Videokanaal van China SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Chat Contacteer ons
Huis Video's Afspeellijst Website

4H Siliciumcarbide Substraat voor Vermogenselektronica, RF-apparaten, UV-Opto-elektronica

Andere Video's
November 20, 2025
Categorie Verbinding: Sic Substraat
Chat Contacteer ons
Markeringen:
#sic wafeltje #sic substraat #het substraat van het siliciumcarbide
Memorandum: In deze video bekijken we de 4H siliciumcarbide substraat, waarbij we de hoge zuiverheid van de enkelkristalstructuur en de ultralage defectdichtheid laten zien. Bekijk hoe we de toepassingen ervan in vermogenselektronica, RF-apparaten en UV-optica belichten, samen met de precisie CMP-polijsting en thermische prestaties.
Gerelateerde Productkenmerken:
  • Hoogzuiver 4H-SiC enkelkristal materiaal met ultra-lage defectdichtheid.
  • Precisie CMP-polijsten voor epitaxie-klare oppervlakken met Ra ≤ 0,5 nm.
  • Uitstekende thermische geleidbaarheid (490 W/m*K) en hoge temperatuurbestendigheid (tot 600 °C).
  • Stabiele elektrische eigenschappen met een weerstand van 0,01-0,1 Ω*cm.
  • Hoge mechanische sterkte met een Vickers hardheid van 28-32 GPa.
  • Ideaal voor vermogenselektronica, RF-apparaten en UV-optica.
  • Beschikbaar in aanpasbare maten, diktes en doteringsniveaus.
  • Geschikt voor R&D, prototyping en kleinschalige productie.
FAQS:
  • Wat is het belangrijkste voordeel van 4H-SiC in vergelijking met 6H-SiC?
    4H-SiC biedt een hogere elektronenmobiliteit, lagere aanweerstand en superieure prestaties in hoogvermogen- en hoogfrequente apparaten, waardoor het het voorkeursmateriaal is voor MOSFET's en diodes.
  • Leveren jullie geleidende of semi-isolerende SiC-substraten?
    Ja, we bieden N-type geleidend 4H-SiC aan voor vermogenselektronica en semi-isolerend 4H-SiC voor RF, microgolf en UV-detector toepassingen, met aanpasbare dopingniveaus.
  • Kan het substraat direct voor epitaxie worden gebruikt?
    Ja, onze epi-ready 4H-SiC-substraten zijn voorzien van CMP-gepolijste Si-oppervlakken met een lage defectdichtheid, geschikt voor MOCVD-, CVD- en HVPE-epitaxiale groei van GaN-, AlN- en SiC-lagen.
Gerelateerde video's
In het laboratorium gekweekte groene YAG-enkele kristal met hoge zuiverheid voor optische vensters en lasers 00:06

In het laboratorium gekweekte groene YAG-enkele kristal met hoge zuiverheid voor optische vensters en lasers
het optische kristal van de kleurensaffier
April 29, 2024
sapphiren buis 00:09

sapphiren buis
sapphire glass
May 30, 2024
12 inch Diameter 300mm 1.0mm Dubbele zijde gepolijste saffier wafers 00:26

12 inch Diameter 300mm 1.0mm Dubbele zijde gepolijste saffier wafers
sapphire glass
October 10, 2022
High Gain Raw Synthetic Ruby Uitstekende warmtegeleiding voor lasermachine 00:13

High Gain Raw Synthetic Ruby Uitstekende warmtegeleiding voor lasermachine
het optische kristal van de kleurensaffier
April 28, 2023
TGV Sapphire Wafer Perforated Glass Substrate Via Glass (TGV) 00:07

TGV Sapphire Wafer Perforated Glass Substrate Via Glass (TGV)
TGV-glas
April 11, 2025
​​Aangepaste Ruby Lagers Mohs Hardheid 9 voor Precisie Instrumentatie​​ 00:18

​​Aangepaste Ruby Lagers Mohs Hardheid 9 voor Precisie Instrumentatie​​
het optische kristal van de kleurensaffier
October 09, 2025
Op maat gemaakt synthetisch robijn en blauw saffierglas volgens de CZ-methode 00:11

Op maat gemaakt synthetisch robijn en blauw saffierglas volgens de CZ-methode
color doped sapphire
August 02, 2022
Multi-vormig snijden van synthetische gekleurde saffier edelstenen Padparadscha 00:08

Multi-vormig snijden van synthetische gekleurde saffier edelstenen Padparadscha
color doped sapphire
August 01, 2025
Rubijnsaffirijnstaaf voor optische metingen volgens de Cz-methode 00:16

Rubijnsaffirijnstaaf voor optische metingen volgens de Cz-methode
color doped sapphire
August 02, 2022
Multi-Pass versterkers Ruby Laser Rod / Laser Ruby Rod voor LED Eli - Ready Wafer 00:23

Multi-Pass versterkers Ruby Laser Rod / Laser Ruby Rod voor LED Eli - Ready Wafer
color doped sapphire
July 24, 2022