6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 Enig Kristal
4inch c-Vlak Enig of Dubbel Kant Opgepoetst Al2O3 van Sapphire Wafer Enig Kristal
het vliegtuig Enig Crystal Sapphire Wafer van 4inch Dia100mm A
de as Enig Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates van 2inch Dia50mm C
8inch Dia 159mm Enig Crystal Sapphire Wafer For Epi - Klaar Drager
r-As van 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch poetste het c-vlakke (1-102) (10-10) saffierwafeltje, dia200mm-saffiersubstraten, c-As 2-6inch dubbele kant saffierwafeltje voor geleide epi-klaar, saffiersubstraten, Al2O3 kristal optische lens, Dubbele Kant Opgepoetste SSP Oppervlakte 8“ op Sapphire Carrier
Richtlijn
- R-as (10-12)
- C-as (0001)
- A-as (11-20)
- M-as (11-10)
A-vlakke saffiersubstraten - gewoonlijk voor hybride micro-electronische toepassingen gebruikt worden die een eenvormige diëlektrische constante en hoogst het isoleren kenmerken vereisen.
C-vlakke substraten - neig om voor lll-v en samenstellingen ll-Vl, zoals GaN, voor heldere blauwe en groene leiden en laserdioden worden gebruikt.
R-vlakke substraten - deze hebben voor het hetero-epitaxial die deposito van silicium de voorkeur in micro-electronische IC-toepassingen wordt gebruikt.
Eigenschap
- Alle richtlijnen zijn beschikbaar, is de douanerichtlijn welkom
- De wafeltjegrootte van 2 tot 6 duim is beschikbaar voor alle types
- Dun wafeltje neer aan 250um voor 2 duim, 300um voor 4 duim en 300um voor 6 duim
Specificaties van Sapphire Wafer, 6 duim, c-Vliegtuig (0001), Eerste Rang
| Materiaal |
Hoge Zuiverheid, >99.99%, enig kristalal2O3 |
| Afmeting |
150,0 mm +/- 0,05 mm |
| Dikte |
um 1300 +/- um 25 (SSP), um 600 +/- um 25 (DSP) |
| Richtlijn |
C vliegtuig (0001) vliegtuig 0,2 +/- 0,05 graden van van M (1-100) |
| Primaire vlakke richtlijn |
A-vliegtuig +/- 1 graad |
| Totale Diktevariatie (TTV) |
<20um>
|
| Boog |
<25um>
|
| Afwijking |
<25um>
|
| Thermische Uitbreidingscoëfficiënt |
6.66 x 10-6 / °C parallel aan c-as, 5 x 10-6/°C |
| Diëlektrische Sterkte |
4.8 x 105 V/cm |
| Diëlektrische Constante |
11.5 (1 Mhz) langs c-as, (1 Mhz) loodlijn 9,3 aan c-as |
| Diëlektrische Verliesraaklijn (a.k.a-dissipatiefactor) |
minder dan 1 x 10- 4 |
|
Overbrenging:
|
88% +/- 1% @460 NM |
Elektrische Eigenschappen van Saffier
Weerstandsvermogen, Ohm x cm bij 200-500 °C: 1011 - 1016
Diëlektrische constante: 10.0
Diëlektrische sterkte, V/cm: 4 x 105
Verliesraaklijn: 1 x 10-4
Toepassing
- De groeisubstraat voor IIIV en IIVI samenstellingen
- Elektronika en opto-elektronica
- De toepassingen van IRL
- Silicium op Sapphire Integrated Circuit (S.O.S.)
- Radiofrequentiegeïntegreerde schakeling (RFIC)
Productvertoning
Verpakking van saffierwafeltjes
FAQ:
Q: Wat is uw MOQ?
A: (1) voor inventaris, is MOQ 10pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ omhoog 25pcs.
Q: Wat is de manier om en kosten te verschepen?
A: (1) wij keuren DHL, Fedex, EMS enz. goed
(2) als u uw eigen uitdrukkelijke rekening hebt, is het groot. Als niet, konden wij u helpen hen verschepen.
De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.
Q: Wat is de levertijd?
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 3 weken na u plaats de orde.
Q: Hebt u standaardproducten?
A: Onze standaardproducten in stock.as zoals 4inch 0.65mm, 0.5mm poetsten wafeltje op.
Q: Hoe te betalen?
A: 50%deposit, verlaten vóór levering T/T,
Q: Kan die ik de producten op mijn behoefte worden gebaseerd aanpassen?
A: Ja, kunnen wij het materiaal, de specificaties en de optische deklaag voor uw optisch aanpassen
componenten op uw behoeften worden gebaseerd die.
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
