10x10x0,5 mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Silicon Carbide Wafer

Chat Contacteer ons

10x10x0,5 mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Silicon Carbide Wafer

sic crystal

September 09, 2022

Categorie Verbinding: Sic Substraat

Chat Contacteer ons

Kwaliteit SIC -substraat uit China.http://www.galliumnitridewafer.com/china-10x10x0_5mm_sic_2sp_4h_semi_4h_n_sic_silicon_carbide_wafer-34008278.htmlShanghai Famous Trade Co., Ltd Quality Fabrikant uit China.We kunnen leveren:Gallium nitride wafer: http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-gallium_nitride_wafer-248923.htmlSapphire Wafer: http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sapphire_wafer-247991.htmlSIC Substraat: http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sic_substate-248805.htmlWelkom om onze officiële website te bezoeken: http://www.galliumnitridewafer.com

Markeringen:

#sic wafeltje #sic substraat #het substraat van het siliciumcarbide

Memorandum: Ontdek de 10x10x0.5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC siliciumcarbide wafer, ontworpen voor hoogwaardige vermogenselektronica. Deze wafer biedt een hoge kristalkwaliteit, lage defectdichtheden en aanpasbare opties om aan uw behoeften voor de fabricage van apparaten te voldoen. Ideaal voor de transport-, energie- en industriële markten.

Gerelateerde Productkenmerken:

Hoge kristalkwaliteit voor veeleisende vermogenselektronicatoepassingen.
Een lage defectdichtheid zorgt voor betrouwbare prestaties.
Aangepast aan de specifieke behoeften van de fabricage van het apparaat.
Grote wafers met een grote diameter voor grotere schaalvoordelen.
Geproduceerd met behulp van geavanceerde fysische damp transport (PVT) groeitechnieken.
Consistente mechanische eigenschappen voor compatibiliteit met fabricageprocessen.
Optimaliseert prestaties en totale eigendomskosten voor next-gen apparaten.
Verkrijgbaar in een afmeting van 150 mm voor een betere productie-efficiëntie.

FAQS:

Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de 4H-SiC-wafer?

De wafer heeft een hoge kristalkwaliteit, een lage defectdichtheid en aanpasbare opties voor de fabricage van apparaten, waardoor het ideaal is voor krachtelektronica.
Hoe wordt de SiC-wafer geproduceerd?

De wafer wordt geproduceerd met behulp van exclusieve state-of-the-art fysieke damptransport (PVT) groeitechnieken en geavanceerde productieprocessen.
Kan de wafer voor specifieke behoeften worden aangepast?

Ja, de wafer kan worden aangepast aan prestatie- en kostenvereisten, met opties voor lage defectdichtheid en specifieke toleranties.
Welke industrieën profiteren van deze wafer?

Industrieën zoals transport, energie en industriële markten profiteren van de hoogwaardige mogelijkheden van de wafer in de krachtelektronica.