Productdetails
Plaats van herkomst: Chinees
Merknaam: ZMSH
Certificering: rohs
Modelnummer: Met een vermogen van niet meer dan 50 W
Betalings- en verzendvoorwaarden
Min. bestelaantal: 25
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 2-4weeks
Betalingscondities: T/T
Artikel:: |
Gemaakte saffiersubstraat |
Grootte:: |
2 inch, 4 inch, 6 inch |
Vooroppervlak afwerking:: |
Gevormd |
Achtergrond afwerking:: |
SSP: fijn gemalen, Ra=0,8-1,2um; DSP: Epi gepolijst, Ra<0,3nm |
Lasermerk:: |
Achterkant |
Rande uitsluiting:: |
≤ 2 mm |
Aanpassing:: |
Sapfieren PSS van verschillende oriëntatie; substraat van saffieren met een nanometerpatroon ((NPSS) |
Toepassing:: |
Lichtdioden (LED's) |
Artikel:: |
Gemaakte saffiersubstraat |
Grootte:: |
2 inch, 4 inch, 6 inch |
Vooroppervlak afwerking:: |
Gevormd |
Achtergrond afwerking:: |
SSP: fijn gemalen, Ra=0,8-1,2um; DSP: Epi gepolijst, Ra<0,3nm |
Lasermerk:: |
Achterkant |
Rande uitsluiting:: |
≤ 2 mm |
Aanpassing:: |
Sapfieren PSS van verschillende oriëntatie; substraat van saffieren met een nanometerpatroon ((NPSS) |
Toepassing:: |
Lichtdioden (LED's) |
Patterned sapphire substraat (PSS) is een miniatuur gemodelleerd sapphire substraat. Het is veel gebruikt in high-power galliumnitride-gebaseerde lichtdioden (LED's),welke de meest veelbelovende alternatieve lichtbronnen zijn voor algemene verlichtingMet de doorbraak van de patroon-safiersubstraattechnologie heeft de efficiëntie van hooglichte galliumnitride-LED's een recordhoogte van 150 lm/W bereikt. The efficiency improvement of gallium nitride based leds using patterned sapphire substrate technology is usually attributed to the improvement of light extraction efficiency and internal quantum efficiencyHet regelmatige patroon dat op het saffiersubstraat wordt geproduceerd, weegt het effect van de totale interne reflectie op de galliumnitride/saffiersinterface tegen.de interne kwantumefficiëntie wordt verbeterd als gevolg van de mogelijke laterale groei van GaN-affilm op het op patronen gebaseerde saffiersubstraat, waardoor de draadverwijzing wordt verminderd.
Samengevat produceren de op PSS geteelde GaN-epitaxiale lagen epitaxiale dwarsdefecten en minder gapdefecten tussen GaN en saffiersubstraat.de roosterparameters van PSS zijn beter afgestemd op GaN, en de epitaxiale groei van GaN op PSS resulteert in minder dislocatie dichtheid en refractie index mismatch, waardoor de epitaxiale kwaliteit wordt verbeterd.
Patroonvormig saffiersubstraat (PSS) is een proces waarbij een specifiek micrometerpatroon zoals koepel, kegel of piramidevormig op het saffiersubstraat wordt gemaakt.Onregelmatige patronen op saffiersubstraten kunnen lichtverspreiding of -breking veroorzaken, waardoor de lichtdoeltreffendheid wordt verbeterd.
|
Kristallenstructuur |
Hexagonale |
|
Gitterconstante ((nm) |
a=4.76Å c=12.99Å |
|
Dichtheid ((g/cm)3) |
3.98 |
|
Smeltpunt ((°C) |
2040 |
|
Mohs Hardness (mohs) |
9 |
|
Dielectrische constante |
9.3 (een vlak) 11.5 (een vlak C) |
|
Thermische geleidbaarheid ((W/cm.K) |
0.46 |
|
Thermische expansie |
6.7*10-6/k(C-vlak) 5,0*10-6Een vliegtuig. |
|
Brekingsindex |
1.762-1.777 |
|
Transmissie |
Proefmonster: saffier:D76,2*4 mm |
|
UV:200~380nm 74%~84% |
|
|
Zichtbaar licht: 380-760 nm 85% |
|
|
Infrarood: 760~1000 nm 85% |
|
|
Ver-infrarood:> 1000 nm 80%~100% |
|
Posten |
Gepatternde saffier substraat ((2 ~ 6 inch) |
||
|
Diameter |
50.8 ± 0,1 mm |
100.0 ± 0,2 mm |
150.0 ± 0,3 mm |
|
Dikte |
430 ± 25 μm |
650 ± 25 μm |
1000 ± 25 μm |
|
Oppervlakte-oriëntatie |
C-vlak (0001) buiten hoek richting M-as (10-10) 0,2 ± 0,1° |
||
|
C-vlak (0001) buiten de hoek richting A-as (11-20) 0 ± 0,1° |
|||
|
Primaire platte oriëntatie |
A-vlak (11-20) ± 1,0° |
||
|
Primaire vlakke lengte |
16.0 ± 1,0 mm |
30.0 ± 1,0 mm |
47.5 ± 2,0 mm |
|
R-Plane |
Om negen uur. |
||
|
Vorderoppervlak afwerking |
Gepatroneerd |
||
|
Achtergrond afwerking |
SSP: fijn gemalen, Ra=0,8-1,2um; DSP: Epi gepolijst, Ra<0,3nm |
||
|
Lasermerk |
Achterzijde |
||
|
TTV |
≤ 8 μm |
≤ 10 μm |
≤ 20 μm |
|
BOW |
≤ 10 μm |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
|
WARP |
≤ 12 μm |
≤ 20 μm |
≤ 30 μm |
|
Buitekant uitsluiting |
≤ 2 mm |
||
|
Patroon specificatie |
Vormstructuur |
Koepel, kegel, piramide. |
|
|
Patroonhoogte |
10,6 tot 1,8 μm |
||
|
Patroondiameter |
20,75 tot 2,85 μm |
||
|
Patroonruimte |
0.1 tot en met 0,3 μm |
||
Aanpassingsspecificaties:
* Nanometerpatroon van saffiersubstraat ((NPSS).
* Sapphire PSS van verschillende oriëntatie.
1Verbeterde LED-licht-extractie-efficiëntie: PSS verbetert de LED-licht-extractie-efficiëntie door interne reflectie te verminderen en het licht door oppervlaktepatronen te verhogen.
2Verbeterde kristalkwaliteit: Patroonvormige oppervlakken helpen bij het verminderen van gebreken in de epitaxiale groei en verbeteren de kristalkwaliteit.
3Verbeterde warmteafvoerprestaties: De gemodelleerde structuur verhoogt het warmteafvoergebied en helpt de bedrijfstemperatuur van de LED te verlagen.
4Lagere kosten: hogere lichtdoeltreffendheid en rendement verminderen materiaalverspilling en lagere productiekosten.
1V: Wat is het verschil tussen PSS en platte saffiersubstraten?
A: PSS: heeft een gemodelleerd oppervlak dat de lichtextractie verbetert en de kwaliteit van de kristalgroei verbetert.
Platte saffiersubstraten: hebben een glad oppervlak, wat resulteert in een lagere lichtextractie-efficiëntie en een hogere interne reflectie.
2. V: Wat zijn de gemeenschappelijke patronen die in PSS worden gebruikt?
A: Piramidepatronen: Efficiënt voor lichtextractie en epitaxiale groei.
Kegelpatronen: Vergelijkbaar met piramides, maar met afgeronde puntjes.
Micro-Lens Arrays: geoptimaliseerd voor maximale lichtuitgang.
Hexagonale patronen: zorgen voor een uniforme lichtverdeling en verbeterde kristalgroei.
3V: Waarom wordt saffier gebruikt als substraat voor PSS?
A: Hoge transparantie: ideaal voor lichtemitterende toepassingen.
Chemische stabiliteit: bestand tegen harde chemische omgevingen.
Thermische stabiliteit: kan hoge temperaturen weerstaan tijdens de productie van LED's.
Kosteneffectiviteit: relatief betaalbaar in vergelijking met andere substraten zoals siliciumcarbide (SiC).
Tag: #Patterned Sapphire Substrate (PSS), #Sapphire wafer, #Platte zaffirsubstraten, #Hardheid 9.0, #PSS, #NPSS, #Lichtdioden (LED's), #LED-productie, #GaN-gebaseerde energieapparaten
Video
Video
Video
Video
Video
Video
