logo
Goede prijs  online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. PRODUCTEN Created with Pixso.
Halfgeleidermateriaal
Created with Pixso. Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch

Merknaam: ZMSH
Modelnummer: Waferbindingsapparatuur
MOQ: 2
Prijs: by case
Leveringstermijn: 5 tot 10 maanden
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Certificering:
rohs
Metodes van binding::
Binding bij kamertemperatuur
Compatibele wafergrootten::
≤ 12 inch, compatibel met onregelmatig gevormde monsters
Compatibele materialen::
Sapfieren, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamanten, Glas, enz.
Maximale druk van de pers::
100 KN
Alignmentmethode en precisie::
De markering van de afmeting van de randen moet in overeenstemming zijn met de voorschriften van pun
Bindingssterkte::
≥ 2,0 J/m2 @ kamertemperatuur (voor directe Si-Si-binding)
Markeren:

Waferbindingsapparatuur bij kamertemperatuur

,

Hydrofiele waferbindingsapparatuur

Productomschrijving

 

Waferbindingsapparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch


 

Overzicht van het waferbindingssysteem

 

 

Wafer Bonding Equipment is een high-end bonding apparatuur die speciaal is ontworpen voor de productie van siliciumcarbide (SiC) -kragtoestellen, die 2 tot 12 inch wafer specificaties ondersteunt.Wafer bonding apparatuur bevat geavanceerde directe binding bij kamertemperatuur en oppervlakte-geactiveerde binding technologieën, met speciale optimalisatie voor heterogene SiC-SiC- en SiC-Si-bindingsprocessen.met een geïntegreerd hoogprecisie-optisch uitlijningssysteem (≤ ± 2 μm) en een gesloten temperatuur/drukregeling, zorgt het voor de hoge bindsterkte (≥ 2 J/m2) en de superieure interfacemuniformiteit die vereist zijn voor de fabricage van krachtssemiconductorapparaten.

 

 


 

Technische specificaties van het waferbindingssysteem

 

 

Kernfunctioneel parameters:

 

Bindprocessen: Ondersteunt directe binding en plasma-geactiveerde binding
Wafercompatibiliteit: Volledige waferbehandeling met een breedte van 2 tot 12 inch
Materialencombinaties: Si-SiC/SiC-SiC heterostructurele binding
Alignmentsysteem: Ultra-hoge precisie optische uitlijning (≤ ± 0,5 μm)
Beheersing van de druk: Precisieverstelbaar 0-10 MPa
Temperatuurbereik: RT-500°C (optioneel voorverwarmings-/verwarmingsmodule)
Vacuümniveau: Ultrahoge vacuümomgeving (≤5×10−6 Torr)

 

 

Intelligent besturingssysteem:

 

·HMI's voor industriële aanraking

·≥ 50 opgeslagen procesrecepten

·Reële-tijd druk-temperatuur-feedback in gesloten kring

 

 

Veiligheidsbeschermingssysteem:

 

·Triple vergrendeling (druk/temperatuur/vacuüm)

·Noodremsysteem

·Compatibiliteit met schoonruimte van klasse 100

 

 

Uitgebreide functies:

 

·Optioneel robot-waferbehandel

·SECS/GEM communicatieprotocol ondersteuning

·Geïntegreerde inline-inspectie-module

 

 

Wafer Bonding Equipment is speciaal ontworpen voor onderzoek en ontwikkeling en massaproductie van halfgeleiders van de derde generatie.Waferbinding Equipment modulaire architectuur maakt hoge betrouwbaarheid binding voor SiC-gebaseerde power-apparatenDe innovatieve plasma-voorbehandelingstechnologie verbetert de bindsterkte van het interfacesysteem aanzienlijk (≥ 5 J/m2), terwijl de ultrahoge vacuümomgeving zorgt voor verontreinigingsvrije bindingsinterfaces.Het intelligente temperatuur-drukregelsysteem, in combinatie met submicron-uitlijningsnauwkeurigheid, biedt bindingsoplossingen op waferniveau voor HEMT, SBD en andere apparaten.

 

 


 

Foto

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 0Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 1
 
 

 

Compatibele materialen

 

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 2

 

 


 

Toepassingen

 

 

· Verpakking van het MEMS-apparaat: Waferbindingsapparatuur is geschikt voor het hermetisch afdichten van micro-elektromechanische systemen (MEMS) zoals versnellingsmeters en gyroscopen.

 

· CIS-beeldsensoren: Waferbinding-apparatuur maakt lage temperatuurbinding mogelijk tussen CMOS-wafers en optische glassubstraten.

 

· 3D-IC-integratie: Wafer Bonding Equipment ondersteunt stapelbinding bij kamertemperatuur voor door-silicium via (TSV) wafers.

 

• Samengestelde halfgeleiderapparaten: Wafer Bonding Equipment vergemakkelijkt de overdracht van de epitaxiale laag voor GaN/SiC-aandrijvingsapparaten.

 

• Biochipfabricage: Wafer Bonding Equipment biedt laagtemperatuurverpakkingsoplossingen voor microfluïdale chips.

 

 


 

Bewerkingseffect——Binding van LiNbO 3-wafers en SiC-wafers

 

 

(a) Foto van LiNbO3/SiC-wafers die bij kamertemperatuur zijn gebonden. (b) Foto van gesneden 1 × 1 mm chips.

 

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(a) TEM-afbeelding van de LiNbO3/SiC-bindingsinterface (b) Vergroot beeld van (a)

 

 

Wafer binding apparatuur Kamertemperatuur Bondin Hydrofiele binding Si-SiC Si-Si binding 2 -12 inch 4

 

 


 

V&A

 

 

1. V: Wat zijn de voordelen van waferbinding bij kamertemperatuur in vergelijking met thermische binding?
A: Binding bij kamertemperatuur voorkomt thermische spanning en materiaaldegradatie, waardoor directe binding van verschillende materialen (bv. SiC-LiNbO3) zonder hoge temperatuurbeperkingen mogelijk is.

 

 

2. V: Welke materialen kunnen worden gebonden met behulp van waferbindingstechnologie bij kamertemperatuur?
A: Het ondersteunt binding van halfgeleiders (Si, SiC, GaN), oxiden (LiNbO3, SiO2) en metalen (Cu, Au), ideaal voor MEMS, 3D-IC's en opto-elektronica-integratie.

 

 


Tag: #Wafer Bonding Equipment, #SIC, #2/4/6/8/10/12 inch Bonding, #Room Temperature Bonding System, #Si-SiC, #Si-Si, #LiNbO 3 -SiC