6inch sic substraten, de wafeltjes van 6inch sic, sic kristalbaren,
sic kristalblok, sic halfgeleidersubstraten, het Wafeltje van het Siliciumcarbide
6 duimdiameter het Substraatspecificatie, van het Siliciumcarbide (sic) | ||||||||
Rang | Nul MPD-Rang | Productierang | Onderzoekrang | Proefrang | ||||
Diameter | 150.0 mm±0.2mm | |||||||
ThicknessΔ | 350 μm±25μm of 500±25un | |||||||
Wafeltjerichtlijn | Van as: 4.0° naar< 1120=""> ±0.5° voor 4 H-N On as: <0001> ±0.5° voor 6h-si/4h-Si | |||||||
Primaire Vlakte | {10-10} ±5.0° | |||||||
Primaire Vlakke Lengte | 47.5 mm±2.5 mm | |||||||
Randuitsluiting | 3 mm | |||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
Micropipedichtheid | ≤1 cm2 | ≤5 cm2 | ≤15 cm2 | ≤100 cm2 | ||||
Weerstandsvermogen | 4h-n | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
4/6h-Si | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
Ruwheid | Poolse Ra≤1 NM | |||||||
CMP Ra≤0.5 NM | ||||||||
Barsten door hoge intensiteitslicht | Niets | 1 toegestaan, ≤2 mm | Cumulatieve lengte ≤ 10mm, enige length≤2mm | |||||
Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht | Cumulatief gebied ≤1% | Cumulatief gebied ≤2% | Cumulatief gebied ≤5% | |||||
Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht | Niets | Cumulatieve area≤2% | Cumulatieve area≤5% | |||||
Krassen door hoge intensiteitslicht | 3 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte | 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte | 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte | |||||
Randspaander | Niets | 3 toegestaan, ≤0.5 mm elk | 5 toegestaan, ≤1 mm elk | |||||
Verontreiniging door hoge intensiteitslicht | Niets |
Contacteer op elk ogenblik ons