Een andere populaire toepassing van SiC - kleurenoptische golfleiders

Een andere populaire toepassing van SiC - kleurenoptische golfleiders

Als typisch materiaal voor de derde generatie halfgeleiders is SiC en de industriële ontwikkeling ervan de afgelopen jaren gegroeid als bamboe-scheuten na een lenteregen.SiC-substraten hebben een voet in de grond gezet in elektrische voertuigen en industriële toepassingenSiC is een belangrijke drijvende kracht geworden voor deze ontwikkeling vanwege zijn uitstekende prestaties en de voortdurend evoluerende toeleveringsketen.SiC heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid, zodat een vergelijkbaar nominaal vermogen ook in een kleinere verpakking kan worden bereikt.

Daarnaast zien wij ook de toepassing van SiC-materialen in holografische optische golfleidingen.Er wordt gemeld dat veel vooraanstaande AR-bedrijven hun aandacht hebben gaan richten op siliconcarbide optische golfgeleiders.

Het promotiebeeld van de SiC-kleuroptische golfgeleider op de SEMICON-tentoonstelling

Waarom kan SiC-materiaal worden gebruikt op het gebied van full-color optische golfleiders?

(1) SiC heeft een hoge brekingsindex

De brekingsindex van SiC (2.6-2.7) is aanzienlijk hoger dan die van traditioneel glas (1.5-2.0) en hars (1.4-1.7).de optische golfgeleiderlenzen die er uit zijn gemaakt, kunnen een breder gezichtsveld biedenOndertussen maakt deze hoge brekingsindex het SiC in staat om het licht in de diffractieve optische golfgeleider effectiever te beperken, waardoor het energieverlies van het licht wordt verminderd en de helderheid van het scherm wordt verbeterd.

ZMSH's 6 inch SiC Wafers SEMI & 4H-N Type

(2) Eenlaagse constructie

Theoretisch kan een SiC-lens met één laag een volledig gekleurd gezichtsveld van meer dan 80° bereiken, terwijl glazen lenzen in drie lagen moeten worden gestapeld om 40° te bereiken.

(3) Gewicht verliezen

In combinatie met de hoge sterkte van SiC zelf wordt het totale gewicht van AR-brillen aanzienlijk verminderd, waardoor het draagcomfort wordt verbeterd.- Ik weet het niet.

SiC-lenzen kunnen het gewicht van het apparaat aanzienlijk verminderen en het gezichtsveld uitbreiden, waardoor het totale gewicht van AR-brillen door het 20g-kritische punt breekt, dicht bij de vorm van gewone bril.De Micro LED-displaytechnologie met siliciumcarbide substraat kan het modulevolume met 40% comprimeren, verhoogt de helderheidsefficiëntie met 2,3 keer en verbetert het weergave-effect van AR-brillen.

ZMSH's 2 inch SiC Wafers 4H-SEMI Type

(4) Warmteafvoerkenmerken

Het SiC-materiaal heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid (490 W/m·K), waardoor de warmte die door de opto-mechanische en computermodules wordt gegenereerd, snel door de golfgeleider zelf kan worden geleid.in plaats van te vertrouwen op de traditionele spiegelbeen warmteafvoer ontwerpDeze functie lost het probleem van de prestatievermindering van AR-apparaten op dat wordt veroorzaakt door warmteophoping en verhoogt tegelijkertijd de warmteafvoer.

De hoge thermische geleidbaarheid in combinatie met laagspanningssnijtechnologie kan het "regenboogpatroon" van optische golfgeleiderlenzen aanzienlijk verbeteren.in combinatie met het geïntegreerde warmteafvoerontwerp van het golfgeleiderplaat, kan de werktemperatuur van het opto-mechanische systeem worden verlaagd en het warmteafvoerprobleem kan worden verbeterd.

(5) Steun

De mechanische sterkte, slijtvastheid en thermische stabiliteit van SiC zorgen voor de structurele stabiliteit van optische golfleiders tijdens langdurig gebruik.met een vermogen van meer dan 50 W,, zoals ruimtetelescopen en AR-brillen.

De kenmerken van het hierboven genoemde SiC-materiaal hebben de knelpunten van traditionele optische golfleiders doorbroken op het gebied van weergave-effect, volumegewicht en warmteafvoer.en zijn uitgegroeid tot een belangrijke innovatie richting op het gebied van full-color optische golfleiders- Wat is er?

ZMSH levert een uitgebreid assortiment van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC) -substraten, waaronder 4H/6H-N-type, 4H/6H-SEMI-isolatietype, 6H/4H-P-type en 3C-N-type polytypen,met een vermogen van meer dan 50 W,Door middel van crystalgroeitechnologieën en precisiebewerkingstechnieken,We hebben massaproductie bereikt van SiC-substraten met een grote diameter (2-12 inch) met een zeer lage defectdichtheid (< 100/cm2) en een oppervlaktebuigzaamheid op nanoschaal (Ra < 0).2 nm), waardoor ze bijzonder geschikt zijn voor optische componenten met een hoge precisie, zoals spiegels voor ruimtetelescopen en AR-optische modules.verwerking van wafers tot kwaliteitscertificering, ZMSH bieden one-stop-oplossingen met aanpasbare specificaties om klanten te helpen technische barrières te overwinnen.
 

ZMSH's SiC-wafer type 3C-N:

* Neem contact met ons op voor eventuele auteursrechtelijke problemen, en wij zullen deze onmiddellijk aanpakken.