HBN-singlekristal van apparaatkwaliteit voor 2D-materialen, grafeenelektronica en diep-UV-toepassingen

HBN-singlekristal van apparaatkwaliteit voor 2D-materialen, grafeenelektronica en diep-UV-toepassingen

Device-Grade Hexagonal Boron Nitride (hBN) Single Crystal is een hoogzuiver bulkkristalmateriaal dat is gegroeid met behulp van een gepatenteerd groeiproces onder atmosferische druk. Deze kristallen zijn speciaal ontworpen voor geavanceerd onderzoek en elektronische en fotonische apparaten van de volgende generatie en bieden een ultraschoon, atomair vlak platform voor grafeen-heterostructuren, van der Waals-apparaten, nanofotonica en diep-ultraviolette opto-elektronica.

Het materiaal vertoont een uitzonderlijke kristalkwaliteit, lage defectdichtheid, uitstekende diëlektrische sterkte en uitstekende optische eigenschappen. Onafhankelijke validatie door derden heeft aangetoond dat de prestaties van elektronische apparaten vergelijkbaar zijn met of beter zijn dan de huidige academische benchmark van toonaangevende hBN-kristalproducenten.

Device-Grade hBN Single Crystal is verkrijgbaar als bulkkristallen op millimeterschaal met natuurlijke groeifacetten en is een ideaal substraat en inkapselingsmateriaal voor grafeenapparaten met hoge mobiliteit en opkomende tweedimensionale materiaalsystemen.

Belangrijkste kenmerken

• Hoogwaardig hexagonaal boornitride met één kristal (hBN)
• Gepatenteerde kristalgroeitechnologie onder atmosferische druk
• Kristalkwaliteit van apparaatkwaliteit voor geavanceerde onderzoekstoepassingen
• Typische laterale kristalgrootte ≥ 1 mm
• Uitstekende diëlektrische doorslagsterkte
• Ultra-lage Raman-lijnbreedte, wat een lage defectdichtheid aangeeft
• Geschikt voor grafeeninkapseling en heterostructuurfabricage
• Sterke diepe UV-emissie rond 215 nm
• Hoge optische transparantie en grote gebieden met één domein
• Geleverd in een chipdragerverpakking voor gemakkelijk gebruik

Technische specificaties

Elektrische eigenschappen

Optische en Raman-eigenschappen

Apparaatprestaties (referentie)

Toepassingen

Grafeen elektronica

HBN van apparaatkwaliteit wordt veel gebruikt als inkapselingslaag en substraatmateriaal voor grafeentransistors, Hall-apparaten en hoogfrequente elektronische componenten. Het atomair gladde oppervlak minimaliseert ladingsverstrooiing en maakt ultrahoge dragermobiliteit mogelijk.

Tweedimensionale heterostructuren

Het materiaal dient als een kritische bouwsteen in Van der Waals-heterostructuren waarbij grafeen, overgangsmetaaldichalcogeniden (TMD's) en andere opkomende tweedimensionale materialen betrokken zijn.

Nanofotonica

Hoogwaardig hBN ondersteunt de voortplanting van fonon-polariton en wordt steeds vaker gebruikt in nanofotonische apparaten, optische metasurfaces en onderzoek naar kwantumfotonica.

Diepe ultraviolette opto-elektronica

Met karakteristieke bandrandemissie nabij 215 nm zijn hBN-eenkristallen veelbelovende materialen voor diep-UV-stralers, detectoren en fotonische systemen van de volgende generatie.

Kwantummateriaalonderzoek

Onderzoekers gebruiken hBN als een ultraschoon diëlektrisch platform voor het onderzoeken van nieuwe kwantumfenomenen, waaronder moiré-superroosters, gecorreleerde elektronensystemen en kwantumtransport.

Voordelen van hBN Single Crystal van apparaatkwaliteit

Vergeleken met conventionele polykristallijne boornitridematerialen bieden hBN-eenkristallen van apparaatkwaliteit:

• Lagere defectdichtheid
• Grotere domeinen met één kristal
• Superieure elektrische isolatie
• Verbeterde dragermobiliteit in grafeenapparaten
• Betere optische en lichtgevende prestaties
• Verbeterde reproduceerbaarheid voor onderzoek en fabricage van apparaten

Deze eigenschappen maken hBN tot een van de belangrijkste materialen voor moderne tweedimensionale elektronica en fotonische technologieën.

Verpakking en levering

HBN-singlekristallen van apparaatkwaliteit worden geleverd in beschermende chipdragers om veilig transport en gemakkelijke laboratoriumhantering te garanderen. Elke verpakking bevat doorgaans 5 à 10 kristallen met representatieve laterale afmetingen van meer dan 1 mm.

Aangepaste kristalselectie en materiaalinkoop van onderzoekskwaliteit zijn op aanvraag beschikbaar.

Veelgestelde vragen

Wat is hBN Single Crystal van apparaatkwaliteit?

HBN van apparaatkwaliteit is een hoogzuiver monokristal met weinig defecten van hexagonaal boornitride, specifiek geoptimaliseerd voor de fabricage van elektronische, fotonische en kwantumapparaten.

Waarom wordt hBN gebruikt in grafeenapparaten?

hBN biedt een atomair glad en elektrisch isolerend oppervlak dat de mobiliteit van grafeendragers en de prestaties van het apparaat aanzienlijk verbetert in vergelijking met conventionele substraten.

Kan hBN worden gebruikt voor diep-ultraviolette toepassingen?

Ja. Hoogwaardige hBN vertoont bandrandemissie nabij 215 nm, waardoor het aantrekkelijk is voor diep-UV-fotonica, detectoren en opto-elektronische apparaten.

Welke kristalgrootte is beschikbaar?

Standaardkristallen van apparaatkwaliteit bieden doorgaans laterale afmetingen van meer dan 1 mm. Grotere kristallen en aangepaste selecties zijn mogelijk beschikbaar, afhankelijk van de productiebatches.

Is het materiaal geschikt voor onderzoek en prototypeontwikkeling?

Ja. HBN-eenkristallen van apparaatkwaliteit worden veel gebruikt in academisch onderzoek, geavanceerde materiaalstudies, grafeenelektronica, nanofotonica en de fabricage van prototypen van apparaten.