Precision Sapphire Lift Pins Single Crystal Al2O3 slijtagebestendige voor hoge nauwkeurigheid wafer positionering
Sapphire liftpins zijn precisiemechanische componenten vervaardigd van zuivere enkelkristallen saffieren, ontworpen voor zeer nauwkeurige positionering, hoge temperatuur weerstand,en slijtageintensieve toepassingen . ZMSH biedt diensten voor volledige aanpassing van parameters (met inbegrip van diameter, lengte, oppervlakte ruwheid en crystallografische oriëntatie optimalisatie),ondersteuning van snelle levering van kleine partijen om te voldoen aan de extreme prestatievereisten van halfgeleiders, medische, ruimtevaart- en industriële sectoren.
Belangrijkste kenmerken
1. Ultrahoge mechanische sterkte: met een druksterkte van meer dan 300 000 psi kunnen deze pinnen hoge hefdrukken (bijv.12 inch wafersystemen voor de vervaardiging van halfgeleiders).
2. Hoogtemperatuurstabiliteit: werkt continu bij 1500°C en verdraagt kortdurende blootstelling tot 2050°C (ideaal voor lasersweis of plaatsing in de verbrandingskamer).
3. lage wrijvingscoëfficiënt: de wrijvingscoëfficiënten na het polijsten < 0,15 minimaliseren het energieverlies tijdens precisiebewegingen (bijv. bij de aanpassing van de lithografie-stadium).
4. Chemische traagheid: bestand tegen sterke zuren, alkalis en organische oplosmiddelen, geschikt voor cleanrooms en omgevingen met halfgeleideretsen.
Technische parameters
| Chemische samenstelling |
Monokristallijn Al2O3 |
| Hardheid |
9Mohs |
| Optische aard |
Eenassig |
| Brekingsindex |
1.762-1.770 |
| Birefringence |
0.008-0.010 |
| Verspreiding |
laag, 0.018 |
| Glanster |
Glasvloeistoffen |
| Pleochroïsme |
Gematigd tot sterk |
| Diameter |
0.4mm-30mm |
| Tolerantie van de diameter |
0.004mm-0.05mm |
| lengte |
2 mm-150 mm |
| lengtetolerantie |
0.03mm-0.25mm |
| Oppervlakte kwaliteit |
40/20 |
| Rondheid van het oppervlak |
RZ0.05 |
| Aangepaste vorm |
beide uiteinden plat, een eindradius, beide uiteinden radius,
met een gewicht van niet meer dan 50 kg |
Primaire toepassingen
(1) Vervaardiging van halfgeleiders.- Ik weet het niet.
- Ik weet het niet.· Wafersystemen : Bereiken van ± 1 μm positioneel accuraatheid in 12-inch waferfabrieken, met een duurzaamheid van 200 cycli/uur.
- Ik weet het niet.· Fotolithografie Stage kalibratie : Compenseer voor de thermische uitbreiding van siliciumwafers (thermische uitbreidingscoëfficiënt: 5,3 × 10−7/°C) via aanpassingen op nanometerschaal.
- Ik weet het niet.(2) Medische hulpmiddelen- Ik weet het niet.
- Ik weet het niet.· Chirurgische robotkatheters : Ultra dunwoudbuizen (< 50 μm) maken minimaal invasieve vasculaire ingrepen mogelijk zonder weefselbeschadiging.
- Ik weet het niet.· Kalibratie van radiotherapieapparatuur : In protontherapie-systemen de stralingsfocalen met een precisie van ±0,01 mm aanpassen.
- Ik weet het niet.(3) Luchtvaart en defensie- Ik weet het niet.
- Ik weet het niet.· Raket Vector Control : In standstillingsmechanismen gebruikt, bestand tegen thermische cyclus van -196°C tot 1.200°C.
· Satellietoptische systemen : Bescherm buitenste ladingen tijdens ruimtemissies, en houd de functionaliteit onder vacuüm en straling.
- Ik weet het niet.(4) Industrie en onderzoek - Ik weet het niet.
- Ik weet het niet.· Elektronenmicroscopiefasen : In staat stellen om ±5 nm te positioneren in 10−10 mbar vacuümomgeving.
· Kernfusie-reactoren : bestand tegen neutronenbestraling (> 1015 n/cm2) en plasma-erosie gedurende > 100 000 cycli.
Veelgestelde vragen
- Ik weet het niet.
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
