Productdetails
Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: zmsh
Certificering: ROHS
Modelnummer: 6INCH GaAs wafeltje
Betalings- en verzendvoorwaarden
Min. bestelaantal: 10pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: De PET-folie in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 1-4weeks
Levering vermogen: 500PCS/Month
Materiaal: |
Monokristalgaas |
Industrie: |
semicondutorwafeltje voor LD of geleid |
toepassing: |
het halfgeleidersubstraat, leidde spaander, optisch glasvenster, apparatensubstraten |
Methode: |
CZ |
Grootte: |
2inch~6inch |
Dikte: |
0.425mm |
Oppervlakte: |
geëtst cmp/ |
gedoopt: |
Si-gesmeerd |
MOQ: |
10pcs |
Rang: |
onderzoekrang/proefrang |
Materiaal: |
Monokristalgaas |
Industrie: |
semicondutorwafeltje voor LD of geleid |
toepassing: |
het halfgeleidersubstraat, leidde spaander, optisch glasvenster, apparatensubstraten |
Methode: |
CZ |
Grootte: |
2inch~6inch |
Dikte: |
0.425mm |
Oppervlakte: |
geëtst cmp/ |
gedoopt: |
Si-gesmeerd |
MOQ: |
10pcs |
Rang: |
onderzoekrang/proefrang |
het Type van de Groeimethode P van 6inch VGF GaAs Wafeltjesgaas Substraten
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
GaAs wafeltje
GaAs Wafeltjesgaas GaAS van Substraatwafeltjes GaAS van substraatwafeltjes is een halfgeleidermateriaal met superieure eigenschappen van hoge frequentie, hoge elektronenmigratie, hoge elektronenprestaties, lage speeksel correcte en lineaire goedheid. Het wordt wijd gebruikt in de opto-elektronica en micro-elektronicaindustrieën. In de opto-elektronicaindustrie, GaAS de substraatwafeltjes kunnen voor de productie van leiden (lichte uitzendende buis), LD (het onderwijs lichte tuin), photovoltaic apparaten, enz. worden gebruikt Op het gebied van de micro-elektronicaindustrie, kan het worden gebruikt om MESFET (het gebiedseffect van de metaalhalfgeleider leerbuis), HEMT (de hoge transistor van de elektronenmobiliteit), HBT (heterojunction bipolaire transistor), IC, microgolfdiode, Zaalapparaat, enz. te maken.
| GaAs (Galliumarsenide) voor LEIDENE Toepassingen | ||
| Punt | Specificaties | Opmerkingen |
| Geleidingstype | SC/n-type | |
| De groeimethode | VGF | |
| Additief | Silicium | |
| Wafeltje Diamter | 2, 3 & 4 duim | Beschikbare baar of zoals-besnoeiing |
| Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° weg (110) | Andere beschikbare misorientation |
| VAN | EJ of de V.S. | |
| Dragerconcentratie | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Weerstandsvermogen bij rechts | (1.5~9) e-3 Ohm.cm | |
| Mobiliteit | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Ets Pit Density | <500> | |
| Laser het Merken | op verzoek | |
| De oppervlakte eindigt | P/E of P/P | |
| Dikte | 220~350um | |
| Klaar Epitaxy | Ja | |
| Pakket | Enige wafeltjecontainer of cassette | |
Productvertoning
ONGEVEER ONZE ZMKJ
Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 10pcs-30pcs.
Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen detailrapport voor onze producten leveren.
