logo
Goede prijs  online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. PRODUCTEN Created with Pixso.
ceramisch substraat
Created with Pixso. 6 duim 1.0mm Ceramisch Substraat, Alumina Ceramische Plaat voor Halfgeleiderverwerking

6 duim 1.0mm Ceramisch Substraat, Alumina Ceramische Plaat voor Halfgeleiderverwerking

Merknaam: zmkj
Modelnummer: ALN
MOQ: 20st
Prijs: by case
Leveringstermijn: 10-20 dagen
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Materiaal:
AlN ceramische substraten
Toepassingen:
ceramische platen voor halfgeleiderverwerking
kleur:
wit of rood of blauw
Maat:
aangepaste grootte
Zuiverheid:
98%
Verpakking Details:
25pcs cassettedoos
Markeren:

Ceramisch siliciumcarbide

,

Alumina Ceramisch Substraat

Productomschrijving

van het Nitridealn van 6inch 1.0mmAluminum paste het Ceramische Substraat, Hoog Warmtegeleidingsvermogen, Ceramische AlN aan, de ceramische substraten van 6inch

AlN introduceert

Het ceramische aluminiumnitride (AlN) heeft hoog warmtegeleidingsvermogen (5-10 keer als ceramisch alumina),

de lage diëlektrische constante en dissipatiefactor, de goede isolatie en de uitstekende mechanische eigenschappen, de niet-toxische, hoge thermische weerstand, de chemische weerstand, en de lineaire uitbreidingscoëfficiënt zijn gelijkaardig met Si, dat wijd in communicatie geleide componenten wordt gebruikt, hoge macht, machts elektronische apparaten en

andere gebieden. De speciale specificatieproducten kunnen op verzoeken worden geproduceerd.

PRODUCTprestaties
Hoog warmtegeleidingsvermogen, hoge flexural sterkte, elektroisolatie op hoge temperatuur, Goede
Laag diëlektrische constante en verlies

TOEPASSINGEN

  • RF/Microwave Componenten

  • Machtsmodulus

  • Machtstransformatoren

  • Hoge Machts LEIDEN pakket

  • De sub-Onderstellen van de laserdiode

  • LEIDEN Spaander sub-Onderstel

  • Micro-electronische Pakketten

  • Transistors

Onze samenwerkende fabriek kan toepaste het afgietsel-band proces voor de productie van alumina substraat. Met goede warmtegeleidingsvermogen, isolatie, thermische schokweerstand, goed weerstand en anti-acid en

alkalienz., onze ceramische substraten kan op thick-film hybride geïntegreerde schakelingen (HIC), LEIDENE ceramische uitstralende basis, machtsmodule, halfgeleiderapparaten en andere gebieden worden gebruikt.

AlNeigenschap & Advantagement

- Productnaam:

Aluminiumnitride/het Ceramische Substraat van AIN

- Materiaal: Aluminiumnitride/AlN
- Typische Kenmerken:

1. Zeer Hoog Warmtegeleidingsvermogen

2. Goede Elektroisolatie

3. Corrosieweerstand

4. Goede Vlakheid

- Typische Toepassingen:

1. Machts Elektronisch Apparaat

2. Hoge Helderheidsleiden

3. Communicatie Apparaat

Materiële Eigenschappen
Eigenschappen/Materiaal 96% Alumina AlN
Dichtheid (g/cm3) 3.6 3.3
Kleur Wit Grijs
Diëlektrische Sterkte (KV/mm) ≥17 ≥17
Diëlektrische Constante (1MHz) 10.6 8.9
Volumeweerstandsvermogen (@20°C, Ω.cm) ≥1014 ≥1014
Warmtegeleidingsvermogen (@20°C, W/mk) ≥24 ≥175
Thermische Uitbreidingscoëfficiënt (10-6/°C) 6.5-8.0 4.8
Flexural Sterkte (MPa) ≥350 ≥450

Regelmatige Grootte
Dikte (mm) lengthx breedte (mm)
0,385

2 ″ * 2 ″

50.8mm*50.8mm

3 ″ * 3 ″

76.2mm*76.2mm

4 ″ * 4 ″

101.6mm*101.6mm

4.5 ″ * 4,5 ″

114.3mm*114.3mm

0,5
0,635
1.0
diameter (mm)
1.0

Φ16

Φ19

Φ20

Φ26

Φ30

Φ35

Φ40

Φ45

Φ50

Φ52

Φ60 Φ75 Φ80
1.2
1.5
2.0
2.5
Diameter (mm) Dikte (mm)

2“

(50.8mm)

VAN 16mm

3“

(76.2mm)

OF22mm

4“

(100mm)

VAN 30mm

5 „

(125mm)

VAN 42.5mm

6“

(150mm)

VAN 47.5mm

0,385
0,5
0,65
1.0

De oppoetsende Dienst

Ons AlN-substraat kan (enig en dubbel poetsmiddel) door de geavanceerde machine worden opgepoetst die invoerde

van in het buitenland. De ceramische ruwheid van de substraatoppervlakte kan aan 1nm zonder poreus bereiken na wordt opgepoetst.

Het is volkomen geschikt voor de apparatentoepassing van kleine specificatie, hoge precisie, bedradingsdichtheid en goede stabiliteit.

6 duim 1.0mm Ceramisch Substraat, Alumina Ceramische Plaat voor Halfgeleiderverwerking 0

Pakket & Levering

6 duim 1.0mm Ceramisch Substraat, Alumina Ceramische Plaat voor Halfgeleiderverwerking 1