JGS1 JGS2 Wafers Optische Kwaliteit Gesmolten Kwarts Wafers 2-12 inch
JGS1 en JGS2 zijn beide soorten hoogzuiver synthetisch kwartsglas, voornamelijk samengesteld uit siliciumdioxide (SiO₂). Het fundamentele verschil tussen hen ligt in hun productieprocessen en de resulterende zuiverheid en optische eigenschappen.
•JGS1 wordt geproduceerd met behulp van de Chemical Vapor Deposition (CVD) methode. Het heeft extreem lage metaalverontreiniging (meestal gecontroleerd onder 0,1 ppm) en een zeer laag hydroxyl (OH) gehalte (<5 ppm). Dit verleent het uitzonderlijke transmissie in het diepe ultraviolette (DUV) spectrum (bijv. meer dan 85% transmissie bij 185 nm golflengte voor een 10 mm dikke blank). Verder heeft het minimale interne bellen en strepen, wat een extreem hoge optische homogeniteit biedt.
•JGS2 wordt typisch geproduceerd met behulp van de waterstof-zuurstof vlamfusie methode. Het heeft een relatief hoger metaalverontreinigingsgehalte (ongeveer 1 ppm) en een hoger hydroxylgehalte (meestal 30-50 ppm). Dit resulteert in goede prestaties van het ultraviolette (UV) tot nabij-infrarood (NIR) spectrum (meestal >80% transmissie bij 220 nm golflengte), maar het vertoont een significante absorptieband in het bereik van 2600-2800 nm. De interne structuur kan kleine bellen, korrelige structuren of rotatiestrepen bevatten.
In eenvoudige termen, JGS1 vertegenwoordigt het streven naar ultieme UV-transmissie en ultra-hoge prestaties ("hoge zuiverheid"), terwijl JGS2 een meer kosteneffectieve keuze biedt en tegelijkertijd voldoet aan de behoeften van de meeste UV- en zichtbare lichttoepassingen.
Kwarts Wafer JGS1 JGS2 Belangrijkste Kenmerken
Voor een intuïtieve vergelijking worden de belangrijkste kenmerken van JGS1 en JGS2 samengevat in de onderstaande tabel.
| Kenmerk Dimensie |
JGS1 (Verre Ultraviolet Optisch Kwartsglas) |
JGS2 (Ultraviolet Optisch Kwartsglas) |
| Optisch Transmissiebereik |
185 nm - 2500 nm
|
220 nm - 2500 nm
|
| Transmissie @185nm/220nm |
>85% @185nm (10mm dik)
|
>80% @220nm (10mm dik)
|
| 2600-2800nm Absorptie |
Aanwezigheid van sterke absorptieband
|
Aanwezigheid van sterke absorptieband
|
| Metaalverontreinigingsgehalte |
Extreem Laag (ongeveer 0,1 ppm)
|
Relatief Laag (ongeveer 1 ppm)
|
| Hydroxyl (OH) Gehalte |
Zeer Laag (<5 ppm)
|
Hoger (30-50 ppm)
|
| Interne Defecten |
Zeer weinig bellen en strepen, extreem hoge optische homogeniteit
|
Kan kleine bellen, korrelige structuren of rotatiestrepen bevatten
|
| Thermische Coëfficiënt van Brekingsindex (dn/dT) |
Relatief Hoger |
Lager (bijv. ~1,2×10⁻⁶/℃ @1550nm), superieure thermische stabiliteit
|
| Oppervlakte Micro-Ruwheid |
Extreem Laag (RMS kan 0,2 nm bereiken), geschikt voor λ/20 bewerkingsvereisten |
Hoge oppervlakte hydroxyl dichtheid na HF-behandeling, wat een ideale interface voor coating biedt |
| Typisch Productieproces |
Chemische Dampafzetting (CVD)
|
Waterstof-Zuurstof Vlamfusie
|
Naast de belangrijkste kenmerken in de bovenstaande tabel, delen ze ook een aantal uitstekende gemeenschappelijke kwaliteiten:
•Hoge Hittebestendigheid:Verzachtingspunt rond 1683°C, bestand tegen continue bedrijfstemperaturen van 1100°C.
•Lage Thermische Expansiecoëfficiënt:Ongeveer 5,15×10⁻⁷/℃ (bij 100°C), wat duidt op een goede thermische stabiliteit.
•Goede Chemische Stabiliteit:Bestand tegen verschillende zuren en basen.
•Relatief Hoge Mechanische Sterkte:Mohs hardheid van ongeveer 7.
JGS1 JGS2 Kwarts wafer Belangrijkste Toepassingen
Vanwege hun unieke eigenschappen worden JGS1 en JGS2 gebruikt in verschillende high-end velden.
JGS1 Toepassingen (Het Streven naar Ultieme UV Prestaties)
Vanwege de extreem hoge UV-transmissie en ultra-lage onzuiverheden, wordt JGS1 voornamelijk gebruikt in:
- Halfgeleider Lithografie: Een belangrijk materiaal voor optische componenten (bijv. lenzen, maskerplaten) in Deep Ultraviolet (DUV) lithografiesystemen. De zuiverheid ervan beïnvloedt direct de lijnbreedte en de opbrengst van de chipfabricage.
- High-End UV Lasersystemen: Gebruikt voor de productie van optische vensters en lenzen in excimeerlasers en UV-laserverwerkingsapparatuur, bestand tegen hoogenergetische laserstraling.
- Precisie Optische Detectie en Sensing: Gebruikt in kernoptische componenten van ozonmonitoringsensoren, UV-spectrometers en andere scenario's die diepe UV-transmissie vereisen.
- Optische Communicatie Filterapparaten: In Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) systemen maken het ultra-lage verlies en de uitstekende spectrale stabiliteit (transmissiefluctuatie <0,1%/nm in de C-band) het zeer geschikt voor substraten van filters zoals Arrayed Waveguide Gratings (AWG), waardoor de kanaalafstand kan worden samengedrukt tot 50 GHz.
JGS2 Toepassingen (Balans tussen Prestaties en Kosten)
De goede prestaties van JGS2 in de UV tot NIR regio geven het een breed scala aan toepassingen:
- Vezeloptische Communicatie: Gebruikt voor de productie van optische connectoren, optische isolatorvensters, enz. De superieure thermische stabiliteit (lagere dn/dT) is waardevol voor optische spiegels die temperatuurcompensatie vereisen, met een reflectie tot 99,998% bij 1550 nm.
- Industriële UV-verwerking: Gebruikt voor lamphuizen en observatievensters in hogedrukkwiklampen en UV-sterilisatieapparatuur, evenals algemene UV-optische vensters.
- Algemene Optische Componenten: Een kosteneffectieve keuze voor de productie van conventionele optische elementen zoals lenzen, prisma's en spiegels, vaak te vinden in optische instrumenten zoals microscopen en telescopen.
- Andere Lithografie Processtappen: Hoewel niet direct gebruikt in de meest geavanceerde lithografie kernlenzen, kan het worden gebruikt in andere stappen of apparatuur die UV-transmissie vereisen waar ultieme prestaties niet cruciaal zijn.
Kwarts Wafer JGS1 JGS2 Fysische Eigenschap
| Mechanische Eigenschappen |
| Dichtheid/g/cm³ |
2.2 |
| Mohs hardheid |
6-7 |
| Druksterkte |
1100 |
| Treksterkte |
50 |
| Buigsterkte |
65 |
| Torsiesterkte |
30 |
| Young's Modulus |
7.5 * 104 GPa |
| Poisson Ratio |
0.17 |
| Elektrische Eigenschappen |
| Diëlektrische Constante (10GHz) |
3.74 |
| Verliesfactor (10GHz) |
0.0002 |
| Diëlektrische Sterkte (10GHz) |
3.7 * 107 V·m |
| Weerstand (20℃) |
1 * 1020 Ω·m |
| Weerstand (1000℃) |
1 * 108 Ω·m |
| Thermische Eigenschappen |
| Verzachtingspunt |
1080 |
| Gloeipunt |
1180 |
| Verzachtingspunt |
1630 |
| Thermische Geleidbaarheid (20℃) |
1.4 |
| Specifieke Warmte (20 ℃) |
670 |
(20–320℃)Expansiecoëfficiënt:
30℃–600℃ |
5.5 * 10-7 |
Gerelateerde productaanbevelingen
1. Through Glass Vi (TGV) JGS1 JGS2 Saffier BF33 Kwarts Aanpasbare Afmetingen
2. Kwartsglas Gesmolten Silica Stralingsafschermingsvensters JGS1/JGS2/JGS3 Transparant UV
Kwarts Wafer JGS1 JGS2 FAQ
1. V: Wat is het verschil tussen JGS1 en JGS2 gesmolten silica wafers?
A: JGS1 biedt superieure diepe ultraviolette (DUV) transmissie dankzij de extreem lage metaalverontreinigingen en hydroxylgehalte, terwijl JGS2 kosteneffectieve prestaties biedt voor UV tot nabij-infrarood toepassingen, maar met een hoger OH-gehalte en een significante absorptieband bij 2600-2800 nm.
2. V: Welke toepassingen zijn het meest geschikt voor JGS1 versus JGS2 wafers?
A: JGS1 is ideaal voor diepe UV-toepassingen zoals halfgeleiderlithografie en excimeerlasers, terwijl JGS2 vaak wordt gebruikt in algemene UV-optiek, glasvezelcommunicatie en industriële UV-verwerking waar extreme DUV-prestaties niet cruciaal zijn.
Tags: #JGS1 JGS2 Wafers, #Custom, #Optische Kwaliteit, #Gesmolten Kwarts Wafers, #2-12 inch
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
