4' 6' AIN op silicium substraten SSP DSP halfgeleider wafers 100nm 200nm laag

Aluminiumnitried op siliciumwafers is een nieuw soort halfgeleidermateriaal dat unieke eigenschappen biedt.De aluminiumnitride-keramiek heeft een lage dielektrische constante en uitstekende mechanische eigenschappenHet is niet-toxisch en heeft een lineaire uitbreidingscoëfficiënt die vergelijkbaar is met die van silicium.Deze combinatie van eigenschappen maakt aluminiumnitried een ideaal materiaal voor veel elektronische toepassingenEen dunne film van aluminiumnitride is een vorm van halfgeleidermateriaal.Het is ook bestand tegen elektromagneten en heeft een hoog kookpuntAls gevolg hiervan wordt het vaak gebruikt in mobiele telefoons en andere elektronica.

Specificatie:

• Gebruikbare oppervlakte: 90%
• Nominale AlN-dikte: 200 nm ± 5%, eenzijdig gecoate, niet-gedopte AlN-film
• Vooroppervlak: als volwassen
• Achtergrond: Silicium zoals ontvangen
• AlN-oriëntatie: C-vlak (001)
• Macro-defectdichtheid: <5/cm2
• Waferbasis: silicium [111] N-type, 2 "diameter x0,5 mm, weerstand: < 5 ohm-cm, aan één kant gepolijst

Toepassing:

• Aluminiumnitride op siliciumwafers is een ideaal substraatmateriaal voor vele toepassingen.De hoge thermische geleidbaarheid en de lage weerstand maken het een geschikt materiaal voor veel elektronische toepassingenDit maakt aluminiumnitride op silicium de beste keuze voor elektronica en het is milieuvriendelijk.
• In vergelijking met silicium heeft aluminiumnitride op silicium een uitstekende elektrische geleidbaarheid en een lagere koëfficiënt van thermische uitbreiding.Naast elektronica, is het ook veilig voor het milieu.
• Aluminiumnitride op siliciumwafers is een uitstekend alternatief voor beryllioxide in elektronische toepassingen.Dit halfgeleidermateriaal kan ook in elektronische toepassingen worden gebruikt.
• Het materiaal is uiterst duurzaam en geschikt voor allerlei elektronische toepassingen.De lage warmtegeleidbaarheid en de hoge elektrische isolatie maken het een uitstekend materiaal voor elektronische apparatenIn tegenstelling tot silicium is het niet-giftig en makkelijk te maken. Naast elektronische toepassingen heeft het ook een lage dielectrische constante. Het is ook een uitstekende vervanging voor silicium in hogesnelheidslasers.

Andere producten:

GaN-wafers:

Maatschappelijke Inleiding:

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD. bevindt zich in de stad Shanghai, die de beste stad van China is, en onze fabriek is opgericht in Wuxi stad in 2014.Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en optische glasonderdelen, die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met veel binnenlandse en buitenlandse universiteiten., onderzoeksinstellingen en bedrijven, bieden gepersonaliseerde producten en diensten voor hun O&O-projecten. Het is onze visie om een goede samenwerking te onderhouden met al onze klanten door onze goede reputatie.