logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Thuis ProductenSic Substraat

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

Alle producten
Het Wafeltje van het galliumnitride (35)
Saffierwafeltje (88)
Sic Substraat (132)
Saffier Optische Vensters (77)
IC-Siliciumwafeltje (22)
Synthetische Saffierstaaf (13)
Gesmolten Kwartsplaat (40)
Saffierdelen (114)
Synthetische Halfedelsteen (72)
Halfgeleidermateriaal (55)
LiNbO3 Wafeltje (18)
GaAs Wafeltje (24)
Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)
ceramisch substraat (25)
Laboratoriumomslag (31)
Ik ben online Chatten Nu

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector
2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector 2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector 2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector 2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector 2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector

Grote Afbeelding :  2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: zmsh
Modelnummer: 2inch-6h
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 2PCS
Prijs: 200usd/pcs by FOB
Verpakking Details: in cassettes van enige wafeltjecontainers
Levertijd: Binnen 15days
Levering vermogen: 1000pcs
Contact
Gedetailleerde productomschrijving
Materiaal: SiC eenkristal Industriële sector: met een diameter van niet meer dan 20 mm,
Toepassingen: apparaat,epi-ready wafer, 5G, power electronics, detector, Kleur: Groen, blauw, wit.
Op maat: O.K. Type: 6H-N
Markeren:

sic wafeltje

,

sic substraat

2 inch 6H-Semi-Sic Wafer, op maat gemaakte SIC substraten, 2 inch 6H-N SIC wafers, SIC kristal ingots, Silicon Carbide Wafer

Deze 2 inch 6H semi-isolatieve siliciumcarbide (SiC) wafer is ontworpen voor toepassingen die een laag stroomverbruik vereisen, met name in detectoren.Siliciumcarbide staat bekend om zijn uitzonderlijke hoge temperatuurstabiliteitHet is daarom een ideaal materiaal voor hoogwaardige elektronische apparaten en sensoren.De superieure elektrische isolatie eigenschappen van de wafer en het lage stroomverbruik verbeteren de detector efficiëntie en levensduur aanzienlijkAls een belangrijk onderdeel voor het bereiken van een laagvermogen, hoogwaardige detectietechnologie is deze SiC-wafer geschikt voor verschillende veeleisende toepassingen.

Over Silicon Carbide SiC kristal
  1. Voordeel
  2. • Gebrekkige verstelbaarheid van het rooster
  3. • Hoge warmtegeleidbaarheid
  4. • Een laag energieverbruik
  5. • Uitstekende eigenschappen van de transitie
  6. • Grote bandgap

Toepassingsgebieden

  • 1 elektronische apparaten met hoge frequentie en hoge vermogen Schottky-dioden, JFET, BJT, PiN,
  • Dioden, IGBT, MOSFET
  • 2 opto-elektronische apparaten: voornamelijk gebruikt in GaN/SiC blauwe LED-substraatmateriaal (GaN/SiC)

KARBIDE van silicium materiaal eigenschappen

Vastgoed 4H-SiC, enkel kristal 6H-SiC, enkelkristal
Parameters van het rooster a=3,076 Å c=10,053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapelvolgorde ABCB ABCACB
Hardheid van Mohs ≈9.2 ≈9.2
Dichtheid 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm. Uitbreidingscoëfficiënt 4 × 5 × 10 × 6/K 4 × 5 × 10 × 6/K
Brekingsindex @750 nm

geen = 2.61

ne = 2.66

geen = 2.60

ne = 2.65
Dielectrische constante c~9.66 c~9.66
Thermische geleidbaarheid (N-type, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K

c~3,7 W/cm·K@298K
Thermische geleidbaarheid (halfisolatie)

a~4,9 W/cm·K@298K

c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K

c~3,2 W/cm·K@298K
Band-gap 3.23 eV 30,02 eV
Afbrekend elektrisch veld 3 tot 5 × 106 V/cm 3 tot 5 × 106 V/cm
Velociteit van de verzadigingsdrift 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Standaard specificatie.

2 inch diameter Siliciumcarbide (SiC) Substraatspecificatie
Graad Nul MPD-klasse Productieklasse Onderzoeksgraad Vervaardiging
Diameter 500,8 mm±0,2 mm
Dikte 330 μm±25 μm of 430±25 μm
Waferoriëntatie Buiten de as: 4,0° richting < 1120> ± 0,5° voor 4H-N/4H-SI Op de as: < 0001> ± 0,5° voor 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Gewichtsverlies van de micropipe ≤ 0 cm-2 ≤ 5 cm-2 ≤ 15 cm-2 ≤ 100 cm-2
Resistiviteit 4H-N 0.015­0.028 Ω•cm
6H-N 0.02 tot en met 0,1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Primary Flat {10-10} ± 5,0°
Primaire vlakke lengte 18.5 mm±2.0 mm
Secundaire vlakke lengte 100,0 mm±2,0 mm
Secundaire platte oriëntatie Silicium opwaarts: 90° CW. vanaf Prime flat ±5,0°
Buitekant uitsluiting 1 mm
TTV/Bow/Warp ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm
Ruwheid Pools Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,5 nm
Scheuren door licht van hoge intensiteit Geen 1 toegestaan, ≤2 mm Kumulatieve lengte ≤ 10 mm, enkelvoudige lengte ≤ 2 mm
Hexplaten met licht van hoge intensiteit Cumulatieve oppervlakte ≤ 1% Cumulatieve oppervlakte ≤ 1% Cumulatieve oppervlakte ≤ 3%
Polytypegebieden volgens lichtintensiteit Geen Cumulatieve oppervlakte ≤ 2% Cumulatieve oppervlakte ≤ 5%
Schrammen door licht van hoge intensiteit 3 schrammen tot 1 × waferdiameter cumulatieve lengte 5 schrammen tot 1 × waferdiameter cumulatieve lengte 5 schrammen tot 1 × waferdiameter cumulatieve lengte
edge chip Geen 3 toegestaan, ≤ 0,5 mm elk 5 toegestaan, ≤ 1 mm elk

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector 02 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector 1

ZMKJ levert hoogwaardige enkelkristallen SiC-wafers aan de elektronische en opto-elektronica-industrie.met unieke elektrische eigenschappen en uitstekende thermische eigenschappen In vergelijking met siliciumwafers en GaAs-wafers is SiC-wafers beter geschikt voor apparaten met hoge temperatuur en hoge vermogen.N-typeVoor meer productinformatie kunt u contact met ons opnemen.

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector 2

Verpakking en bezorging

>Verpakkingen ️ Logistiek
We zorgen voor alle details van het pakket, schoonmaak, antistatische, schokbehandeling.

Afhankelijk van de hoeveelheid en vorm van het product, nemen we een ander verpakkingsproces! Bijna door een enkele wafer cassettes of 25pcs cassette in 100 graad schoonmaakkamer.

label:

sic wafeltje,

sic substraat,

het substraat van het siliciumcarbide

Contactgegevens
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Contactpersoon: Mr. Wang

Tel.: +8615801942596

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Sic Substraat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Saphiren wafer Dikte 0,43 mm Saphiren componenten Op maat gemaakte grootte en oriëntatie

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens

2°Off C - Glas Epi van de As het Synthetische Saffier - Klaar Substraten 2 Duimdiameter 50.8mm

Het Wafeltje van het galliumnitride

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Vraag een offerte aan

E-Mail | Sitemap

Mobiele site
Privacybeleid | Break Goed Kwaliteit Het Wafeltje van het galliumnitride Leverancier. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.