Het kleurloze Transparante Siliciumcarbide poetste sic Wafeltjelens op

Fysieke & Elektronische Eigenschappen van sic Vergeleken bij GaAa en Si

Brede Energie Bandgap (eV)

4H-sic: 3.26 6H-sic: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12

De elektronische binnen gevormde apparaten kunnen sic bij uiterst hoge temperaturen werken zonder het lijden aan intrinsieke geleidingsgevolgen wegens de brede energie bandgap. Ook, staat dit bezit sic toe om kort golflengtelicht uit te zenden en te ontdekken dat de vervaardiging van blauwe lichtgevende dioden en bijna zonne blinde fotodetectoren mogelijke UV maakt.

Hoog Analyse Elektrisch Gebied [V/cm (voor 1000 V-verrichting)]

4H-sic: 2.2 x 106* 6H-sic: 2.4 GaAs van x 106*: Si 3 x 105: 2.5 x 105

Kan sic een voltagegradiënt (of elektrisch veld) weerstaan meer dan acht keer groter dan dan Si of GaAs zonder lawineanalyse te ondergaan. Dit hoge analyse elektrische gebied laat de vervaardiging van apparaten zeer met hoog voltage, high-power zoals dioden, machtstransitors, machtsthyristors en stroompiekbeveiligingen, evenals de apparaten van de hoge machtsmicrogolf toe. Bovendien, laat het de apparaten toe om zeer dicht bij elkaar worden geplaatst, verstrekkend de hoge dichtheid van de apparatenverpakking voor geïntegreerde schakelingen.

Hoog Warmtegeleidingsvermogen (W/cm · K @ RECHTS)
4H-sic: 3.0-3.8 6H-sic: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 Si: 1.5

Sic is een uitstekende thermische leider. De hitte zal gemakkelijker door sic dan andere halfgeleidermaterialen vloeien. In feite, bij kamertemperatuur, heeft sic een hoger warmtegeleidingsvermogen dan om het even welk metaal. Dit bezit laat sic apparaten toe om op uiterst hoge machtsniveaus te werken en nog de geproduceerde hopen van bovenmatige hitte te verdrijven.

De hoog Verzadigde Snelheid van de Elektronenafwijking [cm/sec (@ E V/cm van ≥ 2 x 105)]

4H-sic: 2.0 x 107 6H-sic: 2.0 x GaAs 107: 1.0 x Si 107: 1.0 x 107
Sic kunnen de apparaten bij hoge frequenties (rf en microgolf) wegens de hoog verzadigde snelheid van de elektronenafwijking van sic werken.