Bericht versturen
PRODUCTEN
PRODUCTEN
Huis > PRODUCTEN > GaAs Wafeltje > 4 Arsenide van het duimgallium Wafeltje, Gaas Substraat voor Lage Temperatuurlegeringen

4 Arsenide van het duimgallium Wafeltje, Gaas Substraat voor Lage Temperatuurlegeringen

Productdetails

Plaats van herkomst: China

Merknaam: zmsh

Certificering: no

Modelnummer: GaAs-4inch

Betalings- en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 5st

Prijs: by case

Verpakking Details: 25pcs casstle in 100 sorteren schoonmakende ruimte

Levertijd: 1-4weeks

Levering vermogen: 1000pcs/month

Krijg Beste Prijs
Markeren:

indiumarsenide wafeltje

,

laalo3 substraat

Materiaal:
GaAs enig kristalsubstraten
industrie:
semicondutorwafeltje
Toepassing:
het halfgeleidersubstraat, leidde spaander, optisch glasvenster, apparatensubstraten
Methode:
VFG
Maat:
2-6inch gemeenschappelijk
Materiaal:
GaAs enig kristalsubstraten
industrie:
semicondutorwafeltje
Toepassing:
het halfgeleidersubstraat, leidde spaander, optisch glasvenster, apparatensubstraten
Methode:
VFG
Maat:
2-6inch gemeenschappelijk
4 Arsenide van het duimgallium Wafeltje, Gaas Substraat voor Lage Temperatuurlegeringen

4inch GaAs substraten, GaAs wafeltje voor geleid, Galliumarsenide kristalwafeltjes, Si/Zn-Additiefgaas wafeltje

(A-samenstelling van het het elementengallium en arsenicum. Het is een IIIV directe bandgaphalfgeleider met een het kristalstructuur van de zinkblende)

-

Ongeveer GaAs kristal

Productnaam: Galliumarsenide het kristalsubstraat van (GaAs)
Technische parameters:
Monocrystalline Galliumarsenide (GaAs)
Het smeren Niets; Si; Cr; Te; Zn
Geleidingsvermogentype Si; N; Si; N; P
De dragerconcentratie van cm -3 /> 5x10 17/~ 2x10 18> 5x10 18
-2 van de dislocatiecm dichtheid <5x10 5="">
De groeimethode en de maximumgrootte LEC & HB Ø3 „
Specificaties:

Algemene richtlijn: <100>: <110>: <111>:

Standaardgrootte: Ø3 „x 0.5mm; Ø2“ x 0.5mm; Ø4 „x 0.5mm;

Nota: volgens de eisen en de grootte van klanten van de overeenkomstige richting.

Toepassing:

1. Hoofdzakelijk gebruikt in elektronika, lage temperatuurlegeringen, Galliumarsenide.

2. De primaire chemische samenstelling van gallium in elektronika, wordt gebruikt in microgolfkringen, de kringen van de hoge snelheidsomschakeling, en infrarode kringen.

3. Het galliumnitride en het Nitride van het Indiumgallium, voor halfgeleidergebruik, produceren blauwe en violette lichtgevende dioden (LEDs) en diodelasers.

4 Arsenide van het duimgallium Wafeltje, Gaas Substraat voor Lage Temperatuurlegeringen 0

Specificatie

GaAs Wafeltjes voor LEIDENE Toepassingen

Punt Specificaties Opmerkingen
Geleidingstype SC/n-type SC/p-type met Zn-Beschikbaar verdovend middel
De groeimethode VGF  
Additief Silicium Beschikbaar Zn
Wafeltje Diamter 2, 3 & 4 duim Beschikbare baar of zoals-besnoeiing
Kristalrichtlijn (100) 20/60/150 weg (110) Andere beschikbare misorientation
VAN EJ of de V.S.  
Dragerconcentratie (0.4~2.5) E18/cm3
Weerstandsvermogen bij rechts (1.5~9) e-3 Ohm.cm  
Mobiliteit 1500~3000cm2/V.sec
Ets Kuildichtheid <5000>2  
Laser het Merken op verzoek
De oppervlakte eindigt P/E of P/P
Dikte 220~450um
Klaar Epitaxy Ja  
Pakket Enige wafeltjecontainer of cassette

(GaAs) Galliumarsenide Wafeltjes voor LD-Toepassingen

Punt Specificaties Opmerkingen
Geleidingstype SC/n-type
De groeimethode VGF  
Additief Silicium
Wafeltje Diamter 2, 3 & 4 duim Beschikbare baar of zoals-besnoeiing
Kristalrichtlijn (100) 20/60/150 weg (110) Andere beschikbare misorientation
VAN EJ of de V.S.  
Dragerconcentratie (0.4~2.5) E18/cm3
Weerstandsvermogen bij rechts (1.5~9) e-3 Ohm.cm  
Mobiliteit 1500~3000 cm2/V.sec
Ets Kuildichtheid <500>2  
Laser het Merken op verzoek
De oppervlakte eindigt P/E of P/P  
Dikte 220~350um
Klaar Epitaxy Ja  
Pakket Enige wafeltjecontainer of cassette

(GaAs) Galliumarsenide Wafeltjes, Semi-insulating voor Micro-elektronicatoepassingen

Punt Specificaties Opmerkingen
Geleidingstype Het isoleren
De groeimethode VGF  
Additief Undoped
Wafeltje Diamter 2, 3 & 4 duim Beschikbare baar
Kristalrichtlijn (100) +/- 0,50
VAN EJ, de V.S. of inkeping  
Dragerconcentratie n/a
Weerstandsvermogen bij rechts >1E7 Ohm.cm  
Mobiliteit >5000 cm2/V.sec
Ets Kuildichtheid <8000>2  
Laser het Merken op verzoek
De oppervlakte eindigt P/P  
Dikte 350~675um
Klaar Epitaxy Ja
Pakket Enige wafeltjecontainer of cassette

4 Arsenide van het duimgallium Wafeltje, Gaas Substraat voor Lage Temperatuurlegeringen 1

FAQ –
Q: Wat u kunt logistiek en kosten leveren?
(1) wij keuren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF en enz. goed
(2) als u uw eigen uitdrukkelijk aantal hebt, is het groot.
Als niet, konden wij u bijstaan om te leveren. Freight=USD25.0 (het eerste gewicht) + USD12.0/kg

Q: Wat is de levertijd?
(1) voor de standaardproducten zoals ballens, powell lens en collimatorlens:
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 3 werkweken na orde.
(2) voor de van-standaardproducten, is de levering 2 of 6 werkweken na u plaats de orde.

Q: Hoe te betalen?
T/T, Paypal, het Westenunie, MoneyGram, Veilige betaling en Handelsverzekering op en etc….

Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 5pcs-20pcs.
Het hangt van hoeveelheid en technieken af

Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen detailrapport voor onze producten leveren.

Verpakking – Logistcs
Worldhawk betreft elk detailleert van het pakket, antistatisch schoonmaken, schoktherapie. Volgens de hoeveelheid en de vorm van het product, zullen wij een verschillend verpakkingsprocédé nemen!

4 Arsenide van het duimgallium Wafeltje, Gaas Substraat voor Lage Temperatuurlegeringen 2