Thuis ProductenHet Wafeltje van het galliumnitride

Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen

Ik ben online Chatten Nu

Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen

Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen
Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen

Grote Afbeelding :  Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen

Productdetails:
Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: zmsh
Modelnummer: GaN-001
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjegeval in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 2-4weeks
Betalingscondities: L/C, T/T
Levering vermogen: 10PCS/Month

Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen

beschrijving
Materiaal: GaN enig kristal Industrie: Halfgeleiderwafeltje, leiden
Toepassing: halfgeleiderapparaat, LD-wafeltje, LEIDEN wafeltje, ontdekkingsreizigerdetector, laser, Type: HVPE en malplaatje
Aangepast: O.k. Grootte: gemeenschappelijke 2inchx0.35mmt
Hoog licht:

enig kristal gan epi wafeltje

,

malplaatje gan epi wafeltje

,

malplaatje gan substraten

van het de methodegallium van 2inch HVPE het wafeltje van het Nitridegan, vrije bevindende GaN-substraten voor LEIDENE applicaion, 10x10mm de spaanders van groottegan, het wafeltje van HVPE GaN

 

Ongeveer introduceert GaN Feature

De groeiende vraag naar hoge snelheid, op hoge temperatuur en hoge macht-behandelende mogelijkheden heeft de halfgeleiderindustrie die gemaakt de keus van materialen heroverwegen als halfgeleiders worden gebruikt. Bijvoorbeeld,

aangezien diverse snellere en kleinere gegevensverwerkingsapparaten zich voordoen, het gebruik van silicium het moeilijk maakt om de Wet van Moore te ondersteunen. Maar ook in machtselektronika, zodat GaN wordt het halfgeleiderwafeltje gekweekt uit voor de behoefte.

wegens zijn unieke kenmerken (hoog maximum huidig, hoog analysevoltage, en hoge omschakelingsfrequentie), is het Galliumnitride GaN het unieke materiaal van keus om energieproblemen van de toekomst op te lossen. Hebben de GaN gebaseerde systemen hogere machtsefficiency, waarbij machtsverliezen, schakelaar bij hogere frequentie worden verminderd, waarbij grootte en gewicht worden verminderd.

 

De GaNtechnologie wordt gebruikt in talrijke high-power toepassingen zoals industriële, van de consument en servervoedingen, zonne, AC aandrijving en UPS-omschakelaars, en hybride en elektrische auto's. Voorts

GaN is ideaal gezien geschikt voor rf-toepassingen zoals cellulaire basisstations, radar en kabeltelevisie

infrastructuur in de voorzien van een netwerk, ruimte en defensiesectoren, dankzij zijn hoge analysesterkte, cijfer met geringe geluidssterkte en hoge lineariteit.Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen 0

Toepassingen

  1. - Diverse led's: witte leiden, violette leiden, ultraviolette leiden, blauwe leiden
  2. - Milieuopsporing
  3. Substraten voor epitaxial groei door MOCVD enz.
  4. - Laserdioden: violette LD, groene LD voor ultra kleine projectoren.
  5. - Machts elektronische apparaten
  6. - Hoge frequentie elektronische apparaten
  7. De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.
  8. Datumopslag
  9. Energy-efficient verlichting
  10. Hoog rendement Elektronische apparaten
  11. Nieuwe de waterstoftechnologie van energiesolor
  12. Lichtbron terahertz band

Specificaties voor GaN Substrates-LEIDENE rang

 

 

 

2“ GaN Substrates  
Punt GaN-FS-n  
Afmetingen Ф 50.8mm ± 1mm
Marco Defect Density    
C Niveau > 2 cm2
Dikte 330 ± 25 µm
Richtlijn C-as (0001) ± 0.5°
Vlakke richtlijn (1-100) ± 0.5°, 16,0 ± 1.0mm
Secundaire Vlakke Richtlijn (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
TTV (Totale Diktevariatie) ≤15 µm
BOOG ≤20 µm
Geleidingstype N-type  
Weerstandsvermogen (300K) < 0="">  
Dislocatiedichtheid Minder dan 5x106-cm2
Bruikbare Oppervlakte > 90%
Het oppoetsen Front Surface: Ra < 0="">
Achteroppervlakte: Fijne grond
Pakket Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in enige wafeltjecontainers, onder een stikstofatmosfeer.

 

Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen 1

Macrotekortquanlity is <30pcs voor LEIDENE gemeenschappelijke rangwafeltjes (15-30pcs)

 

Onze diensten

1. Verkoopt de fabrieks directe vervaardiging en.

2. Snel, nauwkeurige citaten.

3. Antwoord op u binnen 24 werkuren.

4. ODM: Het aangepaste ontwerp is beschikbaar.

 

5. Snelheid en kostbare levering.

 

FAQ

Q: Zijn er om het even welk voorraad of standaardproduct?

A: Ja, gemeenschappelijke grootte als like2inch 0.3mm standaardgrootte altijd in voorraden.

 

Q: Hoe ongeveer het steekproevenbeleid?

A: droevig, maar stel voor u één of andere 10x10mm grootterug voor test kunt kopen ten eerste.

 

Q: Als ik een orde nu plaats, hoe lang zou het zijn alvorens ik levering kreeg?

A: de standaardgrootte in voorraad in 1weeks kan na betaling worden uitgedrukt.

 en onze betalingstermijn is 50%-storting en linker vóór levering.

Wafeltje van malplaatje het Enige Crystal Gan EPI voor rf-Toepassingen 2

Contactgegevens
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Contactpersoon: Wang

Tel.: +8615801942596

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)