|
| Plaats van herkomst | China |
| Merknaam | ZMSH |
| Certificering | rohs |
| Modelnummer | SIC010 |
Vanuit het perspectief van eindtoepassingslaag, hebben de materialen van het siliciumcarbide een brede waaier van toepassingen op hoge snelheidsspoor, automobielelektronika, slimme netten, photovoltaic omschakelaars, industriële elektromechanisch, datacentra, witte goederen, de elektronika van de consument, 5G-mededeling, volgende-generatievertoningen, en andere gebieden, met reusachtig marktpotentieel.
Het siliciumcarbide heeft een brede serie van potentiële toepassingen aangeboden. Het kan op gebieden zoals hoge snelheidsspoor, automobielelektronika, slimme netten, photovoltaic omschakelaars, industriële elektromechanisch, datacentra, witte goederen, de elektronika van de consument, 5G-mededeling, en volgende-generatievertoningen worden gebruikt. Al deze gebieden komen met een reusachtig en veelbelovend marktpotentieel.
In termen van toepassing, is het verdeeld in laag voltage, middelgroot voltage, en hoogspanningsgebieden:
Laag voltagegebied
Wat elektronika van de consument kan in het bijzonder door het carbidelichten van het laag voltagesilicium worden aangedreven. Bijvoorbeeld, in Xiaomi en Huawei, is de snelle laders met de apparaten van het galliumnitride gelanceerd.
Middelgroot voltagegebied
Het siliciumcarbide kan in voltage worden gebruikt groter dan 3300v, vooral in automobielelektronika en spoor het netsystemen van de doorgangsmacht. Tesla leidde tot een model 3, dat het vroegste product is dat de apparaten van het siliciumcarbide leveraged. Zoals voor zijn diode en MOSFEF-producten, zijn zij bevorderd en toegepast in de markt.
Hoogspanningsgebied
Het siliciumcarbide biedt vele unieke voordelen in vergelijking met andere materialen aan, maar tot dusver, geen rijp product op het gebied met hoog voltage heeft gelanceerd. De wereld is nog in een stadium van onderzoek en ontwikkeling. De elektrische voertuigen zijn het veelbelovendste toepassingsdomein en is de elektrische de aandrijvingsmodule van Toyota een groot voorbeeld van hoe het siliciumcarbide kan worden gebruikt. Het volume van deze apparaten is kleinere 50% in vergelijking met silicone gebaseerde IGBTs en hun energiedichtheid is veel hoger. De optimale componentenlay-out kan worden bereikt en meer ruimte kan voor andere nieuwe systemen worden bevrijd.
4H-sic en zijn 6H-sic bothTypes van kristallen die in verschillende diameters worden gevonden. 4H-SIC is 50.8mm (2 duim) in diameter terwijl 6H-SIC tot 200mm (8 duim) in diameter is. Beide kristallen worden gesmeerd met Stikstof (n) en zijn plotseling intrinsiek, of HPSI voor. Het weerstandsvermogen in 4H-SIC is .015 tot .028 ohm*cm terwijl 6H-SIC een weerstandsvermogen van over 1E7 ohm*cm heeft.
De diktewaaier van 4H-SIC en 6H-sic is identiek met allebei die tussen 250um-15,000um (15mm) zijn. Wanneer het over oppervlakte komt eindig, kunnen beide kristallen enige of dubbele opgepoetste kanten zijn. De het stapelen opeenvolging voor 4H-SIC is ABCB terwijl 6H-SIC een opeenvolging van ABCACB heeft. De diëlektrische constante voor 4H-SIC is 9,6 en 6H-sic is 9,66.
De elektronenmobiliteit van 4H-SIC is 800 cm2/V*S in vergelijking met 400 cm2/V*S voor 6H-SIC. En tenslotte, bedraagt de dichtheid van beide kristallen hetzelfde 3,21 * 103 kg/m3.
Het Substraat van SIC010 van ZMSH sic is een krachtig apparaat dat aan de vereisten van high-end toepassingen voldoet en betrouwbare prestaties verstrekt. Het wordt wijd gebruikt in ontwerpen die hoge macht, frequentie op hoge temperatuur, en hoge vereisen. Dit sic Substraat is perfect voor gebruik in machtselektronika, opto-elektronica, en andere toepassingen. Zijn grootte kan van 0.5x0.5mm tot 10x10mm worden aangepast en zijn treksterkte is groter dan 400MPa. Het heeft een weerstandsvermogenwaaier van 0.015~0.028ohm.cmor groter dan 1E7ohm.cm en zijn oppervlakte kan Si-Gezicht CMP en c-Gezicht Mp zijn.
Dit Substraat van SIC010 sic van ZMSH is volgzame RoHS en de minimumordehoeveelheid is 10pc. Het is beschikbaar aan concurrerende prijzen en zijn levertijd is binnen 30days. Het keurt betaling via T/T goed en zijn leveringscapaciteit is 1000pc/month.
Merknaam: ZMSH
ModelNumber: SIC010
Plaats van Oorsprong: CHINA
Certificatie: ROHS
Minimumordehoeveelheid: 10pc
Prijs: Door Geval
Verpakkingsdetails: Aangepaste Plastic Doos
Levertijd: In 30 Dagen
Betalingsvoorwaarden: T/T
Leveringscapaciteit: 1000pc/Month
Grootte: Aangepast o.k.
Substraattype: Substraat
Thermische Uitbreidingscoëfficiënt: 4.5 X 10-6/K
Oppervlakte: Si-gezicht CMP; C-gezicht MP;
Weerstandsvermogen: 0.015~0.028ohm.cm; of >1E7ohm.cm;
Speciale Eigenschappen: De Wafeltjes van het siliciumcarbide, sic Laserknipsel
Wij zijn trots om technische ondersteuning en de diensten voor onze sic Substraatproducten aan te bieden. Ons technische ondersteuningteam kan u bij het productselectie, installatie en oplossen van problemen helpen. Wij bieden ook een breed dienstengamma, met inbegrip van productdemonstraties, product opleiding, en installatie en onderhoud ter plaatse aan.
Ons technische ondersteuningteam is beschikbare 24/7, en wij zijn geëngageerd aan het verstrekken van het hoogste niveau van klantenservice. Wij streven ernaar om ervoor te zorgen dat onze klanten met onze producten en diensten volledig tevreden zijn.
Contacteer op elk ogenblik ons
