logo
Thuis ProductenGaAs Wafeltje

N-type/Un-Doped Typegaas Wafeltjes GaSb 2inch InAs Wafers

Ik ben online Chatten Nu

N-type/Un-Doped Typegaas Wafeltjes GaSb 2inch InAs Wafers

N-Type /  Un-Doped Type GaAs Wafers GaSb 2inch InAs Wafers
N-Type /  Un-Doped Type GaAs Wafers GaSb 2inch InAs Wafers N-Type /  Un-Doped Type GaAs Wafers GaSb 2inch InAs Wafers N-Type /  Un-Doped Type GaAs Wafers GaSb 2inch InAs Wafers N-Type /  Un-Doped Type GaAs Wafers GaSb 2inch InAs Wafers

Grote Afbeelding :  N-type/Un-Doped Typegaas Wafeltjes GaSb 2inch InAs Wafers

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMSH
Certificering: CE
Modelnummer: N-type/P-type
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1pc
Prijs: USD450/pcs
Verpakking Details: de enige doos van de wafeltjescontainer onder schoonmakende ruimte
Levertijd: 1-4weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union Paypal;
Levering vermogen: 50 stks/maand
Gedetailleerde productomschrijving
Materiaal: Monocrystalline InAs Dikte: 500um ±25um
Type: Sn/S/Zn-Gesmeerde V.N.-Doepd/ Richtlijn: 100/111
De groeimethode: LEC Toepassing: infrarood luminescentieapparaat
Industrie: Halfgeleidersubstraat Oppervlakte: DSP/SSP
Markeren:

2inch InAs Wafers

,

N-type GaSb-Wafeltjes

,

Un-Doped Typegaas Wafeltjes

wafeltjes n-Type van 32inch InAs un-doped type GaAs Wafeltjes van wafeltjesgasb

Toepassing

Kan het InAs enige kristal als substraatmateriaal worden gebruikt om InAsSb/InAsPSb, InNAsSb en andere heterojunction materialen te kweken, en de productiegolflengte is 2~14 μ M infrarood licht uitzendend apparaat. Kan het substraat van het InAs enige kristal ook voor epitaxial groei van AlGaSb-superlattice structurele materialen, en de productie van medio-infrarode quantumcascadelasers worden gebruikt. Deze infraroodapparaten hebben goede toepassingsvooruitzichten op het gebied van gasopsporing en optische vezelmededeling met beperkte verliezen. Bovendien heeft het enige kristal van InAs hoge elektronenmobiliteit en is een ideaal materiaal voor Zaalapparaten.

Productenkenmerk

●Het kristal wordt gekweekt door technologie de vloeibaar-verzegelde van Czochralski (LEC) met rijpe technologie en stabiele elektroprestaties


●Het instrument van de röntgenstraalrichtlijn wordt gebruikt voor nauwkeurige richtlijn, en de afwijking van de kristalrichtlijn is slechts ± 0,5 º


●Het wafeltje wordt opgepoetst door chemische mechanische het oppoetsen (CMP) technologie, en de oppervlakteruwheid is minder dan 0.5nm


●Voldoe aan de gebruiksvereisten van „uit doos“


●De speciale specificatieproducten kunnen volgens gebruikersvereisten worden verwerkt

Het Detail van de wafeltjesspecificatie

Elektroparameters
Additief Type

Dragerconcentratie

(cm-3)

mobiliteit

(cm2V-1s-1)

dislocatiedichtheid

(cm2)

Un-doped n-type <5x1016 ≥2x104 ≤50000
Sn-gesmeerd n-type (5-20) x1017 >2000 ≤50000
S-gesmeerd n-type (3-80) x1017 >2000 ≤50000
Zn-gesmeerd P-type (3-80) x1017 60~300 ≤50000
Grootte 2“ 3“
Diameter (mm) 50.5±0.5 76.2±0.5
Dikte (um) 500±25 600±25
Richtlijn (100)/(111) (100)/(111)
Richtlijn tolerane ±0.5º ±0.5º
VAN lengte (mm) 16±2 22±2
2st VAN lengte (mm) 8±1 11±1
TTV (um) <10 <10
Boog (um) <10 <10
Afwijking (um) <15 <15

N-type/Un-Doped Typegaas Wafeltjes GaSb 2inch InAs Wafers 0N-type/Un-Doped Typegaas Wafeltjes GaSb 2inch InAs Wafers 1

Van het wafeltjeinp van InSb van het InAswafeltje het wafeltjegaas het wafeltje van het wafeltjegap van wafeltjegasb als u interessanter bent in insbwafeltje, e-mail naar te verzenden gelieve ons

ZMSH, als leverancier van het halfgeleiderwafeltje, het substraat van de aanbiedingenhalfgeleider en epitaxial wafeltjes van sic, GaN, IIIV groepssamenstelling en enz.

Contactgegevens
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Contactpersoon: Mr. Wang

Tel.: +8615801942596

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)