Ontdek de 4H-SEMI Silicon Carbide SiC Substraat, een hoogwaardige wafer ideaal voor vermogenselektronica, automotive elektronica en RF-apparaten. Beschikbaar in een diameter van 2 inch met dikte-opties van 350um of 500um, biedt deze prime- of dummy-grade substraat uitzonderlijke hardheid en betrouwbaarheid voor veeleisende toepassingen.