4-inch N-Type P-gedoteerd Si (100) met 100 nm Ti + 200 nm Cu dunne film Cu-film op Ti/Silicon Wafer

Productoverzicht

Deze 4-inch (100 mm) N-type, P-gedoteerde siliciumwafer met <100> kristaloriëntatie is gecoat met een 100 nm Titanium (Ti) hechtinglaag en een 200 nm Koper (Cu) geleidende laag.

De Ti-laag dient als een sterke hechtingbuffer en diffusiebarrière, waardoor de hechting van de Cu-film en de thermische stabiliteit worden verbeterd. De Cu-laag zorgt voor een hoge elektrische geleidbaarheid, waardoor deze wafer geschikt is voor micro-elektronica, MEMS-apparaten, sensoren en onderzoekstoepassingen.

De wafer is enkelzijdig gepolijst (SSP) en wordt geleverd in cleanroomverpakking om contaminatievrije handling te garanderen voor precisietoepassingen.

De dunne-filmstructuur is geoptimaliseerd om een uniforme dikte, consistente elektrische prestaties en betrouwbare hechting te bereiken. De wafer is ideaal voor toepassingen die een hoogwaardige Cu/Ti-interface op siliciumsubstraten vereisen.

Specificaties

Toepassingen

• Halfgeleider interconnectlagen

• MEMS-microstructuren en elektroden

• Sensoren en contactpads

• Onderzoek en ontwikkeling in dunne-film elektronica

• Hoge geleidbaarheid testwafers voor microfabricage

Belangrijkste Kenmerken

• Ti-hechtingslaag zorgt voor sterke Cu-Si-binding

• 200 nm Cu-laag biedt een geleidend pad met lage weerstand

• Ti-laag fungeert als een diffusiebarrière om de thermische stabiliteit te verbeteren

• PVD-depositie zorgt voor consistente dikte en oppervlaktekwaliteit

• Cleanroomverpakking behoudt de reinheid en integriteit van de wafer

Gebruiks- en Opslagopmerkingen

• Hanteer in een cleanroom of een omgeving met weinig stof

• Optimaliseer voor processen bij hoge temperaturen de omstandigheden om Cu/Si-interdiffusie te voorkomen

• Bewaar in een droge omgeving met weinig spanning om de integriteit van de dunne film te behouden

• Vermijd direct contact met het gecoate oppervlak

FAQ

1. Wat is de uniformiteit van de Cu/Ti dunne films op de wafer?
De Ti-hechtingslaag en de Cu-geleidende laag worden afgezet met behulp van hoogvacuüm PVD-technieken, waardoor uniforme dikte over de 4-inch wafer wordt gegarandeerd. De Cu-filmdikte is 200 nm en de Ti-laag is 100 nm, met minimale variatie die geschikt is voor micro-elektronica en onderzoekstoepassingen.

2. Kan deze wafer worden gebruikt in processen bij hoge temperaturen?
Ja, maar voorzorgsmaatregelen worden aanbevolen. De Ti-laag fungeert als een diffusiebarrière om te voorkomen dat Cu in het siliciumsubstraat diffundeert. Het optimaliseren van de temperatuur en de procesomstandigheden wordt aanbevolen om de filmintegriteit en uniformiteit te behouden.

3. Hoe moet de wafer worden opgeslagen en behandeld?
De wafer moet worden behandeld in een cleanroom of een omgeving met weinig stof om contaminatie te voorkomen. Bewaar in een droge omgeving met weinig spanning. Vermijd direct contact met het gecoate oppervlak. Elke wafer wordt geleverd in een 100-klasse plastic zak in een 1000-klasse cleanroomverpakking.

Gerelateerde Producten

Si Gold Plated Silicon Wafers 2inch 4inch 6inch 8inch Metal Coating Materials Au