Productdetails
Plaats van herkomst: China
Merknaam: zmsh
Betalings- en verzendvoorwaarden
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling
De Customized Silicon Carbide (SiC) Ceramic Boat Carrier is een high-performance wafer handling oplossing ontworpen voor halfgeleider, fotovoltaïsche en LED productieprocessen.Ontworpen voor hoge temperatuurstabiliteitDeze drager zorgt voor een veilig en efficiënt transport van wafers in veeleisende omgevingen zoals CVD, diffusieovens en oxidatiekamers.
Belangrijkste voordelen van SiC-keramische boot
Hoge thermische stabiliteit ️ Tegen temperaturen tot 1.600°C bestand zonder vervorming.
Chemische traagheid ️ Weerstand biedt tegen zuur-, alkalis- en plasma-erosie, waardoor het duurzaam blijft.
Laag deeltjesopwekking ️ Vermindert de verontreiniging in EUV en geavanceerde knoopfabricage.
Aanpasbaar ontwerp ️ Geschikt voor wafergrootte, slotpitch en hanteervereisten
Ideaal voor halfgeleiderfabrieken, MEMS-productie en verwerking van samengestelde halfgeleiders
Specificatie
Siliconcarbide-gehalte | - | % | > 99.5 |
Gemiddelde korrelgrootte | - | micron | 4 tot 10 |
Bulkdichtheid | - | kg/dm^3 | > 3.14 |
Lichte porositeit | - | Vol % | < 0.5 |
Vickers hardheid | HV0.5 | KG/mm^2 | 2800 |
Modulus van scheur (3 punten) | 20°C | MPa | 450 |
Compressievermogen | 20°C | MPa | 3900 |
Elasticiteitsmodule | 20°C | GPa | 420 |
Fractuursterkte | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Warmtegeleidbaarheid | 20°C | W (((m*K) | 160 |
Elektrische weerstand | 20°C | Ohm.cm | 10^6-10^8 |
Coëfficiënt van thermische uitbreiding | a. (RT"800°C) |
K^-1*10^-6 | 4.3 |
Max. toepassingstemperatuur | Oxide-atmosfeer | °C | 1600 |
Max. toepassingstemperatuur | Inerte atmosfeer | °C | 1950 |
Toepassingen van SiC-keramische boot
1Vervaardiging van halfgeleiders
✔ Difusie- en gloeioven
- Hoogtemperatuurstabiliteit 1 600°C (oxiderend) / 1 950°C (inert) zonder vervorming.
- Lage thermische expansie (4.3×10−6/K)
✔ CVD en epitaxie (SiC/GaN-groei)
- Gascorrosiebestendigheid Inert tegen SiH4, NH3, HCl en andere agressieve voorlopers.
- Deeltjesvrij oppervlak Polished (Ra < 0,2 μm) voor defectvrije epitaxiale afzetting.
✔ Ionimplantatie
- Stralingsgehard: geen afbraak door ionische bombardementen.
2. Power Electronics (SiC/GaN-apparaten)
✔ Verwerking van SiC-wafers
- CTE-matching (4.3×10−6/K) ️ Minimaliseert stress bij een epitaxiale groei van meer dan 1500°C.
- Hoge thermische geleidbaarheid (160 W/m·K)
✔ GaN-op-SiC-apparaten
- Niet-verontreinigend. Geen ionen vrijkomen.
3Productie van fotovoltaïsche (zonnecel)
✔ PERC & TOPCon zonnecellen
- POCl3 Diffusieresistentie
- Lange levensduur: 5-10 jaar tegenover 1-2 jaar voor kwartsboten.
✔ Thin-film zonne-energie (CIGS/CdTe)
- Corrosiebestand
4. LED & Opto-elektronica
✔ Mini-/micro-LED-epitaxy
- Precision Slot Design
- Compatibel met de cleanroom. Voldoet aan de SEMI F57 deeltjesnormen.
5Onderzoek en speciale toepassingen
✔ High-Temp materiaal synthese
- Sinteringsmiddelen (bv. B4C, AlN)
- Kristalgroei (bijv. Al2O3, ZnSe) Non-reactief met gesmolten materialen.
Veelgestelde vragen
Q1:Welke wafergroottes worden ondersteund?
Standaard: 150 mm (6"), 200 mm (8"), 300 mm (12").
Q2: Wat is de doorlooptijd voor op maat gemaakte ontwerpen?
- Standaardmodellen: 4 à 6 weken.
- Volledig op maat: 8-12 weken (afhankelijk van de complexiteit).