logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Thuis Productenceramisch substraat

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking

Alle producten
Het Wafeltje van het galliumnitride (35)
Saffierwafeltje (88)
Sic Substraat (132)
Saffier Optische Vensters (77)
IC-Siliciumwafeltje (22)
Synthetische Saffierstaaf (13)
Gesmolten Kwartsplaat (40)
Saffierdelen (114)
Synthetische Halfedelsteen (72)
Halfgeleidermateriaal (55)
LiNbO3 Wafeltje (18)
GaAs Wafeltje (24)
Het Wafeltje van het indiumfosfide (34)
ceramisch substraat (25)
Laboratoriumomslag (31)
Ik ben online Chatten Nu

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking

SiC Silicon Carbide Ceramic Trays Plate Wafer Holder ICP Etching Process For Epitaxial Growth Processing
SiC Silicon Carbide Ceramic Trays Plate Wafer Holder ICP Etching Process For Epitaxial Growth Processing SiC Silicon Carbide Ceramic Trays Plate Wafer Holder ICP Etching Process For Epitaxial Growth Processing SiC Silicon Carbide Ceramic Trays Plate Wafer Holder ICP Etching Process For Epitaxial Growth Processing

Grote Afbeelding :  SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMSH
Certificering: rohs
Modelnummer: SiC-keramische bakken
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Levertijd: 2-4 weken
Betalingscondities: T/T
Contact
Gedetailleerde productomschrijving
Productnaam: Het dienblad van het siliconecarbide Materiaal: ceramisch siliconecarbide
Kleur: Vlak Zuiverheid: 99.999%
Tolerantie: ± 0,001 mm Toepassing: Epitaxial de Groeiverwerking
Grootte: aangepaste maat
Markeren:

Siliciumcarbide keramische bakken Plaat

,

Verwerking van epitaxiale groei Keramische bakken Plaat

,

ICP Etsen Proces Keramische bakken Plaat

Productbeschrijving

SiC Silicon Carbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Gebruik voor epitaxiale groei verwerking

Non-oxide keramiek, siliciumcarbide keramiek (SiC) is een superhard materiaal met een hardheid tot 9,5 op de Mohs-schaal.Siliciumcarbide-keramiek heeft niet alleen uitstekende mechanische eigenschappen bij kamertemperatuur, zoals hoge buigsterkte, uitstekende oxidatiebestendigheid, goede corrosiebestendigheid, hoge slijtvastheid en lage wrijvingscoëfficiënt, maar ook uitstekende mechanische eigenschappen (sterkte,de slijtvastheid) bij hoge temperaturen, en de hoge temperatuursterkte kan tot 1600 °C worden gehandhaafd, wat de beste onder alle keramische materialen is.De oxidatiebestendigheid van siliciumcarbideceramica is ook de beste van alle niet-oxideceramica.

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 0

Kenmerken

- Vermijd schillen en zorg ervoor dat alle oppervlakken zijn bekleed

Hoogtemperatuur oxidatiebestendigheid: stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C

Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampdepositie onder hoge temperatuurchlorinatie.

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 1SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 2

Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak, fijnstof.

Corrosiebestendigheid: bestand tegen zuren, alkalis, zouten en organische reagentia.

- Optimale laminaire luchtstroompatronen bereiken

- Zorgt voor een gelijkmatige warmteverdeling

- voorkomt verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden

Technische parameters

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 3

Toepassingen

- Mechanische afdichtingsringen

- klepballen, stoelen, buizen

- Ovenmeubilair

- warmtewisselaar

- Bevestiging en verplaatsing van turbinekomponenten

- slijpmiddel

- Militaire kogelvrije inzetstukken.

- Branderonderdelen

- Keramische lagers

SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 4SiC Siliciumcarbide Keramische bakken Plate Wafer Holder ICP Etsen Proces Voor Epitaxiale Groei Verwerking 5

Onze diensten

1Fabriek directe productie en verkoop.

2Snelle, accurate citaten.

3We zullen u binnen 24 uur antwoorden.

4. ODM: Op maat gemaakt ontwerp is beschikbaar.

5Snelheid en kostbare levering.

Veelgestelde vragen

1. V: Wat is uw MOQ?
A: (1) Voor voorraad is de MOQ 3 stuks.
(2) Voor gepersonaliseerde producten bedraagt de MOQ 10 stuks.

2.V: Wat is de levertijd?
A: (1) Voor de standaardproducten
Voor de voorraad: de levering is 5 werkdagen nadat u de bestelling heeft geplaatst.
Voor op maat gemaakte producten: de levering is 2 of 3 weken nadat u de bestelling heeft geplaatst.
(2) Voor de speciaal gevormde producten is de levering 4 werkweken nadat u de bestelling heeft geplaatst.

3.V: Hoe gaat het met de verzending en de kosten?
A: (1) Wij accepteren DHL, Fedex, EMS enz.
(2) Als je een eigen express account hebt, is dat geweldig. Zo niet, kunnen we je helpen ze te verzenden.
De vracht is in overeenstemming met de feitelijke afrekening.

label:

Alumina Ceramisch Substraat,

aln ceramisch substraat,

Ceramisch siliciumcarbide

Contactgegevens
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Contactpersoon: Mr. Wang

Tel.: +8615801942596

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Sic Substraat

Het Carbide sic Wafeltje van het hoge Zuiverheids un-doped Silicium, Substraat van het het Siliciumcarbide van 6Inch het 4H-semi sic

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

4h-SEMI de Opgepoetste sic Hardheid van de Wafeltjelens 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 voor Apparatenmateriaal

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Saphiren wafer Dikte 0,43 mm Saphiren componenten Op maat gemaakte grootte en oriëntatie

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens

2°Off C - Glas Epi van de As het Synthetische Saffier - Klaar Substraten 2 Duimdiameter 50.8mm

Het Wafeltje van het galliumnitride

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Vraag een offerte aan

E-Mail | Sitemap

Mobiele site
Privacybeleid | Break Goed Kwaliteit Het Wafeltje van het galliumnitride Leverancier. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.