Terwijl 5G evolueert naar 6G, de vraag naar AI-computing exponentieel groeit en AR-brillen van concept naar massaproductie gaan, verandert een stille materiaalrevolutie de fotonische chipindustrie opnieuw vorm. Centraal in deze transformatie staat Thin-Film Lithium Niobate (TFLN/LNOI) – een baanbrekend materiaal dat markten van biljoenen dollars met elkaar verbindt, waaronder optische communicatie en consumentenelektronica.
Met een sterk industrieel momentum en een sterke productieschaal leiden Chinese bedrijven nu deze cruciale mondiale race.
![]()
In geïntegreerde fotonica wordt lithiumniobaat (LiNbO₃) wordt al lang erkend als een fundamenteel functioneel materiaal. Als klassiek ferro-elektrisch monokristallijn oxide combineert het op unieke wijze meerdere fysieke effecten binnen één kristalsysteem:
Uitstekende optische transparantie
Sterk elektro-optisch effect
Piëzo-elektrische eigenschappen
Akoestisch-optische interactie
Foto-elastische en fotorefractieve effecten
Deze zeldzame combinatie maakt lithiumniobaat tot een echt “multifunctioneel platform” voor elektro-optische, akoesto-optische en niet-lineaire optische apparaten.
Traditioneel bulklithiumniobaat lijdt echter aan een zwak brekingsindexcontrast, waardoor optische opsluiting en grootschalige integratie worden beperkt. Apparaten blijven vaak op millimeter-tot-centimeterschaal – incompatibel met de moderne vereisten voor de dichtheid van fotonische chips.
Thin-Film Lithium Niobate (TFLN), ook bekend als Lithium Niobate on Insulator (LNOI), transformeert dit landschap.
Door een sub-micron lithiumniobaatlaag te hechten op een isolator met een lage brekingsindex (meestal SiO₂) bovenop een substraat, wordt een structuur gevormd die lijkt op SOI (Silicon-on-Insulator):
Apparaatlaag – Begraven oxide – Substraat
Deze ‘dunnefilmrevolutie’ levert twee grote voordelen op:
Hoge optische opsluitingvia een sterk LiNbO₃–SiO₂-brekingsindexcontrast, waardoor:
Golfgeleiders op nanofotonische schaal
Kleinere buigradii
Dramatisch hogere integratiedichtheid
CMOS-compatibele schaalbare productie, waardoor lithiumniobaat kan worden geïntegreerd met volwassen fotonische halfgeleiderplatforms.
Kortom, TFLN behoudt de krachtige materiaaleigenschappen van lithiumniobaat en lost tegelijkertijd de beperkingen op het gebied van grootte en integratie op, waardoor het een ideaal materiaal is voor de volgende generatie fotonische chips.
De snelle opkomst van TFLN is nauw verbonden met drie convergerende megatrends:
5G → 6G-communicatie-upgrades
Explosieve vraag naar AI-datacenters
Massale acceptatie van slimme AR-brillen
Naarmate de productie van wafers met een grote diameter en de verwerking van dunne films volwassener worden, neemt de vraag naar optische communicatie, RF-apparaten en consumentenelektronica toe.
China is uitgegroeid tot een belangrijk mondiaal productiecentrum. Volgens gegevens uit de sector is China goed voor ongeveer 42% van de mondiale lithiumniobaatcapaciteit, wat sterke voordelen biedt in belangrijke productiesegmenten.
Bedrijven zoals:
NANOLN
TDK-bedrijf
Sumitomo-metaalmijnbouw
geven actief vorm aan het concurrentielandschap op het gebied van de levering van dunnefilmlithiumniobaatwafels en apparaatinnovatie.
AR-brillen worden algemeen beschouwd als het personal computerapparaat van de volgende generatie. TFLN pakt verschillende kritische commercialiseringsknelpunten aan.
In AR-systemen wordt TFLN gebruikt in full-color laserbesturingsmodules (optische modulators), waardoor het volgende wordt geleverd:
Elektro-optische respons <100 ps
10× snellere kleurwisseling
Native ondersteuning voor 4K+ video met hoge resolutie
Traditionele bulklithiumniobaatmodulatoren werken op nanosecondenniveau, terwijl siliciummodulatoren moeite hebben met breedbandprestaties op hoge snelheid. TFLN biedt de prestatiesprong die nodig is voor premium AR-displays.
TFLN-golfgeleiders bieden ook:
Gezichtsveld (FOV) > 50° (vs. 30–40° voor glazen golfgeleiders)
Ultralaag optisch verlies (≈0,027 dB/cm bij 1550 nm)
Apparaatdikte < 0,3 mm
Deze voordelen maken lichtere, dunnere en helderdere AR-brillen mogelijk, essentieel voor de adoptie door consumenten.
Naarmate de wereldwijde AR-leveringen toenemen, zal de vraag naar hoogwaardige modulators en golfgeleiders snel toenemen.
Gedreven door AI-datacenters en cloudinfrastructuur maakt de sector van optische modules een transitie door van 400G/800G naar 1,6T en hoger.
Bij deze snelheden worden elektro-optische modulatoren het knelpunt van het systeem.
TFLN biedt doorslaggevende voordelen:
Bandbreedte > 100 GHz
Lage halvegolfspanning (Vπ ≈ 1,9 V)
Hoge lineariteitvoor geavanceerde modulatieformaten (bijv. 80 Gbaud 16-QAM)
Stabiele ondersteuning voor 400 Gbps per golflengte en hoger
Vergeleken met siliciumfotonica-oplossingen demonstreert TFLN:
Hoger bandbreedteplafond
Lager energieverbruik (~11 W versus 13–14 W in 800G-modules)
Verminderde thermische beheerlasten
Lagere totale eigendomskosten op schaal
Deze kenmerken positioneren TFLN als een leidende kandidaat voor 1,6T en toekomstige 3,2T optische architecturen.
| Materiaal | Elektro-optische coëfficiënt | Snelheidspotentieel | Integratie | Energie-efficiëntie |
|---|---|---|---|---|
| Dunnefilm LiNbO₃ | ~32 uur/V | 400–500 Gbps/baan | Hoog | Uitstekend |
| Silicium fotonica | Zwak plasma-effect | Beperkt bij extreme baudsnelheden | Zeer hoog | Gematigd |
| InP | ~ 17.00 - 18.00 uur / V | Hoog | Gematigd | Uitdagend |
| GaAs | ~ 17.00 - 18.00 uur / V | Gematigd | Gematigd | Gematigd |
Dunnefilmlithiumniobaat combineert:
Hoge elektro-optische efficiëntie
Ultrahoge bandbreedte
Schaalbare wafelverwerking
Betrouwbare massaproductie
Er zijn maar weinig concurrerende materialen die dit evenwicht tegelijkertijd bereiken.
NANOLN
Een pionier op het gebied van dunnefilm-lithiumniobaatwafels met een grote diameter, die grootschalige massaproductie realiseert en al lang bestaande internationale technologische barrières doorbreekt.
TDK-bedrijf
Ontwikkelde dunne-filmgroei van lithiumniobaat op standaard halfgeleiderwafels, waardoor toepassingen werden uitgebreid naar AR/VR-displaymodules.
Sumitomo-metaalmijnbouw
Langdurige expertise in lithiumniobaatkristallen met hoge uniformiteit en hoogwaardige optische toepassingen.
Dunnefilm-lithiumniobaat is meer dan een stapsgewijze verbetering: het vertegenwoordigt een structurele upgrade in de fotonische materiaalkunde.
Door te combineren:
Uitzonderlijke elektro-optische prestaties
Halfgeleider-compatibele integratie
Schaalbaarheid naar 800G/1.6T+ optische modules
Cruciale ondersteunende rollen in AR-smartbrillen
TFLN bevindt zich op het kruispunt van AI-computing, 6G-netwerken en meeslepende consumentenelektronica.
Nu fotonische chips fundamenteel worden voor de digitale economie, komt dunnefilm-lithiumniobaat naar voren als de echte ‘onzichtbare kampioen’ die de volgende generatie optische innovatie aandrijft.
Terwijl 5G evolueert naar 6G, de vraag naar AI-computing exponentieel groeit en AR-brillen van concept naar massaproductie gaan, verandert een stille materiaalrevolutie de fotonische chipindustrie opnieuw vorm. Centraal in deze transformatie staat Thin-Film Lithium Niobate (TFLN/LNOI) – een baanbrekend materiaal dat markten van biljoenen dollars met elkaar verbindt, waaronder optische communicatie en consumentenelektronica.
Met een sterk industrieel momentum en een sterke productieschaal leiden Chinese bedrijven nu deze cruciale mondiale race.
![]()
In geïntegreerde fotonica wordt lithiumniobaat (LiNbO₃) wordt al lang erkend als een fundamenteel functioneel materiaal. Als klassiek ferro-elektrisch monokristallijn oxide combineert het op unieke wijze meerdere fysieke effecten binnen één kristalsysteem:
Uitstekende optische transparantie
Sterk elektro-optisch effect
Piëzo-elektrische eigenschappen
Akoestisch-optische interactie
Foto-elastische en fotorefractieve effecten
Deze zeldzame combinatie maakt lithiumniobaat tot een echt “multifunctioneel platform” voor elektro-optische, akoesto-optische en niet-lineaire optische apparaten.
Traditioneel bulklithiumniobaat lijdt echter aan een zwak brekingsindexcontrast, waardoor optische opsluiting en grootschalige integratie worden beperkt. Apparaten blijven vaak op millimeter-tot-centimeterschaal – incompatibel met de moderne vereisten voor de dichtheid van fotonische chips.
Thin-Film Lithium Niobate (TFLN), ook bekend als Lithium Niobate on Insulator (LNOI), transformeert dit landschap.
Door een sub-micron lithiumniobaatlaag te hechten op een isolator met een lage brekingsindex (meestal SiO₂) bovenop een substraat, wordt een structuur gevormd die lijkt op SOI (Silicon-on-Insulator):
Apparaatlaag – Begraven oxide – Substraat
Deze ‘dunnefilmrevolutie’ levert twee grote voordelen op:
Hoge optische opsluitingvia een sterk LiNbO₃–SiO₂-brekingsindexcontrast, waardoor:
Golfgeleiders op nanofotonische schaal
Kleinere buigradii
Dramatisch hogere integratiedichtheid
CMOS-compatibele schaalbare productie, waardoor lithiumniobaat kan worden geïntegreerd met volwassen fotonische halfgeleiderplatforms.
Kortom, TFLN behoudt de krachtige materiaaleigenschappen van lithiumniobaat en lost tegelijkertijd de beperkingen op het gebied van grootte en integratie op, waardoor het een ideaal materiaal is voor de volgende generatie fotonische chips.
De snelle opkomst van TFLN is nauw verbonden met drie convergerende megatrends:
5G → 6G-communicatie-upgrades
Explosieve vraag naar AI-datacenters
Massale acceptatie van slimme AR-brillen
Naarmate de productie van wafers met een grote diameter en de verwerking van dunne films volwassener worden, neemt de vraag naar optische communicatie, RF-apparaten en consumentenelektronica toe.
China is uitgegroeid tot een belangrijk mondiaal productiecentrum. Volgens gegevens uit de sector is China goed voor ongeveer 42% van de mondiale lithiumniobaatcapaciteit, wat sterke voordelen biedt in belangrijke productiesegmenten.
Bedrijven zoals:
NANOLN
TDK-bedrijf
Sumitomo-metaalmijnbouw
geven actief vorm aan het concurrentielandschap op het gebied van de levering van dunnefilmlithiumniobaatwafels en apparaatinnovatie.
AR-brillen worden algemeen beschouwd als het personal computerapparaat van de volgende generatie. TFLN pakt verschillende kritische commercialiseringsknelpunten aan.
In AR-systemen wordt TFLN gebruikt in full-color laserbesturingsmodules (optische modulators), waardoor het volgende wordt geleverd:
Elektro-optische respons <100 ps
10× snellere kleurwisseling
Native ondersteuning voor 4K+ video met hoge resolutie
Traditionele bulklithiumniobaatmodulatoren werken op nanosecondenniveau, terwijl siliciummodulatoren moeite hebben met breedbandprestaties op hoge snelheid. TFLN biedt de prestatiesprong die nodig is voor premium AR-displays.
TFLN-golfgeleiders bieden ook:
Gezichtsveld (FOV) > 50° (vs. 30–40° voor glazen golfgeleiders)
Ultralaag optisch verlies (≈0,027 dB/cm bij 1550 nm)
Apparaatdikte < 0,3 mm
Deze voordelen maken lichtere, dunnere en helderdere AR-brillen mogelijk, essentieel voor de adoptie door consumenten.
Naarmate de wereldwijde AR-leveringen toenemen, zal de vraag naar hoogwaardige modulators en golfgeleiders snel toenemen.
Gedreven door AI-datacenters en cloudinfrastructuur maakt de sector van optische modules een transitie door van 400G/800G naar 1,6T en hoger.
Bij deze snelheden worden elektro-optische modulatoren het knelpunt van het systeem.
TFLN biedt doorslaggevende voordelen:
Bandbreedte > 100 GHz
Lage halvegolfspanning (Vπ ≈ 1,9 V)
Hoge lineariteitvoor geavanceerde modulatieformaten (bijv. 80 Gbaud 16-QAM)
Stabiele ondersteuning voor 400 Gbps per golflengte en hoger
Vergeleken met siliciumfotonica-oplossingen demonstreert TFLN:
Hoger bandbreedteplafond
Lager energieverbruik (~11 W versus 13–14 W in 800G-modules)
Verminderde thermische beheerlasten
Lagere totale eigendomskosten op schaal
Deze kenmerken positioneren TFLN als een leidende kandidaat voor 1,6T en toekomstige 3,2T optische architecturen.
| Materiaal | Elektro-optische coëfficiënt | Snelheidspotentieel | Integratie | Energie-efficiëntie |
|---|---|---|---|---|
| Dunnefilm LiNbO₃ | ~32 uur/V | 400–500 Gbps/baan | Hoog | Uitstekend |
| Silicium fotonica | Zwak plasma-effect | Beperkt bij extreme baudsnelheden | Zeer hoog | Gematigd |
| InP | ~ 17.00 - 18.00 uur / V | Hoog | Gematigd | Uitdagend |
| GaAs | ~ 17.00 - 18.00 uur / V | Gematigd | Gematigd | Gematigd |
Dunnefilmlithiumniobaat combineert:
Hoge elektro-optische efficiëntie
Ultrahoge bandbreedte
Schaalbare wafelverwerking
Betrouwbare massaproductie
Er zijn maar weinig concurrerende materialen die dit evenwicht tegelijkertijd bereiken.
NANOLN
Een pionier op het gebied van dunnefilm-lithiumniobaatwafels met een grote diameter, die grootschalige massaproductie realiseert en al lang bestaande internationale technologische barrières doorbreekt.
TDK-bedrijf
Ontwikkelde dunne-filmgroei van lithiumniobaat op standaard halfgeleiderwafels, waardoor toepassingen werden uitgebreid naar AR/VR-displaymodules.
Sumitomo-metaalmijnbouw
Langdurige expertise in lithiumniobaatkristallen met hoge uniformiteit en hoogwaardige optische toepassingen.
Dunnefilm-lithiumniobaat is meer dan een stapsgewijze verbetering: het vertegenwoordigt een structurele upgrade in de fotonische materiaalkunde.
Door te combineren:
Uitzonderlijke elektro-optische prestaties
Halfgeleider-compatibele integratie
Schaalbaarheid naar 800G/1.6T+ optische modules
Cruciale ondersteunende rollen in AR-smartbrillen
TFLN bevindt zich op het kruispunt van AI-computing, 6G-netwerken en meeslepende consumentenelektronica.
Nu fotonische chips fundamenteel worden voor de digitale economie, komt dunnefilm-lithiumniobaat naar voren als de echte ‘onzichtbare kampioen’ die de volgende generatie optische innovatie aandrijft.