Bericht versturen
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Post: eric_wang@zmsh-materials.com Tel.: 86-1580-1942596
Huis > PRODUCTEN > Sic Substraat >
sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes
  • sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes
  • sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes
  • sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes

sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes

Plaats van herkomst China
Merknaam SICC
Certificering CE
Modelnummer 4h-n
Productdetails
Materialen:
SIC kristal
Type:
4h-n
Zuiverheid:
99.9995%
Weerstandsvermogen:
0.015~0.028ohm.cm
Grootte:
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch
Dikte:
350um of aangepast
MPD:
《2cm-2
Toepassing:
voor SBD, MOS Device
TTV:
《15um
boog:
《25um
afwijking:
《45um
Oppervlakte:
Si-gezicht CMP, c-gezicht MP
Hoog licht: 

4H n-Type sic Substraten

,

Semi sic Isolerend Substraten

,

2inch de Wafeltjes van het siliciumcarbide

Productomschrijving

 

2inch Wafeltjestype 6H of 4h-n van het siliciumcarbide of Semi-Insulating sic Substraten

4 H-N Type/Semi sic Isolerend het Carbidewafeltjes van het Substraten2inch 3inch 6inch Silicium

 

Wat een sic wafeltje is

Een sic wafeltje is een halfgeleidermateriaal dat uitstekende elektrische en thermische eigenschappen heeft. Het is een krachtige halfgeleider die voor een grote verscheidenheid van toepassingen ideaal is. Naast zijn hoge thermische weerstand, kenmerkt het ook zeer op hoog niveau van hardheid.

 

Classificatie

  De substraten van het siliciumcarbide kunnen sic in twee categorieën worden verdeeld: de semi-geïsoleerde (de Hoge Zuiverheidsv.n. -v.n.-dopend en v-Gesmeerde 4h-SEMI) substraten van het siliciumcarbide met hoog weerstandsvermogen (resistorivity ≥107Ω·cm), en de geleidende substraten van het siliciumcarbide met laag weerstandsvermogen (de weerstandsvermogenwaaier is 15-30mΩ·cm).

 

Specificatie voor de wafeltjes 4h-n van 6inch sic.
(2inch, 3inch 4inch, het wafeltje van 8inch sic ook is beschikbaar)

Rang

Nul MPD-Productie

Rang (z-Rang)

Standaardproductierang (p-Rang)

Proefrang

(De Rang van D)

Diameter 99.5 mm~100.0 mm
Dikte 4h-n 350 μm±20 μm 350 μm±25 μm
4h-Si 500 μm±20 μm 500 μm±25 μm
Wafeltjerichtlijn Van as: 4.0°toward <1120> ±0.5°for 4h-n, op as: <0001> 4h-Si ±0.5°for
Micropipedichtheid 4h-n ≤0.5cm-2 ≤2 cm2 ≤15 cm2
4h-Si ≤1cm-2 ≤5 cm2 ≤15 cm2
※ Weerstandsvermogen 4h-n 0.015~0.025 Ω·cm 0.015~0.028 Ω·cm
4h-Si ≥1E9 Ω·cm ≥1E5 Ω·cm
Primaire Vlakke Richtlijn {10-10} ±5.0°
Primaire Vlakke Lengte 32.5 mm±2.0 mm
Secundaire Vlakke Lengte 18.0 mm±2.0 mm
Secundaire Vlakke Richtlijn Siliciumgezicht - omhoog: 90°CW. van Eerste vlakke ±5.0°
Randuitsluiting 3 mm
LTV/TTV/Bow /Warp ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm

※ Ruwheid

Poolse Ra≤1 NM
CMP Ra≤0.2 NM Ra≤0.5 NM

Randbarsten door Hoge Intensiteitslicht

 

Niets Cumulatieve lengte ≤ 10 mm, enige length≤2 mm
Hexuitdraaiplaten door Hoge Intensiteitslicht Cumulatief gebied ≤0.05% Cumulatief gebied ≤0.1%
Polytypegebieden door Hoge Intensiteitslicht Niets Cumulatieve area≤3%
Visuele Koolstofopneming Cumulatief gebied ≤0.05% Cumulatief gebied ≤3%

De Krassen van de siliciumoppervlakte door Hoge Intensiteitslicht

Niets Cumulatieve len ‚gth≤1×wafer diameter
Rand Chips High By Intensity Light Niets liet de breedte en de diepte van ≥0.2 toe mm 5 toegestaan, ≤1 mm elk

De Verontreiniging van de siliciumoppervlakte door Hoge Intensiteit

Niets
Verpakking Multi-wafeltjecassette of Enige Wafeltjecontainer

 

 

sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes 0sic aangepast 4 van het de Substraten4inch 6inch Silicium van H-N Type Semi-Insulating het Carbidewafeltjes 1

 

 

 

 

 

Industriële ketting

De industriële keten van het siliciumcarbide sic is verdeeld in substraat materiële voorbereiding, epitaxial laaggroei, apparaat productie en stroomafwaartse toepassingen. De monokristallen van het siliciumcarbide worden gewoonlijk voorbereid door fysieke damptransmissie (PVT-methode), en dan worden epitaxial bladen geproduceerd door chemische dampdeposito (CVD-methode) op het substraat, en de relevante apparaten worden definitief gemaakt. In de industriële ketting van sic apparaten, wegens de moeilijkheid van substraat productietechnologie, is de waarde van de industriële ketting hoofdzakelijk geconcentreerd in de stroomopwaartse substraatverbinding.

 

ZMSH-het bedrijf verstrekt verstrekt 100mm en 150mm sic wafeltjes. Met zijn hardheid (is sic het tweede hardste materiaal in de wereld) en stabiliteit onder hitte en hoogspanningsstroom, wordt dit materiaal wijd gebruikt in verscheidene industrieën.

 

Prijs

ZMSH-het bedrijf biedt sic de beste prijs op de markt voor hoogte aan - kwaliteitswafeltjes en sic kristalsubstraten tot zes (6) duimdiameter. Ons prijsovereenstemmingsbeleid waarborgt u sic de beste prijs voor de kristalproducten met vergelijkbare specificaties. CONTACT de V.S. vandaag om uw citaat te krijgen.

 

Aanpassing

De aangepaste sic kristalproducten kunnen worden gemaakt om aan de de bijzondere eisen en specificaties van de klant te voldoen.

De epi-wafeltjes kunnen ook op verzoek naar maat gemaakt zijn.

 

 

FAQ

 

Q: Wat is de manier om en kosten en betaalt termijn te verschepen?

A: (1) wij keuren vooraf 50% T/T en linker50% vóór levering goed door DHL, Fedex, EMS enz.

(2) als u uw eigen uitdrukkelijke rekening hebt, is het groot. Als niet, konden wij u helpen hen verschepen.

De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.

 

Q: Wat is uw MOQ?

A: (1) voor inventaris, is MOQ 3pcs.

(2) voor aangepaste producten, is MOQ omhoog 10pcs.

 

Q: Kan die ik de producten op mijn behoefte worden gebaseerd aanpassen?

A: Ja die, kunnen wij het materiaal, de specificaties en de vorm, grootte aanpassen op uw behoeften wordt gebaseerd.

 

Q: Wat is de levertijd?

A: (1) voor de standaardproducten

Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.

Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 3 weken na u plaats de orde.

(2) voor de speciaal-gevormde producten, is de levering 4 werkweken na u plaats de orde.

 

Contacteer op elk ogenblik ons

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, Dianshanhu-weg, Qingpu-gebied, de stad van Shanghai, CHINA
Rechtstreeks uw onderzoek naar verzend ons