Memorandum: Benieuwd hoe het zich verhoudt tot andere opties? Bekijk de demo en oordeel zelf. In deze video laten we de SiC Ceramic End Effector in actie zien, waarbij we de precieze capaciteiten voor het hanteren van wafers in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve halfgeleiders demonstreren. U zult zien hoe de zeer zuivere SiC-constructie betrouwbaarheid en een lage deeltjesgeneratie garandeert voor cleanroomtoepassingen.
Gerelateerde Productkenmerken:
Gemaakt van zeer zuiver siliciumcarbide (SiC) met een zuiverheid van ≥99% voor superieure prestaties.
Bestand tegen extreme temperaturen tot 1600°C, ideaal voor halfgeleiderprocessen met hoge temperaturen.
Uitstekende weerstand tegen zuren, basen en plasma-omgevingen, waardoor chemische stabiliteit wordt gegarandeerd.
Hoge mechanische sterkte met een buigsterkte van meer dan 400 MPa voor duurzaamheid.
Het ontwerp met een lage deeltjesgeneratie zorgt voor netheid in cleanrooms van klasse 1-100.
Aanpasbare maten beschikbaar voor wafers van 4 inch tot 12 inch met compatibiliteit met robotarmen.
Biedt gepolijste of matte oppervlakteafwerkingen om aan specifieke gebruikersvereisten te voldoen.
Garandeert maatnauwkeurigheid en betrouwbaarheid bij wafertransport, etsen en depositie.
FAQS:
Wat is het materiaal dat wordt gebruikt voor de SiC Ceramic End Effector?
De SiC Ceramic End Effector is gemaakt van zeer zuiver siliciumcarbide (SiC) met een zuiverheid van ≥99% en biedt uitstekende thermische weerstand, mechanische sterkte en chemische stabiliteit voor zware halfgeleiderverwerkingsomgevingen.
Voor welke toepassingen is de SiC Ceramic End Effector geschikt?
Het is ideaal voor het hanteren van wafers, halfgeleiderverwerking zoals etsen en depositie, robotarmintegratie, pakkettesten en chipsortering, waardoor betrouwbare prestaties in verschillende productiefasen worden gegarandeerd.
Is de SiC Ceramic End Effector compatibel met cleanroomomgevingen?
Ja, de SiC Ceramic End Effector is geschikt voor gebruik in cleanrooms van klasse 1-100 en garandeert optimale reinheid en compatibiliteit met ultraschone productieomgevingen voor halfgeleiders.