Bericht versturen
PRODUCTEN
PRODUCTEN
Huis > PRODUCTEN > GaAs Wafeltje > GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten

GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten

Productdetails

Plaats van herkomst: CHINA

Merknaam: zmsh

Certificering: ROHS

Modelnummer: 6INCH GaAs wafeltje

Betalings- en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 10pcs

Prijs: by case

Verpakking Details: De PET-folie in 100 sorteert schoonmakende ruimte

Levertijd: 1-4weeks

Levering vermogen: 500pcs/month

Krijg Beste Prijs
Markeren:

Arsenide van het de Ranggallium van de onderzoektest Wafeltje

,

N Type Galliumarsenide Substraat

,

3 duimgaas Epi Wafeltje

Materiaal:
Monokristalgaas
Industrie:
semicondutorwafeltje voor LD of geleid
Toepassing:
het halfgeleidersubstraat, leidde spaander, optisch glasvenster, apparatensubstraten
Methode:
CZ
grootte:
2inch~6inch
Dikte:
0.425mm
oppervlak:
geëtst cmp/
gesmeerd:
Si-gesmeerd
MOQ:
10PCS
rang:
onderzoekrang/proefrang
Materiaal:
Monokristalgaas
Industrie:
semicondutorwafeltje voor LD of geleid
Toepassing:
het halfgeleidersubstraat, leidde spaander, optisch glasvenster, apparatensubstraten
Methode:
CZ
grootte:
2inch~6inch
Dikte:
0.425mm
oppervlak:
geëtst cmp/
gesmeerd:
Si-gesmeerd
MOQ:
10PCS
rang:
onderzoekrang/proefrang
GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten

GaAs van 3inch VGF het n-Type van de testrang van het wafeltjesonderzoek GaAs substraten 425um

methode n-Type van 2inch 3inch 4inch 6inch VGF un-doped GaAs substraten 2degree van 675um-SSP DSP GaAs wafeltjes


------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

GaAs het wafeltje (Galliumarsenide) is een voordelig alternatief aan silicium dat in de halfgeleiderindustrie heeft geëvolueerd. Minder machtsconsumptie en meer die efficiency door dit GaAs wafeltjes wordt aangeboden trekken de marktdeelnemers aan om deze wafeltjes goed te keuren, daardoor verhogend de vraag naar GaAs wafeltje. Over het algemeen, wordt dit wafeltje gebruikt om halfgeleiders, lichtgevende dioden, thermometers, elektronische kringen te vervaardigen, en barometers, naast het vinden van toepassing in de productie van legeringen met een laag smeltpunt. Aangezien de halfgeleider en de elektronische kringsindustrieën nieuwe pieken blijven raken, neemt de GaAs markt een hoge vlucht. Galliumarsenide van GaAs wafeltje heeft de macht van het produceren van laserlicht van elektriciteit. Vooral is polycrystalline en enige kristal belangrijkste type twee van GaAs wafeltjes, die in de productie van zowel de micro-elektronica als opto-elektronica worden gebruikt om tot LD, leiden, en microgolfkringen te leiden. Daarom leidt de uitgebreide waaier van GaAs toepassingen, in het bijzonder in opto-elektronica en micro-elektronica de industrie tot een de vraagtoevloed in de Markt van het theGaAswafeltje. Eerder, werden de optoelectronic apparaten hoofdzakelijk gebruikt op een brede waaier in optische mededelingen en computerrandapparatuur op korte termijn. Maar nu, zijn zij veel gevraagd voor sommige nieuwe toepassingen zoals LiDAR, vergrote werkelijkheid, en gezichtserkenning. LEC en VGF zijn twee populaire methodes die de productie van GaAs wafeltje met hoge uniformiteit van elektrische eigenschappen en uitstekende oppervlaktekwaliteit verbeteren. De elektronenmobiliteit, de enige verbinding band-Gap, de hogere efficiency, de hitte en de vochtbestendigheid, en de superieure flexibiliteit zijn de vijf verschillende voordelen van GaAs, die de goedkeuring van GaAs wafeltjes in de halfgeleiderindustrie verbeteren.

Specificatiedetail
GaAs (Galliumarsenide) voor LEIDENE Toepassingen
Punt Specificaties Opmerkingen
Geleidingstype SC/n-type
De groeimethode VGF
Additief Silicium
Wafeltje Diamter 2, 3 & 4 duim Beschikbare baar of zoals-besnoeiing
Crystal Orientation (100) 2°/6°/15° weg (110) Andere beschikbare misorientation
VAN EJ of de V.S.
Dragerconcentratie (0.4~2.5) E18/cm3
Weerstandsvermogen bij rechts (1.5~9) e-3 Ohm.cm
Mobiliteit 1500~3000 cm2/V.sec
Ets Pit Density <500>
Laser het Merken op verzoek
De oppervlakte eindigt P/E of P/P
Dikte 220~350um
Klaar Epitaxy Ja
Pakket Enige wafeltjecontainer of cassette

GaAs (Galliumarsenide), Semi-insulating voor Micro-elektronicatoepassingen

Punt
Specificaties
Opmerkingen
Geleidingstype
Het isoleren
De groeimethode
VGF
Additief
Undoped
Wafeltje Diamter
2, 3, 4 & 6 duim
Beschikbare baar
Crystal Orientation
(100) +/- 0.5°
VAN
EJ, de V.S. of inkeping
Dragerconcentratie
n/a
Weerstandsvermogen bij rechts
>1E7 Ohm.cm
Mobiliteit
>5000 cm2/V.sec
Ets Pit Density
<8000>
Laser het Merken
op verzoek
De oppervlakte eindigt
P/P
Dikte
350~675um
Klaar Epitaxy
Ja
Pakket
Enige wafeltjecontainer of cassette
Nr. Punt Standaardspecificatie
1 Grootte 2“ 3“ 4“ 6“
2 Diameter mm 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.5
3 De groeimethode VGF
4 Gesmeerd Un-doped, of Si-Gesmeerd, of Zn-Gesmeerd
5 Leider Type N/A, of SC/N, of SC/P
6 Dikte μm (220-350) ±20 of (350-675) ±25
7 Crystal Orientation <100>±0.5 of 2 weg
OF/IF richtlijnoptie EJ, de V.S. of Inkeping
Richtlijn Vlak (VAN) mm 16±1 22±1 32±1 -
Vlakke identificatie (ALS) mm 8±1 11±1 18±1 -
8 Weerstandsvermogen (Niet voor
Mechanisch
Rang)
Ω.cm (1-30) ‚107, of (0.8-9) ‚10-3, of 1 ' 10-2-10-3
Mobiliteit cm2/v.s ≥ 5.000, of 1,500-3,000
Dragerconcentratie cm-3 (0.3-1.0) x1018, of (0.4-4.0) x1018,
of zoals SEMI
9 TTV μm ≤10
Boog μm ≤10
Afwijking μm ≤10
EPD cm2 ≤ 8.000 of ≤ 5.000
Voor/Achteroppervlakte P/E, P/P
Randprofiel Zoals SEMI
Deeltjestelling <50>0,3 μm, telling/wafeltje),
of ZOALS SEMI
10 Laserteken Achterkant of op verzoek
11 Verpakking Enige wafeltjecontainer of cassette

GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten 0GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten 1GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten 2


ONGEVEER ONZE ZMKJ

ZMKJ bepaalt van in de stad van Shanghai de plaats, die de beste stad van China is, en onze fabriek wordt opgericht
in Wuxi specialiseert de stad zich in 2014.We in de verwerking van een verscheidenheid van materialen in wafeltjes, substraten
en custiomized optisch die glas parts.components wijd in elektronika, optica wordt gebruikt,
opto-elektronica en veel andere gebieden. Wij hebben ook nauw met binnenlands velen samengewerkt
en de overzee universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, verstrekken aangepaste producten
en de diensten voor hun R&D-projecten.
Het is onze visie aan het handhaven van een goede verhouding van samenwerking met onze alle klanten door ons
goede reputatiaons. zo kunnen wij ook een andere materialensubstraten zoals als verstrekken:
GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten 3
Verpakking – Logistcs
Worldhawk betreft elk detailleert van het pakket, antistatisch schoonmaken, schoktherapie.
Volgens de hoeveelheid en de vorm van het product, zullen wij een verschillend verpakkingsprocédé nemen!
GaAs van 3inch VGF het Type van de Testrang N van het Wafeltjesonderzoek GaAs Substraten 4
FAQ –
Q: Wat u kunt logistiek en kosten leveren?
(1) wij keuren FOB DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF en door goed
en betaal voorwaarde van 50%-storting, 50% vóór levering.
Q: Wat is de levertijd?
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 3 werkweken na orde.

Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 10pcs-30pcs.
Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen detailrapport voor onze producten leveren.