N Type 4inch Dia100mm Vrije Status HVPE GaN Gallium Nitride Wafer

2inch free-standing GaN-substraten, GaN-wafeltje voor LD, semiconducting Wafeltje van het Galliumnitride voor geleid, GaN-malplaatje, 10x10mm GaN substraten, inheems GaN-wafeltje,

GaN Applications

GaN kan worden gebruikt om verscheidene types van apparaten te maken; de primaire GaN-apparaten zijn LEDs, laserdioden, machtselektronika, en rf-apparaten.

GaN is ideaal voor LEDs wegens directe bandgap van eV 3,4 die in het dichtbijgelegen UVspectrum is. GaN kan met Herberg en AlN worden gelegeerd, die bandgaps van 0,7 eV en eV 6,2, respectievelijk hebben. Daarom kan dit materiële systemen een groot energiespectrum voor licht theoretisch overspannen uitzendend apparaat. In daadwerkelijke praktijk, is de efficiency hoogst voor blauwe InGaN-apparaten en vermindert voor hoge indiuminhoud InGaN of voor AlGaN-zenders. Het dichtbijgelegen UV en blauwe spectrum is optimaal voor het maken van witte zenders met fosfoor, en deze technologie is van de opmerkelijke efficiencyaanwinsten in verlichting sinds de jaren '90 de oorzaak geweest wanneer LEDs is begonnen traditionele lichtbronnen te vervangen.

De laserdioden, gewoonlijk met blauwe emissie, kunnen gebruikend GaN worden gemaakt. Deze apparaten worden gebruikt voor biomedische vertoningen en één of andere specialiteit, knipsel, en wetenschappelijke toepassingen. De laserdioden kunnen ook voor het maken van wit licht worden gebruikt uitzendend apparaten met fosfoor. Vergeleken bij LEDs, kan het witte licht van de laserdiode een zeer hoge machtsdichtheid en een hoge gerichtheid bereiken.

Voor machtselektronika, kunnen de op gaN-Gebaseerde apparaten hoge omschakelingssnelheden, hoge machtsdichtheid, en lage energieverliezen bereiken resulterend in de efficiëntere, kleinere, en lichtere producten van de machtsomzetting. Er zijn talrijke toepassingen voor op gaN-Gebaseerde machtselektronika met inbegrip van elektrische voertuigen, de omschakelaars van de zonne en windenergie, industriële motorcontrolemechanismen, datacentra, en de elektronika van de consument.

De op gan-gebaseerde rf-apparaten bezitten veel van dezelfde voordelen van GaN-machtselektronika, en kunnen bovendien tot hogere frequentie toegang hebben dan traditionele halfgeleiders. Rf-de apparaten worden gebruikt voor het industriële verwarmen, radar, en telecommunicaties. GaN is vooral voordelig voor hoge machtsdichtheid zoals voor cellulaire basisstations.

HVPE-Technologie

De Faseepitaxy van de hydridedamp (HVPE) is een proces dat enig kristal GaN kan produceren. Het wordt gebruikt voor de groei van GaN-substraten wegens het hoge groeipercentage en hoog - kwaliteit die kan worden bereikt. In dit proces, HCl wordt het gas gereageerd met vloeibaar galliummetaal, dat GaCl-gas vormt. Dan reageert GaCl met NH ₃ gas bij ongeveer 1.000 °C om het stevige kristal van GaN te vormen. Eta Research heeft ons eigen HVPE-materiaal met het doel ontwikkeld om de productie van GaN-wafeltjes rendabel te schrapen.

Weldra, gebruikt de overgrote meerderheid van op gaN-Gebaseerde apparaten buitenlandse substraten zoals Al ₂ O ₃ en Si. Hoewel de buitenlandse substraten voor sommige toepassingen goed zijn, loopt de ongelijke materiële oorzaken om in de GaN-apparatenlagen worden geplaatst over aangezien het materiaal wordt gedeponeerd. De tekorten kunnen de prestaties verminderen.

De GaNsubstraten, vooral met lage tekortdichtheid, bieden de beste keus voor deposito van GaN-apparatenlagen aan. Het gebruik van GaN-substraten zal de efficiency, machtsdichtheid, en andere prestatiesmetriek van GaN-apparaten verbeteren.