8-inch saffier wafer: Synthetisch enkelkristal Al₂O₃ aanpasbaar A/R/M-vlak 4N5-5N hoge zuiverheid

Productoverzicht

De 8-inch (200mm) saffieren wafer is een grootformaat halfgeleider substraat vervaardigd van hoogzuivere synthetische enkelkristallijn (α-Al2O3).Het fungeert als een fundamenteel substraat voor LED-epitaxie, GaN-energieapparaten en RF-opto-elektronicaapparaten in de halfgeleiderindustrie van de derde generatie.en verwerkt door middel van precisieprocedures, met inbegrip van het snijden van meerdere draden, lappen en chemisch mechanisch polijsten.Het combineren van het massaproductievoordeel van een grote diameter met de intrinsieke eigenschappen van saffier,elektrische isolatie en chemische corrosiebestandheid , waardoor de chipproductie effectief wordt verhoogd en de productiekosten per eenheid worden verlaagd, waardoor het een cruciaal basismateriaal wordt in de high-end opto-elektronica en halfgeleiders.

Kerntechnische kenmerken

Verenigbaarheid met massaproductie van grote omvang

Met een grote diameter van 200 mm (8 inch) is het effectieve epitaxiale gebied per wafer 4 keer groter dan dat van wafers van 4 inch.Het is compatibel met grootschalige MOCVD-apparatuur zoals 12-waferreactoren, waardoor de chipproductie per batch aanzienlijk wordt verhoogd en de substraatkosten per chip worden verlaagd.

Hoge zuiverheid enkelkristallijnsysteem

Gemaakt van hoogzuivere alumina-grondstof van 4N5 tot en met 5N-kwaliteit (99,995% tot 99,999%)het heeft een zeshoekige α-fase enkelkristallijnstructuur met een lage dislocatie-dichtheid en een uitstekende kristallijne integriteit, vrij van onzuiverheidssegregatie en lattice-defecten, waardoor de gelijkmatigheid van de epitaxiale filmgroei en het apparaatopbrengst wordt gewaarborgd.

Uitstekende thermische stabiliteit
Met een smeltpunt van 2050°C blijft de kristalstructuur stabiel onder de hoge temperatuur MOCVD-epitaxyomgeving van 1000~1200°C.Het heeft een lage thermische uitbreidingscoëfficiënt en minimale warpage vervorming tijdens hoge temperatuur processen, en kan meerdere hoogtemperatuurcyclusprocessen weerstaan om de consistentie van de groei van de epitaxiale laag te garanderen.

Uitstekende elektrische isolatie en diëlektrische eigenschappen
De intrinsieke hoogzuivere saffier heeft een uitstekende elektrische isolatie met een kamertemperatuurweerstand hoger dan 1014 Ω·cm en een laag dielectriciteitsverlies.Het bereikt een effectieve elektrische isolatie tussen apparaten, onderdrukt lekkage en signaalinterferentie onder hoge spanningsomstandigheden en voldoet aan de prestatievereisten van hoogspannings GaN-kernapparaten en RF-apparaten.

Bewerking van oppervlakken met ultraprecisie op epitaxiale niveau
De epitaxiale oppervlakte wordt behandeld met chemisch mechanisch polijsten (CMP) met een oppervlaktrauwheid Ra ≤ 0,2 nm,het bereiken van platte oppervlakken op atoomniveauDe totale dikte variatie (TTV), boog en warp worden strikt gecontroleerd en voldoen volledig aan de oppervlaktevereisten voor de epitaxiale groei van MOCVD GaN.

Sterke chemische en plasmaweerstand
Safier heeft een extreem sterke chemische inertheid, onoplosbaar in de meeste zuur- en alkalische oplossingen bij kamertemperatuur.Het kan bestand zijn tegen zware procesomgevingen zoals plasma-etsen en natte reiniging bij de vervaardiging van halfgeleiders, met minimale corrosiebeschadiging en verontreiniging door deeltjes op het oppervlak, waardoor de zuiverheid van het proces en de betrouwbaarheid van het apparaat worden gewaarborgd.

Polymorfisme en aangepaste parameterondersteuning

C-vlak (0001) oriëntatie wordt standaard geleverd, terwijl speciale oriëntatie, waaronder A-vlak, R-vlak en M-vlak zijn ook beschikbaar, met aanpasbare off-hoek specificaties.Parameters zoals dikte, kan de randafdeling en de platte/notch worden aangepast aan de behoeften van de klant, aangepast aan de verschillende apparatuurprocessen en apparatuurspecificaties.

Hoge mechanische sterkte en compatibiliteit met naverwerking

Met een Mohs-hardheid van 9, de tweede na diamant, heeft het uitstekende mechanische stijfheid en buigvastheid.PSS-patronering en -metallisatie zonder randsplintering of -kraak, aangepast aan diverse oplossingen voor het proces van apparaten.

Standaard specificaties

Typische toepassingen

1. Opto-elektronisch veld: Blauwe/groene/UV LED-epitaxiale groei, Mini/Micro LED-displaychipfabricage, hoogwaardige productielijnen voor lichtchip
2. Krachthalfgeleiderveld: Epitaxiaal substraat voor op GaN gebaseerde hoogspannings-energieapparaten, sneloplaadende chips, elektrische apparaten voor de automobielindustrie
3. RF- en micro-elektronisch veld: Silicon-on-Sapphire (SOS) RF-geïntegreerde schakelingen, substraten van hoogfrequente microgolfapparaten
4. Optisch en sensorgedeelte: optische ramen met hoge precisie, infrarooddetectieapparaten, MEMS-sensorsubstraten
5. Speciaal halfgeleiderveld: Elektronische apparaten voor hoge temperaturen, stralingsbestendige elektronische componenten voor de luchtvaart

Kwaliteitscontrole

Een kwaliteitscontrolesysteem voor halfgeleiders wordt door het hele proces geïmplementeerd.en een volledig Certificaat van Analyse (COA) kan worden verstrektOnder de inspectiepunten vallen onder meer dimensie-nauwkeurigheidsinspectie, verificatie van de afwijking van de kristaloriëntatie, oppervlaktevlakte- en ruwheidstests, visuele defectenonderzoek (krassen, putten,kantsplintering), schoonheidstests en verpakkingsverzegelingscontroles om de consistentie van de productparameters en de betrouwbaarheid van het proces te waarborgen.

Veelgestelde vragen

Wat is het belangrijkste verschil tussen 8 inch saffieren wafers en kleinere 4/6 inch wafers?           

De 8-inch wafer levert een veel groter bruikbaar epitaxiaal gebied ongeveer 4 keer dat van een 4-inch wafer en 1,8 keer dat van een 6-inch wafer.verhoogt de chipproductie per batch en verlaagt de chipkosten per eenheidHet is beter geschikt voor massaproductielijnen van Mini/Micro LED en hoogspannings GaN-aandrijvingsapparaten, terwijl 4/6-inch-wafers vaker voor R&D en productie van kleine tot middelgrote hoeveelheden worden gebruikt.

Kan de dikte van de 8 inch saffieren wafers aangepast worden?
Ja. Standaard dikte opties omvatten 650μm, 800μm en 1000μm, en aangepaste dikte specificaties kunnen worden geproduceerd om te voldoen aan de eisen van de klant proces.De parameters van de boog en de warp worden streng gecontroleerd voor alle dikteopties om vlakheid en procescompatibiliteit te garanderen..

Biedt u andere kristallen oriëntatie dan C-vlak (0001), en kan de afwijking van de hoek worden aangepast?
Naast de standaard C-vlak voor GaN LED-epitaxie zijn A-vlak, R-vlak en M-vlak oriëntatie beschikbaar voor SOS RF apparaten, niet-polaire GaN apparaten en speciale optische toepassingen.De precieze af-hoek kan ook worden aangepast per tekeningen van de klant of epitaxiale proces behoeften om de epitaxiale film kwaliteit te optimaliseren.

Kan er aan de wafers aanvullende bewerking worden toegepast, zoals PSS-patroonvorming of metallisatie?
Ja, er zijn diensten met toegevoegde waarde beschikbaar, waaronder PSS/NPSS-patterning, volledige of gelokaliseerde achterkantmetallisering, precisie-randkamfering en ultradunne waferverdunneling.De haalbaarheid hangt af van de afmetingen van het patroon, coatingsmaterialen, waferdikte en vereiste mechanische sterkte.

Steunt u kleine prototype bestellingen voor 8 inch saffier wafers?
Ja, prototype hoeveelheden, testpartijen en onderhoudsopdrachten zijn allemaal aanvaardbaar.verwerkingsmoeilijkheden en vereiste kwaliteitsgraad.

Verwante producten

4 inch saffier wafer. Hoogwaardige Al2O3 substraat voor halfgeleiders en optische toepassingen.

Aanpasbaar 0.2mm Monokristallijn Al2O3 Rood Safir Lageren met 9 Mohs Hardheid voor Precision Watch Jewellery Applications