Thuis ProductenSic Substraat

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat

Ik ben online Chatten Nu

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat

2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device
2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device 2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device 2inch 3inch Dia100m 4H-N Type Silicon Carbide Wafer Production Grade For Semiconductor Device

Grote Afbeelding :  het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Merknaam: zmkj
Modelnummer: 4inch--4H-semi N,

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1pcs
Prijs: by required
Verpakking Details: Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in cassettes van enige wafeltjecontainers
Levertijd: 10-20 dagen
Levering vermogen: 100pcs/months
Gedetailleerde productomschrijving
Materiaal: sic kristal Industrie: halfgeleiderwafeltje
Toepassing: geleide halfgeleider, apparaat, machtselektronika, 5G Kleur: blauw, groen, wit
Type: 4H, GESMEERDE 6H, geen gesmeerde, hoge zuiverheid
Hoog licht:

silicon carbide substrate

,

sic substrate

het type 4h-n van 4inch dia100m PROEF de rang sic substraten van de Productierang, de substraten van het Siliciumcarbide voor halfgeleiderapparaat,

 

Toepassingsgebieden

 

1 hoge frequentie en hoge machts elektronische dioden van apparatenschottky,

 

    JFET, BJT, Speld, dioden, IGBT, MOSFET

 

2 optoelectronic apparaten: hoofdzakelijk gebruikt LEIDENE van het substraat materiële (GaN/sic) leiden in van GaN/sic blauwe

 

Advantagement

• Lage roosterwanverhouding
• Hoog warmtegeleidingsvermogen
• Lage machtsconsumptie
• Uitstekende voorbijgaande kenmerken
• Hoog bandhiaat

 

 

Van het het kristalsubstraat van het siliciumcarbide sic het wafeltjecarborundum

DE MATERIËLE EIGENSCHAPPEN VAN HET SILICIUMcarbide

 
Productnaam: Van het siliciumcarbide (sic) het kristalsubstraat
Productomschrijving: 2-6inch
Technische parameters:
Celstructuur Hexagonaal
Roosterconstante a = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioriteiten ABCACB (6H)
De groeimethode MOCVD
Richting De groeias of Gedeeltelijke (0001) 3,5 °
Het oppoetsen Si-oppervlakte het oppoetsen
Bandgap 2.93 (indirecte) eV
Geleidingsvermogentype N of seimi, hoge zuiverheid
Weerstandsvermogen 0,076 ohm-cm
Diëlektrische constante e (11) = e (22) = 9,66 euro (33) = 10,33
Warmtegeleidingsvermogen @ 300K 5 W/cm. K
Hardheid 9.2 Mohs
Specificaties: 6H-n-Type 4H het n-Type semi-insulating dia2 „x0.33mm, dia2“ x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, Enige 10x5mm werpt of het dubbel werpt, Ra <10a>
Norm die verpakken: schone ruimte 1000, schone zak 100 of enige doos verpakking

 

2. substratengrootte van norm

van het het Carbide (sic) Substraat 4 duim van het diameter de Specificatie Silicium

Rang Nul MPD-Rang Productierang Onderzoekrang Proefrang
Diameter 100.0 mm±0.5 mm
Dikte 350 μm±25μm (200-500um-de dikte ook is o.k.)
Wafeltjerichtlijn Van as: 4.0° naar <1120> ±0.5° voor 4h-n/4h-Si op as: <0001> ±0.5° voor 6h-n/6h-si/4h-n/4h-Si
Micropipedichtheid ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50 cm2
Weerstandsvermogen 4h-n 0.015~0.028 Ω•cm
6h-n 0.02~0.1 Ω•cm
4/6h-Si ≥1E5 Ω·cm
Primaire Vlak en lengte {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 mm
Secundaire Vlakke Lengte 18.0mm±2.0 mm
Secundaire Vlakke Richtlijn Siliciumgezicht - omhoog: 90° CW. van Eerste vlakke ±5.0°
Randuitsluiting 3 mm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Ruwheid Poolse Ra≤1 NM, CMP Ra≤0.5 NM
Barsten door hoge intensiteitslicht Niets 1 toegestaan, ≤2 mm Cumulatieve lengte ≤ 10mm, enige length≤2mm
Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤3%
Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht Niets Cumulatief gebied ≤2% Cumulatief gebied ≤5%
Krassen door hoge intensiteitslicht 3 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte
randspaander Niets 3 toegestaan, ≤0.5 mm elk 5 toegestaan, ≤1 mm elk
Verontreiniging door hoge intensiteitslicht Niets

Sic wafeltje & baren 2-6inch en andere aangepaste grootte   kan ook worden verstrekt.

 

 

3.Pictures van leveringsproducten voordien

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 0het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 1

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 2

Levering & Pakket

het Type 4h-n van 2inch 3inch Dia100m de Rang van de het Wafeltjeproductie van het Siliciumcarbide voor Halfgeleiderapparaat 3

 

 

Contactgegevens
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Contactpersoon: Wang

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)