Het Nitridewafeltje van het halfgeleidergallium, GaN-Substraatmalplaatje N - Type - 2 Duim

Plaats van herkomst China
Merknaam zmkj
Modelnummer GaN-2INCH 10x10mm
Min. bestelaantal 5-delige
Prijs by case
Verpakking Details het enige wafeltjegeval in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd 2-4 weken
Betalingscondities L / C, T / T
Productdetails
Materiaal GaN enig kristal Methode HVPE
Maat 2inch of 10x10mm Dikte 430um of aangepast
industrie Geleide LD, laserapparaat, detector, Pakket zing wafeltje cassettle door vacuümverpakking
Hoog licht

gan substraat

,

gan malplaatje

Laat een bericht achter
Productomschrijving


de substratenmalplaatje van 2inch GaN, GaN-wafeltje voor het Geleide, semiconducting Wafeltje van het Galliumnitride voor LD, GaN-malplaatje, mocvd GaN Wafeltje, Free-standing GaN-Substraten door Aangepaste grootte, het kleine wafeltje van groottegan voor leiden, mocvd wafeltje 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN wafeltje van het Galliumnitride

 

 

  1. Iii-nitride (GaN, AlN, Herberg)

Het galliumnitride is één soort breed-Gap samenstellingshalfgeleiders. Van het galliumnitride (GaN) het substraat is

een single-crystal substraat van uitstekende kwaliteit. Het wordt gemaakt met de originele HVPE-methode en technologie van de wafeltjeverwerking, die oorspronkelijk voor 10+years in China is ontwikkeld. De eigenschappen zijn hoge kristallijne, goede uniformiteit, en superieure oppervlaktekwaliteit. De GaNsubstraten worden gebruikt voor vele soorten toepassingen, voor witte leiden en LD (viooltje, het blauw en groen) Voorts is de ontwikkeling voor macht en hoge frequentie elektronische apparatentoepassingen gevorderd.

 

    Verboden bandbreedte (het lichte uitzenden en absorptie) dekking het ultraviolet, het zichtbare licht en infrared.
GaN kan op vele gebieden zoals LEIDENE vertoning, High-energy Opsporing en Weergave worden gebruikt,

  1. De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.
  2. Datumopslag
  3. Energy-efficient verlichting
  4. De volledige vertoning van kleurenfla 
  5. Laser Projecttions
  6. Hoog rendement Elektronische apparaten 
  7. Microgolfapparaten met hoge frekwentie
  8. High-energy Opsporing en veronderstelt
  9. Nieuwe de waterstoftechnologie van energiesolor 
  10. Milieuopsporing en biologische geneeskunde
  11. Lichtbron terahertz band

 
Specificaties:

  Free-standing GaN-Substraten (Aangepaste grootte)
Punt GaN-FS-10 GaN-FS-15
Afmetingen 10.0mm×10.5mm 14.0mm×15.0mm
De Dichtheid van het Marcotekort Een niveau 0 cm-2
B Niveau ≤ 2 cm-2
Dikte Rang 300 300 ± 25 µm
Rang 350 350 ± 25 µm
Rang 400 400 ± 25 µm
Richtlijn C-as (0001) ± 0.5°
TTV (Totale Diktevariatie) ≤15 µm
BOOG ≤20 µm
Geleidingstype N-type Semi-Insulating
Weerstandsvermogen (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Dislocatiedichtheid Minder dan 5x106 cm-2
Bruikbare Oppervlakte > 90%
Het oppoetsen Vooroppervlakte: Ra < 0="">
Achteroppervlakte: Fijne grond
Pakket Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in enige wafeltjecontainers, onder een stikstofatmosfeer.

Het Nitridewafeltje van het halfgeleidergallium, GaN-Substraatmalplaatje N - Type - 2 Duim 0

Punt GaN-FS-n-1,5
Afmetingen Ф 25.4mm ± 0.5mm Ф 38.1mm ± 0.5mm Ф 40.0mm ± 0.5mm Ф 45.0mm ± 0.5mm
De Dichtheid van het Marcotekort Een niveau ≤ 2 cm-2
B Niveau > 2 cm-2
Dikte 300 ± 25 µm
Richtlijn C-as (0001) ± 0.5°
Vlakke richtlijn (1-100) ± 0.5° (1-100) ± 0.5° (1-100) ± 0.5° (1-100) ± 0.5°
8 ± 1mm 12 ± 1mm 14 ± 1mm 14 ± 1mm
Secundaire Vlakke Richtlijn (11-20) ± 3° (11-20) ± 3° (11-20) ± 3° (11-20) ± 3°
4 ± 1mm 6 ± 1mm 7 ± 1mm 7 ± 1mm
TTV (Totale Diktevariatie) ≤15 µm
BOOG ≤20 µm
Geleidingstype N-type Semi-Insulating
Weerstandsvermogen (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Dislocatiedichtheid Minder dan 5x106 cm-2
Bruikbare Oppervlakte > 90%
Het oppoetsen Vooroppervlakte: Ra < 0="">
Achteroppervlakte: Fijne grond
Pakket Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in enige wafeltjecontainers, onder een stikstofatmosfeer.

Het Nitridewafeltje van het halfgeleidergallium, GaN-Substraatmalplaatje N - Type - 2 Duim 1
Het Nitridewafeltje van het halfgeleidergallium, GaN-Substraatmalplaatje N - Type - 2 Duim 2

 Onze Factroy-Ondernemingsvisie
wij zullen hoogte - het substraat van kwaliteitsgan en toepassingstechnologie voor de industrie met onze fabriek verstrekken.
Hoog - de kwaliteit GaNmaterial is de beperkende factor voor de iii-Nitriden toepassing, b.v. met lange levensuur
en hoge stabiliteit LDs, hoge macht en de hoge apparaten van de betrouwbaarheidsmicrogolf, Hoge helderheid
en hoog rendement, energy-saving leiden.
 
- FAQ –
Q: Wat u kunt logistiek en kosten leveren?
(1) wij keuren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF en enz. goed
(2) als u uw eigen uitdrukkelijk aantal hebt, is het groot.
Als niet, konden wij u bijstaan om te leveren. Freight=USD25.0 (het eerste gewicht) + USD12.0/kg
 
Q: Wat is de levertijd?
(1) voor de standaardproducten zoals het wafeltje van 2inch 0.33mm.
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 4 werkweken na orde.

Q: Hoe te betalen?
100%T/T, Paypal, het Westenunie, MoneyGram, Veilige betaling en Handelsverzekering.
 
Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 5pcs-10pcs.
Het hangt van hoeveelheid en technieken af.
 
Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen ROHS-rapport leveren en rapporten voor onze producten bereiken.