Op maat gemaakte SiC-keramische bootdrager voor waferbehandeling

Aangepaste SiC keramische bootdrager voor wafer handling

 
De aangepaste Silicon Carbide (SiC) keramische bootdrager is een hoogwaardige wafer handling oplossing ontworpen voor processen in de halfgeleider-, fotovoltaïsche en LED-industrie. Ontworpen voor hoge temperatuurstabiliteit, chemische bestendigheid en ultra-lage contaminatie, zorgt deze drager voor veilig en efficiënt wafertransport in veeleisende omgevingen zoals CVD, diffusieovens en oxidatiekamers.
 

Belangrijkste voordelen van SiC keramische boot

 
Hoge thermische stabiliteit – Bestand tegen temperaturen tot 1.600°C zonder vervorming.
Chemische inertheid – Bestand tegen zuren, logen en plasma-erosie, wat zorgt voor duurzaamheid op lange termijn.
Lage deeltjesgeneratie – Minimaliseert contaminatie in EUV en geavanceerde node fabricage.
Aanpasbaar ontwerp – Op maat gemaakt voor wafergrootte, sleufafstand en handling-eisen
Ideaal voor halfgeleiderfabrieken, MEMS-productie en compound halfgeleiderverwerking
 
 

Specificatie

Toepassingen van SiC keramische boot

 
1. Halfgeleiderfabricage
✓ Diffusie- en gloeiovens
- Hoge temperatuurstabiliteit – Bestand tegen 1.600°C (oxiderend) / 1.950°C (inert) zonder vervorming.
- Lage thermische uitzetting (4.3×10⁻⁶/K) – Voorkomt wafervervorming in snelle thermische processen (RTP).
✓ CVD & Epitaxie (SiC/GaN groei)
- Gascorrosiebestendigheid – Inert voor SiH₄, NH₃, HCl en andere agressieve precursors.
- Deeltjesvrij oppervlak – Gepolijst (Ra <0.2µm) voor defectvrije epitaxiale depositie.
✓ Ionenimplantatie
- Stralingsgehard – Geen degradatie onder hoogenergetische ionenbombardement.
 
 
2. Vermogenselektronica (SiC/GaN-apparaten)
✓ SiC waferverwerking
- CTE-matching (4.3×10⁻⁶/K) – Minimaliseert spanning in 1.500°C+ epitaxiale groei.
- Hoge thermische geleidbaarheid (160 W/m·K) – Zorgt voor uniforme waferverwarming.
✓ GaN-op-SiC-apparaten
- Niet-contaminerend – Geen metaalionenafgifte vs. grafietboten.
 
 
3. Fotovoltaïsche (zonnecel) productie
✓ PERC & TOPCon zonnecellen
- POCl₃ diffusiebestendigheid – Bestand tegen fosfordopingomgevingen.
- Lange levensduur – 5-10 jaar vs. 1-2 jaar voor kwartsboten.
✓ Dunne-film zonnecellen (CIGS/CdTe)
- Corrosiebestendigheid – Stabiel in H₂Se, CdS depositieprocessen.
 
 
4. LED & Opto-elektronica
✓ Mini/Micro-LED epitaxie
- Precisie sleufontwerp – Houdt fragiele 2"–6" wafers vast zonder randbeschadiging.
- Cleanroom-compatibel – Voldoet aan SEMI F57-deeltjesnormen.
 
 
5. Onderzoek & Speciale toepassingen
✓ Hoge-temperatuur materiaalsynthese
- Sinterhulpmiddelen (bijv. B₄C, AlN) – Chemisch inert in 2.000°C+ omgevingen.
- Kristalgroei (bijv. Al₂O₃, ZnSe) – Niet-reactief met gesmolten materialen.
 

FAQ

 
V1:Welke wafermaten worden ondersteund?
Standaard: 150 mm (6"), 200 mm (8"), 300 mm (12"). Maatwerk beschikbaar op aanvraag.
 
V2: Wat is de doorlooptijd voor aangepaste ontwerpen?
- Standaardmodellen: 4–6 weken.
- Volledig aangepast: 8–12 weken (afhankelijk van de complexiteit).