Memorandum: We tonen de praktische stappen en resultaten zodat u snel de geschiktheid kunt beoordelen. Deze video demonstreert het productieproces van Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chips, van kristalgroei via PVT tot eindpolijsten. U ziet hoe deze geavanceerde halfgeleidersubstraten worden geproduceerd voor hoogvermogen elektronica, RF-apparaten en opto-elektronische toepassingen.
Gerelateerde Productkenmerken:
Verkrijgbaar in 4H-SiC- en 6H-SiC-polytypes voor hoogspanningsvermogenselektronica en RF-toepassingen.
Beschikt over een brede bandafstand van 3,2-3,3 eV voor een hoge doorslagspanning en efficiëntie.
Uitstekende thermische geleidbaarheid (3,0-4,9 W/cm*K) zorgt voor superieure warmteafvoer.
Hoge mechanische sterkte met Mohs-hardheid van ~9,2 voor duurzaamheid onder zware omstandigheden.
Aanpasbare afmetingen en dikte (330-500 μm) om aan specifieke toepassingsbehoeften te voldoen.
Verkrijgbaar met N-type of P-type dopingopties voor elektrische prestaties op maat.
Enkel- of dubbelzijdig gepolijste oppervlakteafwerking, inclusief epi-ready opties.
Ideaal voor vermogenselektronica, RF-apparaten, opto-elektronica en ruimtevaarttoepassingen.
FAQS:
Waarom kiezen voor SiC-substraten boven traditioneel silicium?
SiC biedt superieure thermische prestaties, hogere doorslagsterkte en aanzienlijk lagere schakelverliezen in vergelijking met silicium, waardoor het ideaal is voor toepassingen met hoog rendement en hoog vermogen.
Kunnen deze substraten voorzien worden van epitaxiale lagen?
Ja, we bieden epi-ready en aangepaste epitaxie-opties voor toepassingen met hoog vermogen, RF of opto-elektronische apparaten.
Kun je de afmetingen en doping aanpassen?
Absoluut. Aangepaste formaten, dopingprofielen en oppervlaktebehandelingen zijn beschikbaar om aan specifieke toepassingsbehoeften te voldoen.
Hoe presteren SiC-substraten onder extreme omstandigheden?
SiC-substraten behouden de structurele integriteit en elektrische stabiliteit bij temperaturen boven 600 °C, waardoor ze geschikt zijn voor zware omgevingen zoals de lucht- en ruimtevaart, defensie en industriële toepassingen met hoog vermogen.