China 2 LEIDEN van duimgan sapphire Epi Wafeltjessp Purpere LEIDEN Wafeltje

2 LEIDEN van duimgan sapphire Epi Wafeltjessp Purpere LEIDEN Wafeltje

Materiaal: GaN-op-saffier epi-wafeltjes
Substraat: Saffier
Grootte: 2-6inch
China 2 het Nitridewafeltje Sapphire Template Epi Wafers van het duimgallium

2 het Nitridewafeltje Sapphire Template Epi Wafers van het duimgallium

Materiaal: GaN-op-saffier epi-wafeltjes
Substraat: Saffier
Grootte: 2-6inch
China N Type 4inch Dia100mm Vrije Status HVPE GaN Gallium Nitride Wafer

N Type 4inch Dia100mm Vrije Status HVPE GaN Gallium Nitride Wafer

Materiaal: GaN enig kristal
Methode: HVPE
Grootte: 4inch
China Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

Het malplaatje van 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN op saffier EPI-Wafeltje alN-op-Saffier wafeltje

Materiaal: AlN op wafeltje
Methode: HVPE
Grootte: 2 inch
China 4“ het Wafeltje van het Galliumnitride

4“ het Wafeltje van het Galliumnitride

Materiaal: laag op saffierwafeltje
Methode: HVPE
Grootte: 2inch, 4inch
China 2 duim DSP die Enig Crystal Gallium Nitride Wafer Free GaN Substrates bevinden zich

2 duim DSP die Enig Crystal Gallium Nitride Wafer Free GaN Substrates bevinden zich

Materiaal: Epi van het GaN enige kristal wafeltje
Industrie: Halfgeleiderwafeltje, leiden, HEMT
Toepassing: halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,
China Micro- gaN-op-GaN LEIDENE EPI Wafeltjes Vrij Bevindend GaN Substrates 2 Duim

Micro- gaN-op-GaN LEIDENE EPI Wafeltjes Vrij Bevindend GaN Substrates 2 Duim

Materiaal: Epi van het GaN enige kristal wafeltje
Industrie: Halfgeleiderwafeltje, leiden
Toepassing: halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,
China Vrij Bevindend PIN Gallium Nitride Wafer Semiconductor GaN Substrates

Vrij Bevindend PIN Gallium Nitride Wafer Semiconductor GaN Substrates

Materiaal: Epi van het GaN enige kristal wafeltje
Industrie: Halfgeleiderwafeltje, leiden
Toepassing: halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,
China Van het het wafeltjegallium van GaN van de hoge Machtsefficiency het Nitridewafeltje voor Energie - Efficiënte Verlichting

Van het het wafeltjegallium van GaN van de hoge Machtsefficiency het Nitridewafeltje voor Energie - Efficiënte Verlichting

Materiaal: GaN enig kristal
Industrie: Halfgeleiderwafeltje, leiden
Toepassing: halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,
China Het substraat van HVPE GaN of van GaN Template EPI Wafeltje voor rf-Toepassingen

Het substraat van HVPE GaN of van GaN Template EPI Wafeltje voor rf-Toepassingen

Materiaal: GaN enig kristal
Industrie: Halfgeleiderwafeltje, leiden
Toepassing: halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser,
1 2 3