details van de producten

Huis PRODUCTEN

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking

Merknaam:	ZMSH
Modelnummer:	SiC-keramische bakken
Leveringstermijn:	2-4 weken
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Certificering:

rohs

Productnaam:

Het dienblad van het siliconecarbide

Materiaal:

ceramisch siliconecarbide

Kleur:

Vlak

Zuiverheid:

99.999%

Tolerantie:

± 0,001 mm

Toepassing:

Epitaxial de Groeiverwerking

Grootte:

aangepaste maat

Markeren:

Siliciumcarbide keramische bakken Plaat

Verwerking van epitaxiale groei Keramische bakken Plaat

ICP Etsen Proces Keramische bakken Plaat

Productomschrijving

Productbeschrijving

SiC Silicon Carbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Gebruik voor epitaxiale groei verwerking

Non-oxide keramiek, siliciumcarbide keramiek (SiC) is een superhard materiaal met een hardheid tot 9,5 op de Mohs-schaal.Siliciumcarbide-keramiek heeft niet alleen uitstekende mechanische eigenschappen bij kamertemperatuur, zoals hoge buigsterkte, uitstekende oxidatiebestendigheid, goede corrosiebestendigheid, hoge slijtvastheid en lage wrijvingscoëfficiënt, maar ook uitstekende mechanische eigenschappen (sterkte,de slijtvastheid) bij hoge temperaturen, en de hoge temperatuursterkte kan tot 1600 °C worden gehandhaafd, wat de beste onder alle keramische materialen is.De oxidatiebestendigheid van siliciumcarbideceramica is ook de beste van alle niet-oxideceramica.

Kenmerken

- Vermijd schillen en zorg ervoor dat alle oppervlakken zijn bekleed

Hoogtemperatuur oxidatiebestendigheid: stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C

Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampdepositie onder hoge temperatuurchlorinatie.

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 1

Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak, fijnstof.

Corrosiebestendigheid: bestand tegen zuren, alkalis, zouten en organische reagentia.

- Optimale laminaire luchtstroompatronen bereiken

- Zorgt voor een gelijkmatige warmteverdeling

- voorkomt verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden

Technische parameters

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 3

Toepassingen

- Mechanische afdichtingsringen

- klepballen, stoelen, buizen

- Ovenmeubilair

- warmtewisselaar

- Bevestiging en verplaatsing van turbinekomponenten

- slijpmiddel

- Militaire kogelvrije inzetstukken.

- Branderonderdelen

- Keramische lagers

Onze diensten

1Fabriek directe productie en verkoop.

2Snelle, accurate citaten.

3We zullen u binnen 24 uur antwoorden.

4. ODM: Op maat gemaakt ontwerp is beschikbaar.

5Snelheid en kostbare levering.

Veelgestelde vragen

1. V: Wat is uw MOQ?
A: (1) Voor voorraad is de MOQ 3 stuks.
(2) Voor gepersonaliseerde producten bedraagt de MOQ 10 stuks.

2.V: Wat is de levertijd?
A: (1) Voor de standaardproducten
Voor de voorraad: de levering is 5 werkdagen nadat u de bestelling heeft geplaatst.
Voor op maat gemaakte producten: de levering is 2 of 3 weken nadat u de bestelling heeft geplaatst.
(2) Voor de speciaal gevormde producten is de levering 4 werkweken nadat u de bestelling heeft geplaatst.

3.V: Hoe gaat het met de verzending en de kosten?
A: (1) Wij accepteren DHL, Fedex, EMS enz.
(2) Als je een eigen express account hebt, is dat geweldig. Zo niet, kunnen we je helpen ze te verzenden.
De vracht is in overeenstemming met de feitelijke afrekening.

Markeringen:

Alumina Ceramisch Substraat

aln ceramisch substraat

Ceramisch siliciumcarbide

Verwante producten

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Krijg Beste Prijs

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm