Transparante Oranje GaP-wafers zonder doppingsysteem P Type N Type 200um 350um 5G licht uitstralend

Transparante Oranje GaP-wafers zonder doppingsysteem P Type N Type 200um 350um 5G licht uitstralend

Beschrijving:

Galliumfosfide GaP, een belangrijke halfgeleider met unieke elektrische eigenschappen als andere III-V samengestelde materialen, kristalliseert in de thermodynamisch stabiele kubische ZB-structuur,is een oranje-geel halfdoorzichtig kristalmateriaal met een indirecte bandgap van 2.26 eV (300K), dat wordt gesynthetiseerd uit 6N 7N hoogzuiver gallium en fosfor, en met behulp van de Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) -techniek tot een enkel kristal wordt verbouwd.Galliumfosfydkristal wordt gedopeerd met zwavel of tellurium om een halfgeleider van het type n te verkrijgen, en zink gedopeerd als p-type geleidbaarheid voor verdere vervaardiging tot de gewenste wafer, die toepassingen heeft in optische systemen, elektronische en andere opto-elektronica apparaten.Single Crystal GaP wafer kan worden voorbereid Epi-Ready voor uw LPE, MOCVD en MBE epitaxiale toepassing.n-type of ongedopte geleidbaarheid bij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden aangeboden in de grootte van 2 ′′ en 3 ′′ (50 mm), 75 mm diameter), oriëntatie < 100>,< 111> met een oppervlakteafwerking van gesneden, gepolijst of epi-klaar proces.

Kenmerken:

Brede bandbreedte geschikt voor het uitzenden van specifieke golflengten van licht.GaP Wafer Uitstekende optische eigenschappen waardoor LED-productie in verschillende kleuren mogelijk is.
Hoge efficiëntie bij het genereren van rood, geel en groen licht voor LED's. Betere lichtabsorptie bij specifieke golflengten.Goed elektrisch geleidingsvermogen voor hoogfrequente elektronische apparaten. GaP Wafer Geschikte thermische stabiliteit voor betrouwbare prestaties. Chemische stabiliteit geschikt voor halfgeleiderproductieprocessen.GaP Wafer Gunstige rasterparameters voor epitaxiale groei van extra lagenGaP Wafer Robuust materiaal met een hoge thermische geleidbaarheid Uitstekende opto-elektronica mogelijkheden voor fotodetectorenVerscheidenheid in het ontwerpen van optische apparaten voor specifieke golflengten

Technische parameters:

Toepassingen:

Galliumfosfide enkelkristal kan door snijden, epitaxie en andere processen worden gemaakt tot vaste lichtemitterende apparaten, zijn levensduur is lang, is semi-permanent.Dit apparaat is snel ontwikkeld en wordt veel gebruikt in instrumentenHet kan rood of groen licht enz. uitzenden (de lichtgolflengte varieert met de doping).Vroege lichtemitterende apparaten van galliumarsenide hadden een stroom van 100 milliampere nodig om 20 millilumens per woord uit te zendenHetzelfde licht uitstralende apparaat van galliumfosfide heeft slechts 10 milliampere stroom nodig om 20 millilumens uit te stralen.De efficiëntie van de galliumfosfide-lichtstralingsbuis die is vervaardigd volgens de tweelaagse epitaxemethode is 4-5%.Wingloff is van mening dat de belangrijkste factor die van invloed is op de efficiëntie van lichtemitterende apparaten met galliumfosfaat, de dislocatie dichtheid in het kristal is.en het lichtvermogen is laag wanneer de dislocatie dichtheid hoog is.

Andere producten:

GaN-wafers:

Vragen:

V: Wat is de merknaam van deGaP-wafers?

A: De merknaam van deGaP-wafersis ZMSH.

V: Wat is de certificering van deGaP-wafers?

A: De certificering van deGaP-wafersis ROHS.

V: Waar is de plaats van oorsprong van deGaP-wafers?

A: De plaats van oorsprong van deGaP-wafersis China.

V: Wat is het MOQ van deGaP-wafers tegelijk?

A: Het MOQ van deGaP-wafersis 25 stuks tegelijk.