China Het Wafeltje van het galliumnitride

N Type 4inch Dia100mm Vrije Status HVPE GaN Gallium Nitride Wafer

Materiaal:GaN enig kristal

Methode:HVPE

Grootte:4inch
Undoped 10X10mm m-As HVPE semiconducting GAN Wafers For

Materiaal:GaN enig kristal

Methode:HVPE

Grootte:aangepaste grootte 10x10
Het gekristalliseerde Wafeltje van het het Galliumnitride van HVPE GaN voor Laserapparaat

Materiaal:GaN enig kristal

Methode:HVPE

Grootte:2inch
Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen

Materiaal:GaN enig kristal

Industrie:Halfgeleiderwafeltje, leiden

Toepassing:halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,
Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

Materiaal:GaN enig kristal

Methode:HVPE

Grootte:2inch
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - Bevindend GaN Single Crystal Material

Materiaal:GaN enig kristal

Methode:HVPE

Grootte:10x10mm, 5x5mm
Van het het Aluminiumnitride van 2INCH AlN de laag van het de Substratenwafeltje op 0.43mm saffierwafeltje

Materiaal:AlN op wafeltje

Methode:HVPE

Grootte:2inch
Van het het wafeltjegallium van GaN van de hoge Machtsefficiency het Nitridewafeltje voor Energie - Efficiënte Verlichting

Materiaal:GaN enig kristal

Industrie:Halfgeleiderwafeltje, leiden

Toepassing:halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,
2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

Materiaal:GaN epi op Saffierdrager

Methode:HVPE

Grootte:2inch
van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Materiaal:AlN op wafeltje

Methode:HVPE

Grootte:4inch
Het GaNmalplaatje kweekt Toepassingsssp van de het Substraatspaander van de Saffierdrager de Douanerichtlijn

Materiaal:crysyal saffier

Toepassingen:Leiden, epi-klaar test

Richtlijn:A, M, R, C door aangepast
HVPE-het Wafeltje van GaN van het Galliumnitride, Gan-Spaander Vrije Bevindende 10 x 10 mm-Grootte

Materiaal:GaN enig kristal

industrie:Halfgeleiderwafeltje, leiden

Toepassing:halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Het Wafeltje van het galliumnitride

4“ het Wafeltje van het Galliumnitride

China Het Wafeltje van het galliumnitride

N Type 4inch Dia100mm Vrije Status HVPE GaN Gallium Nitride Wafer

Undoped 10X10mm m-As HVPE semiconducting GAN Wafers For

Het gekristalliseerde Wafeltje van het het Galliumnitride van HVPE GaN voor Laserapparaat

Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen

Van het de Vertoningsgallium van de laserprojectie de Dikte van het Nitridegan wafer 350um

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - Bevindend GaN Single Crystal Material

Van het het Aluminiumnitride van 2INCH AlN de laag van het de Substratenwafeltje op 0.43mm saffierwafeltje

Van het het wafeltjegallium van GaN van de hoge Machtsefficiency het Nitridewafeltje voor Energie - Efficiënte Verlichting

2inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Substrates Template voor geleid

van het het Galliumnitride van 2inch 4Inch het Malplaatjewafeltje van GaN AlN op Saffier, Si-Substraten

Het GaNmalplaatje kweekt Toepassingsssp van de het Substraatspaander van de Saffierdrager de Douanerichtlijn

HVPE-het Wafeltje van GaN van het Galliumnitride, Gan-Spaander Vrije Bevindende 10 x 10 mm-Grootte

Sic Substraat

Het Carbidewafeltje van het hoge Zuiverheidssilicium, 6 Duim 4H - het Semi sic Substraat van het Siliciumcarbide

2 duim 6H - de Semi Consumptie van de het Wafeltje Lage Macht van het Siliciumcarbide voor Detector

4inch sic het Carbide van het Baarsilicium 5 - 15mm Dikte voor halfgeleiders

Saffierwafeltje

Het Glas van de de Douanesaffier van het halfgeleiderwafeltje/Saffiervensters Speciale Richtlijn

Dikte 0.43mm Saffiercomponenten Aangepaste Grootte en Richtlijnen

Het vierkante Saffierwafeltje/Glas van het Saffierkristal 10x10mm 5x5mm voor Optische Lens