Bericht versturen
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Post: eric_wang@zmsh-materials.com Tel.: 86-1580-1942596
Huis > PRODUCTEN > Sic Substraat >
4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten
  • 4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten
  • 4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten
  • 4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten
  • 4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten
  • 4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten
4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten

4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten

Plaats van herkomst China
Merknaam ZMSH
Modelnummer 4H
Productdetails
Materiaal:
SIC kristal
Industrie:
de optische lens van het halfgeleiderwafeltje
Toepassing:
Geleide halfgeleider, apparaat, machtselektronika, 5G
Kleur:
groen, wit
Type:
4h-n en 4H-semi, Un-doped
Grootte:
6inch (ook beschikbare 2-4inch)
Dikte:
350um of 500um
Tolerantie:
±25um
Rang:
Nul Productie/Onderzoek/Model
TTV:
<15um>
boog:
<20um>
Verdraaien:
《30um
De Customzieddienst:
Beschikbaar
Materiaal:
Siliciumcarbide (SiC)
Grondstof:
China
Hoog licht: 

proefrang sic Substraat

,

4 duim sic Substraat

,

4h-n het substraat van het siliciumnitride

Productomschrijving

Van de het Substraatproductie van 4h-n 4h-SEMI 2inch 3inch 4inch 6Inch sic de rang proefrang voor High-Power Apparaten

 

H het Carbidesubstraten van het Hoge Zuiverheidssilicium, hoge zuiverheids4inch sic substraten, 4inch-de substraten van het Siliciumcarbide voor halfgeleider, de substraten van het Siliciumcarbide voor semconductor, sic enig kristalwafeltjes, sic baren voor gem

 

Toepassingsgebieden

 

1 hoge frequentie en hoge machts elektronische dioden van apparatenschottky, JFET, BJT, Speld, dioden, IGBT, MOSFET

2 optoelectronic apparaten: hoofdzakelijk gebruikt LEIDENE van het substraat materiële (GaN/sic) leiden in van GaN/sic blauwe

 

advantagement

• Lage roosterwanverhouding
• Hoog warmtegeleidingsvermogen
• Lage machtsconsumptie
• Uitstekende voorbijgaande kenmerken
• Hoog bandhiaat

 

Van het het kristalsubstraat van het siliciumcarbide sic het wafeltjecarborundum

DE MATERIËLE EIGENSCHAPPEN VAN HET SILICIUMcarbide

 

Bezit 4H-sic, Enig Kristal 6H-sic, Enig Kristal
Roosterparameters a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Het stapelen van Opeenvolging ABCB ABCACB
Mohshardheid ≈9.2 ≈9.2
Dichtheid 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm. Uitbreidingscoëfficiënt 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brekingsindex @750nm

geen = 2,61

Ne = 2,66

geen = 2,60

Ne = 2,65
Diëlektrische Constante c~9.66 c~9.66
Warmtegeleidingsvermogen (n-Type, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

  
(Semi-insulating) Warmtegeleidingsvermogen

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K
Band-Gap 3.23 eV 3.02 eV
Opsplitsings Elektrogebied 35×106V/cm 35×106V/cm
De Snelheid van de verzadigingsafwijking 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

2. substratengrootte van norm voor 6inch

   
de Specificaties van het het Carbidesubstraat 6 duim van het Diameter 4h-n &Semi Silicium
SUBSTRAATbezit Nul Rang Productierang Onderzoekrang Proefrang
Diameter 150 mm-0,05 mm
Oppervlakterichtlijn off-axis: 4°toward <11-20> ± 0.5°   voor 4h-n

Op as: <0001> 4h-Si ±0.5°for

 
Primaire Vlakke Richtlijn

{10-10} ±5.0° voor Inkeping 4h-n voor 4H-semi

 
Primaire Vlakke Lengte 47,5 mm ± 2,5 mm
Dikte 4h-n  STD 350±25um of customzied 500±25um
4h-SEMI dikte 500±25um STD
Wafeltjerand Afkanting
Micropipedichtheid voor 4h-n <0> ≤2micropipes/cm2 cm2 van ≤10 micropipes/

cm2 van ≤15 micropipes/

 
Micropipedichtheid voor 4h-SEMI <1 micropipes=""> ≤5micropipes/cm2 cm2 van ≤10 micropipes/ cm2 van ≤20 micropipes/
Polytypegebieden door licht met hoge intensiteit             Toegelaten niets ≤10% gebied
Weerstandsvermogen voor 4h-n         0,015 Ω·cm~0.028 Ω·cm(gebied 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm
Weerstandsvermogen voor 4h-SEMI

≥1E9 Ω·cm

 
 
LTV/TTV/BOW/WARP

≤3 μm/≤6 μ m/≤30 μm/≤40 μ m

≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μ m

Hexuitdraaiplaten door Hoge Intensiteit Ligh

Cumulatief gebied ≤0.05%

Cumulatief gebied ≤0.1%

De Verontreiniging van de siliciumoppervlakte door Hoge Intensiteitslicht

NIETS
 

 

Visuele Koolstofopneming

 

 Cumulatief gebied ≤0.05%

Cumulatief gebied ≤3%

Polytypegebieden door Hoge Intensiteitslicht

 

  NIETS

Cumulatieve area≤3%

Leveringssteekproef

4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 04h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 1

4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 24h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 3

 

De Andere Diensten kunnen wij verstrekken

 1.Customized wire-cut dikte     2. de aangepaste plak van de groottespaander        3. cuotomized vormlens

 

 

4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 44h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 54h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 6

 

De Andere Gelijkaardige Producten kunnen wij verstrekken

4h-n van het het Nitride sic Substraat van het 4 Duimsilicium Proef de Rang sic Substraat voor Hoge Machtsapparaten 7

 

FAQ:

Q: Wat is de manier om en kosten en betaalt termijn te verschepen?

A: (1) wij keuren vooraf 50% T/T en linker50% vóór levering goed door DHL, Fedex, EMS enz.

(2) als u uw eigen uitdrukkelijke rekening hebt, is het groot. Als niet, konden wij u helpen hen verschepen.

De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.

 

Q: Wat is uw MOQ?

A: (1) voor inventaris, is MOQ 3pcs.

(2) voor aangepaste producten, is MOQ omhoog 10pcs.

 

Q: Kan die ik de producten op mijn behoefte worden gebaseerd aanpassen?

A: Ja die, kunnen wij het materiaal, de specificaties en de vorm, grootte aanpassen op uw behoeften wordt gebaseerd.

 

Q: Wat is de levertijd?

A: (1) voor de standaardproducten

Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.

Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 3 weken na u plaats de orde.

(2) voor de speciaal-gevormde producten, is de levering 4 werkweken na u plaats de orde.

 

 

 

 

Markeringen:

sic wafeltje,

sic substraat,

het substraat van het siliciumcarbide

Geadviseerde Producten

Contacteer op elk ogenblik ons

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, Dianshanhu-weg, Qingpu-gebied, de stad van Shanghai, CHINA
8615801942596
eric406337393
eric_wang@zmsh-materials.com
Rechtstreeks uw onderzoek naar verzend ons