuur-drukregelsysteem, in combinatie met submicron-uitlijningsnauwkeurigheid, biedt bindingsoplossingen op waferniveau voor HEMT, SBD en andere apparaten.

 

 


 

Foto

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 0Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 1
 
 

 

Compatibele materialen

 

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 2

 

 


 

Toepassingen

 

 

· Verpakking van het MEMS-apparaat: Waferbindingsapparatuur is geschikt voor het hermetisch afdichten van micro-elektromechanische systemen (MEMS) zoals versnellingsmeters en gyroscopen.

 

· CIS-beeldsensoren: Waferbinding-apparatuur maakt lage temperatuurbinding mogelijk tussen CMOS-wafers en optische glassubstraten.

 

· 3D-IC-integratie: Wafer Bonding Equipment ondersteunt stapelbinding bij kamertemperatuur voor door-silicium via (TSV) wafers.

 

• Samengestelde halfgeleiderapparaten: Wafer Bonding Equipment vergemakkelijkt de overdracht van de epitaxiale laag voor GaN/SiC-aandrijvingsapparaten.

 

• Biochipfabricage: Wafer Bonding Equipment biedt laagtemperatuurverpakkingsoplossingen voor microfluïdale chips.

 

 


 

Bewerkingseffect——Binding van LiNbO 3-wafers en SiC-wafers

 

 

(a) Foto van LiNbO3/SiC-wafers die bij kamertemperatuur zijn gebonden. (b) Foto van gesneden 1 × 1 mm chips.

 

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(a) TEM-afbeelding van de LiNbO3/SiC-bindingsinterface (b) Vergroot beeld van (a)

 

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 4

 

 


 

V&A

 

 

1. V: Wat zijn de voordelen van waferbinding bij kamertemperatuur in vergelijking met thermische binding?
A: Binding bij kamertemperatuur voorkomt thermische spanning en materiaaldegradatie, waardoor directe binding van verschillende materialen (bv. SiC-LiNbO3) zonder hoge temperatuurbeperkingen mogelijk is.

 

 

2. V: Welke materialen kunnen worden gebonden met behulp van waferbindingstechnologie bij kamertemperatuur?
A: Het ondersteunt binding van halfgeleiders (Si, SiC, GaN), oxiden (LiNbO3, SiO2) en metalen (Cu, Au), ideaal voor MEMS, 3D-IC's en opto-elektronica-integratie.

 

 


Tag: #Wafer Bonding Equipment, #SIC, #2/4/6/8/10/12 inch Bonding, #Room Temperature Bonding System, #Si-SiC, #Si-Si, #LiNbO 3 -SiC