4 H-N As-Cut Silicon Carbide-Wafeltje 0.5mm Dikte voor Machtselektronika

Plaats van herkomst China
Merknaam zmsh
Modelnummer 6inch
Min. bestelaantal 1pcs
Prijs by case
Verpakking Details door aangepast geval
Levertijd 15days binnen
Productdetails
Industrie halfgeleidersubstraat Materialen sic kristal
Toepassing 5G, apparatenmateriaal, MOCVD, machtselektronika Type Semi 4h-n, gesmeerd Geen
Kleur groen, blauw, wit Hardeness 9.0 omhoog
Hoog licht

het substraat van het siliciumcarbide

,

sic substraat

Laat een bericht achter
Productomschrijving

6inch sic substraten, sic van het de baren sic kristal van het baar sic kristal van de het blok sic halfgeleider de substraten 2inch 3inch 4inch 6inch 4h geen gesmeerd wafeltje

 

 wij kunnen verstrekken sic hoogte - het wafeltje van het kwaliteits enige kristal (Siliciumcarbide) aan de elektronische en optoelectronic industrie. Sic is het wafeltje een materiaal van de volgende generatiehalfgeleider, met unieke elektrische eigenschappen en de uitstekende thermische eigenschappen, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, sic wafeltje zijn geschikter voor machts van het op hoge temperatuur en de toepassing hoge apparaat. Sic kan het wafeltje in diameter 2 -6inch sic worden geleverd, zowel 4H als 6H, gesmeerd n-Type, Stikstof, en semi-insulating beschikbaar type. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.

 

1.material toepassing en advantagement

Toepassingen:

• GaNepitaxy apparaat
• Optoelectronic apparaat
• Hoge frequentieapparaat
• Hoge machtsapparaat
• Apparaat op hoge temperatuur
• Lichtgevende dioden

 

• Lage roosterwanverhouding
• Hoog warmtegeleidingsvermogen
• Lage machtsconsumptie
• Uitstekende voorbijgaande kenmerken
• Hoog bandhiaat

 

 

DE MATERIËLE EIGENSCHAPPEN VAN HET SILICIUMcarbide
Polytype
Enig Kristal 4H
Enig Kristal 6H
Roosterparameters
a=3.076 Å
a=3.073 Å
c=10.053 Å
c=15.117 Å
Het stapelen van Opeenvolging
ABCB
ABCACB
Band-Gap
3.26 eV
3.03 eV
Dichtheid
3.21 · 103 kg/m3
3.21 · 103 kg/m3
Therm. Uitbreidingscoëfficiënt
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Brekingsindex
geen = 2,719
geen = 2,707
Ne = 2,777
Ne = 2,755
Diëlektrische Constante
9.6
9.66
Warmtegeleidingsvermogen
490 W/mK
490 W/mK
Opsplitsings Elektrogebied
2 – 4 · 108 V/m
2 – 4 · 108 V/m
De Snelheid van de verzadigingsafwijking
2.0 · 105 m/s
2.0 · 105 m/s
Elektronenmobiliteit
800 cm2/V·S
400 cm2/V·S
gatenmobiliteit
115 cm2/V·S
90 cm2/V·S
Mohshardheid
~9
 
2. Materiële Groottedescribtion
 
4 H-N As-Cut Silicon Carbide-Wafeltje 0.5mm Dikte voor Machtselektronika 0
 
 
3.productes
4 H-N As-Cut Silicon Carbide-Wafeltje 0.5mm Dikte voor Machtselektronika 1

 

4 H-N As-Cut Silicon Carbide-Wafeltje 0.5mm Dikte voor Machtselektronika 2

FAQ:

 

Q: Wat is uw levertijd van MOQ en?

A: (1) voor inventaris, is MOQ 3pcs. als is 5-10pcs het beter in 10-30days

(2) voor 6inch aangepaste producten, is MOQ 10pcs omhoog in 30-50days

 

Q: Wat is de manier om en kosten te verschepen?

A: (1) wij keuren DHL, Fedex, EMS enz. goed

(2) het is fijn als u uw eigen uitdrukkelijke rekening, als niet hebt, konden wij u helpen hen verschepen en de Vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.

 

Q: Hoe te betalen?

A: T/T, 100%

 

Q: Hebt u standaardproducten?

A: er zijn geen 6inch Onze standaardproducten in voorraad.

maar zoals als substraten 4inch 0.33mm 2sp de dikte wat in voorraad heeft 

 

Thanks~~~