het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat

Plaats van herkomst China
Merknaam zmkj
Modelnummer 4inch--4H-semi N,
Min. bestelaantal 1pcs
Prijs by required
Verpakking Details Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in cassettes van enige wafeltjecontainers
Levertijd 10-20 dagen
Levering vermogen 100pcs/months
Productdetails
Materiaal sic kristal Industrie halfgeleiderwafeltje
Toepassing geleide halfgeleider, apparaat, machtselektronika, 5G Kleur blauw, groen, wit
Type 4H, GESMEERDE 6H, geen gesmeerde, hoge zuiverheid
Hoog licht

het substraat van het siliciumcarbide

,

sic substraat

Laat een bericht achter
Productomschrijving

het type 4h-n van 4inch dia100m PROEF de rang sic substraten van de Productierang, de substraten van het Siliciumcarbide voor halfgeleiderapparaat,

 

Toepassingsgebieden

 

1 hoge frequentie en hoge machts elektronische dioden van apparatenschottky,

 

    JFET, BJT, Speld, dioden, IGBT, MOSFET

 

2 optoelectronic apparaten: hoofdzakelijk gebruikt LEIDENE van het substraat materiële (GaN/sic) leiden in van GaN/sic blauwe

 

Advantagement

• Lage roosterwanverhouding
• Hoog warmtegeleidingsvermogen
• Lage machtsconsumptie
• Uitstekende voorbijgaande kenmerken
• Hoog bandhiaat

 

 

Van het het kristalsubstraat van het siliciumcarbide sic het wafeltjecarborundum

DE MATERIËLE EIGENSCHAPPEN VAN HET SILICIUMcarbide

 
Productnaam: Van het siliciumcarbide (sic) het kristalsubstraat
Productomschrijving: 2-6inch
Technische parameters:
Celstructuur Hexagonaal
Roosterconstante a = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioriteiten ABCACB (6H)
De groeimethode MOCVD
Richting De groeias of Gedeeltelijke (0001) 3,5 °
Het oppoetsen Si-oppervlakte het oppoetsen
Bandgap 2.93 (indirecte) eV
Geleidingsvermogentype N of seimi, hoge zuiverheid
Weerstandsvermogen 0,076 ohm-cm
Diëlektrische constante e (11) = e (22) = 9,66 euro (33) = 10,33
Warmtegeleidingsvermogen @ 300K 5 W/cm. K
Hardheid 9.2 Mohs
Specificaties: 6H-n-Type 4H het n-Type semi-insulating dia2 „x0.33mm, dia2“ x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, Enige 10x5mm werpt of het dubbel werpt, Ra <10a>
Norm die verpakken: schone ruimte 1000, schone zak 100 of enige doos verpakking

 

2. substratengrootte van norm

van het het Carbide (sic) Substraat 4 duim van het diameter de Specificatie Silicium

Rang Nul MPD-Rang Productierang Onderzoekrang Proefrang
Diameter 100.0 mm±0.5 mm
Dikte 350 μm±25μm (200-500um-de dikte ook is o.k.)
Wafeltjerichtlijn Van as: 4.0° naar <1120> ±0.5° voor 4h-n/4h-Si op as: <0001> ±0.5° voor 6h-n/6h-si/4h-n/4h-Si
Micropipedichtheid ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50 cm2
Weerstandsvermogen 4h-n 0.015~0.028 Ω•cm
6h-n 0.02~0.1 Ω•cm
4/6h-Si ≥1E5 Ω·cm
Primaire Vlak en lengte {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 mm
Secundaire Vlakke Lengte 18.0mm±2.0 mm
Secundaire Vlakke Richtlijn Siliciumgezicht - omhoog: 90° CW. van Eerste vlakke ±5.0°
Randuitsluiting 3 mm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Ruwheid Poolse Ra≤1 NM, CMP Ra≤0.5 NM
Barsten door hoge intensiteitslicht Niets 1 toegestaan, ≤2 mm Cumulatieve lengte ≤ 10mm, enige length≤2mm
Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤3%
Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht Niets Cumulatief gebied ≤2% Cumulatief gebied ≤5%
Krassen door hoge intensiteitslicht 3 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte
randspaander Niets 3 toegestaan, ≤0.5 mm elk 5 toegestaan, ≤1 mm elk
Verontreiniging door hoge intensiteitslicht Niets

Sic wafeltje & baren 2-6inch en andere aangepaste grootte   kan ook worden verstrekt.

 

 

3.Pictures van leveringsproducten voordien

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 0het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 1

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 2

Levering & Pakket

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 3