logo
PRODUCTEN
PRODUCTEN
Huis > PRODUCTEN > ceramisch substraat > Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling

Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling

Productdetails

Plaats van herkomst: China

Merknaam: zmsh

Betalings- en verzendvoorwaarden

Krijg Beste Prijs
Markeren:

Keramische bootdrager voor waferbehandeling

,

Gepersonaliseerde keramische bootdrager

,

SiC-keramische bootdrager

Material:
SiC Ceramic
Size:
Customized
Material:
SiC Ceramic
Size:
Customized
Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling

Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling


De Customized Silicon Carbide (SiC) Ceramic Boat Carrier is een high-performance wafer handling oplossing ontworpen voor halfgeleider, fotovoltaïsche en LED productieprocessen.Ontworpen voor hoge temperatuurstabiliteitDeze drager zorgt voor een veilig en efficiënt transport van wafers in veeleisende omgevingen zoals CVD, diffusieovens en oxidatiekamers.

 

Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling 0Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling 1

 


 

Belangrijkste voordelen van SiC-keramische boot

 

Hoge thermische stabiliteit ️ Tegen temperaturen tot 1.600°C bestand zonder vervorming.


Chemische traagheid ️ Weerstand biedt tegen zuur-, alkalis- en plasma-erosie, waardoor het duurzaam blijft.


Laag deeltjesopwekking ️ Vermindert de verontreiniging in EUV en geavanceerde knoopfabricage.


Aanpasbaar ontwerp ️ Geschikt voor wafergrootte, slotpitch en hanteervereisten

Ideaal voor halfgeleiderfabrieken, MEMS-productie en verwerking van samengestelde halfgeleiders

 

 

Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling 2Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling 3

 


 

Specificatie

 

Siliconcarbide-gehalte - % > 99.5
Gemiddelde korrelgrootte - micron 4 tot 10
Bulkdichtheid - kg/dm^3 > 3.14
Lichte porositeit - Vol % < 0.5
Vickers hardheid HV0.5 KG/mm^2 2800
Modulus van scheur (3 punten) 20°C MPa 450
Compressievermogen 20°C MPa 3900
Elasticiteitsmodule 20°C GPa 420
Fractuursterkte - MPa/m^1/2 3.5
Warmtegeleidbaarheid 20°C W (((m*K) 160
Elektrische weerstand 20°C Ohm.cm 10^6-10^8
Coëfficiënt van thermische uitbreiding a.
(RT"800°C)
K^-1*10^-6 4.3
Max. toepassingstemperatuur Oxide-atmosfeer °C 1600
Max. toepassingstemperatuur Inerte atmosfeer °C 1950
 

 


 

 

Toepassingen van SiC-keramische boot

 

1Vervaardiging van halfgeleiders
✔ Difusie- en gloeioven
- Hoogtemperatuurstabiliteit 1 600°C (oxiderend) / 1 950°C (inert) zonder vervorming.
- Lage thermische expansie (4.3×10−6/K)

✔ CVD en epitaxie (SiC/GaN-groei)
- Gascorrosiebestendigheid Inert tegen SiH4, NH3, HCl en andere agressieve voorlopers.
- Deeltjesvrij oppervlak Polished (Ra < 0,2 μm) voor defectvrije epitaxiale afzetting.

✔ Ionimplantatie
- Stralingsgehard: geen afbraak door ionische bombardementen.

 

 

2. Power Electronics (SiC/GaN-apparaten)
✔ Verwerking van SiC-wafers
- CTE-matching (4.3×10−6/K) ️ Minimaliseert stress bij een epitaxiale groei van meer dan 1500°C.
- Hoge thermische geleidbaarheid (160 W/m·K)

✔ GaN-op-SiC-apparaten
- Niet-verontreinigend. Geen ionen vrijkomen.

 

 

3Productie van fotovoltaïsche (zonnecel)
✔ PERC & TOPCon zonnecellen
- POCl3 Diffusieresistentie
- Lange levensduur: 5-10 jaar tegenover 1-2 jaar voor kwartsboten.

✔ Thin-film zonne-energie (CIGS/CdTe)
- Corrosiebestand

 

 

4. LED & Opto-elektronica
✔ Mini-/micro-LED-epitaxy
- Precision Slot Design
- Compatibel met de cleanroom. Voldoet aan de SEMI F57 deeltjesnormen.

 

 

5Onderzoek en speciale toepassingen
✔ High-Temp materiaal synthese
- Sinteringsmiddelen (bv. B4C, AlN)
- Kristalgroei (bijv. Al2O3, ZnSe) Non-reactief met gesmolten materialen.

 


 

Veelgestelde vragen

 

Q1:Welke wafergroottes worden ondersteund?

Standaard: 150 mm (6"), 200 mm (8"), 300 mm (12").

 

Q2: Wat is de doorlooptijd voor op maat gemaakte ontwerpen?

- Standaardmodellen: 4 à 6 weken.
- Volledig op maat: 8-12 weken (afhankelijk van de complexiteit).